对比文件名称：2011-08-11_DE102010007695A_发明专利_DE102010007695A1 Rückseitenkontaktierte Solarzelle mit unstrukturierter Absorberschicht
目标专利名称：1655太阳能电池CN107845689B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板《直接公开》 | 对比文件“AUSFÜHRUNGSBEISPIELE”部分描述：“吸收层02在晶圆03的形式”，吸收层02由半导体材料形成，例如晶体硅。 | 目标专利的半导体基板为晶体硅基板，用于吸收光并产生载流子。对比文件的吸收层02同样为晶圆形式的半导体基板，材质和功能与目标专利的半导体基板实质相同，因此本领域技术人员可以毫无疑义地确定该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成《未公开》 | 对比文件未公开由介电材料形成的整面控制钝化膜。其背侧钝化层15为本征导电的非晶硅（半导体），非介电材料；绝缘栅格09为介电材料但为图案化栅格，非整面，且不位于半导体基板的一个表面上作为控制钝化膜。 | 目标专利的控制钝化膜是介电材料整面形成于半导体基板后表面，用于控制掺杂剂扩散和载流子传送。对比文件没有这样的膜，其背侧钝化层15为导电半导体，绝缘栅格09为图案化且位于吸收层与发射极层之间，作用不同，因此未公开。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域《未公开》 | 对比文件公开了发射极层07，为单一导电类型（与吸收层相反），未公开包含两个相反导电区域的半导体层。 | 目标专利的半导体层包含交替的p型和n型区域，形成后接触结构。对比文件仅有一个整面发射极层，未形成两个导电区域，因此未公开。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域《未公开》 | 对比文件明确强调没有扩散区域（说明书“AUFGABENSTELLUNG”部分：“在吸收层内扩散的BSF区域完全省略”）。 | 目标专利的扩散区域是通过掺杂剂从导电区域扩散进入半导体基板形成的。对比文件避免任何扩散区域，因此未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 同D，无扩散区域。 | 未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 同D，无扩散区域。 | 未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域《直接公开》 | 对比文件“AUSFÜHRUNGSBEISPIELE”部分描述：“吸收层02例如是p型掺杂（正掺杂），发射极层07则相应为n型掺杂（负掺杂）”。 | 目标专利的基极区域为半导体基板的主体，具有第二导电类型（如p型）。对比文件的吸收层02具有确定的导电类型，作为基极区域，两者实质相同，直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分《未公开》 | 对比文件无扩散区域，也无控制钝化膜中的掺杂部分。 | 未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜《未公开》 | 对比文件未公开控制钝化膜，其背侧钝化层15为本征非晶硅，但非控制钝化膜。 | 未公开。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜《直接公开》 | 对比文件“AUSFÜHRUNGSBEISPIELE”部分描述：“前侧电绝缘钝化层19，例如硅氧化物或硅氮化物”。 | 目标专利的绝缘膜例如前钝化膜、抗反射膜等。对比文件的前侧绝缘层19为电绝缘膜，直接位于半导体基板或半导体层上，功能类似，直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分《未公开》 | 对比文件无控制钝化膜，无法比较。 | 未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分《未公开》 | 对比文件无控制钝化膜中的掺杂部分。 | 未公开。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件无扩散区域，也无控制钝化膜，无法形成所述掺杂分布。 | 未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚《未公开》 | 同M。 | 未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间《未公开》 | 同D。 | 未公开。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分《未公开》 | 对比文件未公开势垒区域，其绝缘栅格09可能类似但结构不同且不涉及控制钝化膜中未掺杂部分。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 无扩散区域。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒《未公开》 | 对比文件公开的半导体层如发射极层07或钝化层15为氢化非晶硅（a-Si:H），未公开多晶结构纳米晶粒。 | 目标专利的半导体层包括纳米晶粒的多晶部分，对比文件无此结构，未公开。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小《未公开》 | 无相应结构。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 无相应结构。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度《未公开》 | 无扩散区域。 | 未公开。 |
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