对比文件名称：2010-08-06_KR100974692B_发明授权_KR100974692B1 액정 표시 장치
目标专利名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：AI语言模型（基于GPT-4架构）
以下为特征比对表格，严格按目标专利权利要求的划分逐项分析。
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基础层<br>《直接公开》 | [17]记载：“阵列基板(10)包括玻璃基板(11)……”（어레이 기판(10)은, 글래스 기판(11)…）；[16]也明确阵列基板(10)与对向基板(30)相对设置。 | 对比文件公开了阵列基板中的玻璃基板作为基础层，该基础层用于支撑间隔物等元件，与目标专利中基础层的作用完全相同。因此直接公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物<br>《直接公开》 | [16]记载：“在阵列基板(10)和对向基板(30)之间，配置有柱状间隔物(36)”；[12]记载：“间隔物由形成在阵列基板上的间隔物用底座和形成在间隔物用底座上的间隔物部件构成”。 | 对比文件明确公开了多个间隔物以柱状形式设置在阵列基板（即基础层）上，因此直接公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物<br>《直接公开》 | [21]记载：“间隔物部件(36b)的尖端不是平坦的而是弯曲的。根据本示例，间隔物部件(36b)的尖端可以是半球形，也可以弯曲，可以形成为任意曲面形状。”（스페이서 부재(36b)의 선단은 평탄하지 않고 만곡되어 있다.…반구형상이어도 되지만…） | 对比文件明确公开了间隔物顶部（间隔物部件尖端）具有半球形，即半球形部分，因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分<br>《直接公开》 | [21]同上，记载了间隔物部件尖端为弯曲形状，且可以是半球形。 | 对比文件明确公开了半球形部分包含弯曲形状，与目标专利的定义完全一致，因此直接公开。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹<br>《未公开》 | 对比文件全文未记载任何关于曲率数值的内容。 | 对比文件虽然公开了弯曲形状，但完全没有公开曲率的大小，更未提及最大曲率为150mm⁻¹或更小的具体范围。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出该特征。因此未公开。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物<br>《直接公开》 | [16]记载“柱状间隔物(36)”；[28]记载“间隔物用底座(36a)的高度为1.0~3.0μm，间隔物部件(36b)的高度为1.0~3.0μm”，间隔物总高度为两者之和，明显大于半球形部分（间隔物部件）的高度。 | 对比文件公开了间隔物为柱状（기둥 형상），并由底座和半球形部件构成，总高度大于半球形部分的高度，完全符合目标专利的特征。因此直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小<br>《未公开》 | [28]记载半球形部分（间隔物部件）高度为1.0~3.0μm；全文未记载间隔物占据的面积比率。 | 对比文件中半球形部分的高度范围（1~3μm）远小于目标专利要求的5~20μm，且完全未涉及面积比率。因此未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及标准间距P、标准偏差等概念。 | 对比文件没有公开间隔物的间距分布或标准偏差，因此未公开。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及间距分布图或正态分布。 | 对比文件没有公开间隔物间距呈正态分布或任何分布图，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上<br>《未公开》 | 对比文件全文未涉及分布图的坐标定义。 | 对比文件完全没有公开间隔正态分布图及其坐标含义，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及半高宽、最大高度等参数。 | 对比文件没有公开分布图的半高宽范围及最大高度等特征，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹<br>《未公开》 | 对比文件[21]仅描述尖端为弯曲或半球形，未提及平坦部分（曲率为0）。 | 对比文件公开的半球形部分未包含曲率为0的平坦轨迹，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内<br>《未公开》 | 对比文件全文未记载半球形部分的宽度数值。 | 对比文件没有公开半球形部分的宽度范围，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分<br>《未公开》 | 对比文件[16][12]等仅描述间隔物由底座和半球形部件构成，底座形状未描述为渐缩弯曲。 | 对比文件没有公开间隔物底部具有特定曲率中心在外部的渐缩弯曲部分，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形<br>《隐含公开》 | [24]记载：“最后，形成覆盖显示区域整个面的配向膜。”（마지막으로, 표시 영역의 전체면을 피복하도록 배향막을 형성한다.） | 对比文件公开了配向膜覆盖整个显示区域，由于间隔物位于显示区域内，配向膜必然覆盖间隔物；而间隔物顶部已明确为半球形（[21]），因此配向膜在间隔物上的顶部自然顺应形成半球形。本领域技术人员可合理推断出该特征，因此隐含公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小<br>《未公开》 | 对比文件全文未记载配向膜的任何曲率。 | 对比文件没有公开配向膜的曲率数值或范围，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹<br>《未公开》 | 对比文件全文未涉及配向膜轨迹包含平坦部分。 | 对比文件没有公开配向膜顶部半球形轨迹包含曲率为0的部分，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内<br>《未公开》 | 对比文件全文未记载配向膜的高度。 | 对比文件没有公开配向膜的高度范围，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内<br>《未公开》 | 对比文件全文未记载配向膜的宽度。 | 对比文件没有公开配向膜的宽度范围，因此未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时<br>《未公开》 | 对比文件全文未公开间隔物的选择性连接形成闭合图形。 | 对比文件没有公开任何关于间隔物选择规则（三个、四个或六个）形成闭合图形的特征，因此未公开。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时<br>《未公开》 | 对比文件全文未公开闭合图形为三角形、四边形或六边形。 | 对比文件没有公开间隔物连接形成三角形、四边形或六边形的条件，因此未公开。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物<br>《未公开》 | 对比文件全文未公开闭合图形内部无间隔物的条件。 | 对比文件没有公开闭合图形内部无其他间隔物的限制，因此未公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及闭合图形边长不一致。 | 对比文件没有公开间隔物排列中闭合图形的边长具有差异，因此未公开。 |
综上，对比文件直接公开技术特征A、B、C、D、F；隐含公开技术特征O；其余技术特征E、G、H、I、J、K、L、M、N、P、Q、R、S、T、U、V、W均未被公开。
<<<A>>> <<<B>>> <<<C>>> <<<D>>> <<<F>>> <<<o>>>