对比文件名称：2009-03-05_JP2009048052A_发明专利_JP2009048052A Method for manufacturing hemispherical structure, liquid crystal device and method for manufacturing the liquid crystal device
目标专利名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：本模型（DeepSeek）
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基础层 《直接公开》 | 对比文件段落：第一基板10和第二基板20由玻璃等透明材料形成。间隔物设置在第一基板10上。 | 对比文件明确公开了第一基板10作为支撑间隔物的基础层，其作用与目标专利的基础层相同，都是承载间隔物。本领域技术人员可直接毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物 《直接公开》 | 对比文件段落：间隔物30配置在对应于遮光膜11的形成区域的部分（图2、图3），且为多个。 | 对比文件公开了多个间隔物30配置在第一基板10上，即基础层上设置有复数个间隔物，直接公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物 《直接公开》 | 对比文件段落：间隔物30由聚苯乙烯等透明材料形成为直径约10‑30μm的半球状。 | 对比文件公开了间隔物整体为半球状，其顶部为半球形部分，符合“在顶部具有半球形部分的半球形间隔物”的定义，直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分 《直接公开》 | 同上，半球状形状包含弯曲部分。 | 对比文件公开的半球状间隔物整体包含弯曲形状，该弯曲形状即半球形部分，直接公开。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹 《未公开》 | 对比文件全文无任何曲率数值记载。 | 对比文件未提到或暗示任何关于弯曲形状截面曲率的信息，本领域技术人员不能从中得到最大曲率150mm⁻¹或更小的技术方案。未公开。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物 《未公开》 | 对比文件段落：间隔物30形成为半球状，无柱状部分描述。 | 对比文件公开的间隔物是单一半球体，没有柱状部分，因此不是柱状间隔物。未公开。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小 《未公开》 | 对比文件段落：直径约10‑30μm，但高度未给出数值；未提及面积比率。 | 对比文件未明确公开半球形部分的高度范围，也未公开间隔物与基础层的面积比率。本领域技术人员不能直接或隐含推知该特征。未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小 《未公开》 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件仅提及间隔物位于遮光膜区域，未公开任何标准间距、标准偏差等排列统计特征。未公开。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示 《未公开》 | 对比文件无分布图记载。 | 对比文件未公开间隔物间距的分布形式，更未提及正态分布图。未公开。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上 《未公开》 | 对比文件无记载。 | 对比文件未公开任何分布图及其坐标定义。未公开。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1 《未公开》 | 对比文件无记载。 | 对比文件未公开比率总和、半高宽、最大高度等参数。未公开。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹 《未公开》 | 对比文件段落：半球状，未提及平坦顶部。 | 对比文件的半球状间隔物通常具有圆弧形截面，不包括曲率为0的直线部分。未公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内 《直接公开》 | 对比文件段落：间隔物30形成为直径约10‑30μm的半球状。 | 对比文件公开了半球状间隔物的底面直径（即宽度）约为10‑30μm，该范围完全落入2μm至40μm的范围内，因此直接公开。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分 《未公开》 | 对比文件段落：间隔物30具有略圆的底面30a，底面30a与第一基板10密接。 | 对比文件公开间隔物底部为平面，没有曲面渐缩部分。未公开。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形 《未公开》 | 对比文件段落：配向膜14、24形成为覆盖像素电极22和对向电极12。 | 对比文件公开配向膜形成在基板上并覆盖电极，但未明确提及配向膜是否覆盖间隔物，也未描述间隔物上配向膜顶部的形状。本领域技术人员不能唯一地推断出配向膜形成于间隔物上且顶部为半球形。未公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小 《未公开》 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开配向膜表面的曲率特征。未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹 《未公开》 | 对比文件无记载。 | 对比文件未公开配向膜顶部具有平坦部分。未公开。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内 《未公开》 | 对比文件无记载。 | 对比文件未公开形成在间隔物上的配向膜的高度尺寸。未公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内 《未公开》 | 对比文件无记载。 | 对比文件未公开形成在间隔物上的配向膜的宽度尺寸。未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时 《未公开》 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未涉及任选间隔物形成闭合图形的概念。未公开。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时 《未公开》 | 对比文件无记载。 | 对比文件未公开间隔物形成闭合图形的条件。未公开。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物 《未公开》 | 对比文件无记载。 | 对比文件未公开闭合图形内无其他间隔物的条件。未公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同 《未公开》 | 对比文件无记载。 | 对比文件未公开间隔物间距的不规则性特征。未公开。 |
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