对比文件的名称：2015-03-12_US2015068591A_发明申请_US20150068591A1 SHALLOW JUNCTION PHOTOVOLTAIC DEVICES
目标专利的名称：1655太阳能电池CN107845689B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（段落标号，翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板（直接公开）** | [0045]：“Referring to FIG. 2, an illustrative structure of a photovoltaic device 10 with a substrate 12 is shown.” 翻译：参照图2，示出了具有基板12的光伏器件10的示例性结构。<br>[0062]：“Cell 100 includes an n-type crystalline substrate 102.” 翻译：电池100包括n型晶体基板102。 | 对比文件明确公开了太阳能电池包括半导体基板（12/102），因此该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成（未公开）** | [0074]：“The substrate 102 is passivated with oxide, nitride, or other insulating materials... to form passivation layers 140 and 142.” 翻译：基板102用氧化物、氮化物或其他绝缘材料钝化……以形成钝化层140和142。<br>[0080]：“the passivation layers 142 and 144 are removed from the substrate 102.” 翻译：钝化层142和144被从基板102去除。 | 对比文件虽在基板表面形成过钝化层（140/142），但该层是临时掩模，最终被去除，并非永久存在的控制钝化膜。目标专利的控制钝化膜是永久性位于基板与半导体层之间、用于控制掺杂剂扩散与载流子传输的介电膜。对比文件最终器件中不存在这种膜，也未暗示其存在。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域（未公开）** | [0046]：“The front side 30 of the substrate 12 includes an epitaxially grown junction 14, which includes doping above 10¹⁹ cm⁻³.” 翻译：基板12的前侧30包括外延生长的结14，其掺杂浓度高于10¹⁹ cm⁻³。<br>[0063]：“The junctions 104 and 106 are formed by doped epitaxial layers 112 and 114, which are respectively p+ doped and n+ doped.” 翻译：结104和106由掺杂外延层112和114形成，分别为p+掺杂和n+掺杂。 | 对比文件中的半导体层（外延层）直接生长在基板上，中间没有控制钝化膜。目标专利的半导体层位于控制钝化膜上，控制钝化膜介于基板与半导体层之间。对比文件未公开该结构，也未隐含公开。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域（未公开）** | [0029]：“shallow junctions essentially having a depth equal to that of the epitaxial layer thickness.” 翻译：浅结的深度基本等于外延层厚度。 | 对比文件形成的结深由外延层厚度决定，掺杂剂未显著扩散进入基板，因此基板内部不存在由外延层掺杂剂扩散形成的扩散区域。目标专利的扩散区域是通过掺杂剂从半导体层穿过控制钝化膜扩散进入基板形成的。对比文件无此结构，也未隐含公开。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度（未公开）** | 对比文件未公开扩散区域，无相关原文。 | 由于对比文件未公开任何扩散区域，该技术特征无从谈起，未被公开。 |
| **技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度（未公开）** | 对比文件未公开扩散区域，无相关原文。 | 同特征E，未被公开。 |
| **技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域（直接公开）** | [0052]：“If the substrate 12 includes p type doping, ...” 翻译：如果基板12包括p型掺杂，……<br>[0062]：“Cell 100 includes an n-type crystalline substrate 102.” 翻译：电池100包括n型晶体基板102。 | 对比文件明确公开基板具有特定的导电类型（n型或p型），即基极区域，因此该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分（未公开）** | 对比文件未公开扩散区域及控制钝化膜的掺杂部分，无相关原文。 | 特征H包含两个部分：扩散区域厚度关系和控制钝化膜中的掺杂部分。对比文件既未公开扩散区域，也未公开控制钝化膜及其掺杂部分，因此该特征整体未被公开。 |
| **技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜（未公开）** | 对比文件未公开位于基板表面上的控制钝化膜，无相关原文。 | 对比文件未公开控制钝化膜，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜（直接公开）** | [0068]：“An anti-reflection coating 136 may be formed on the passivation layer 134. The anti-reflection coating 136 may include hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H), ...” 翻译：抗反射涂层136可形成在钝化层134上，可包括氢化非晶氮化硅。<br>[0083]：“The backside is passivated with passivation layer 116.” 翻译：背面用钝化层116钝化。 | 对比文件公开了在半导体基板或半导体层上形成绝缘膜（如抗反射涂层136、钝化层116等），因此该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分（未公开）** | 对比文件未公开控制钝化膜，无相关原文。 | 由于对比文件未公开控制钝化膜，该特征涉及的比较和掺杂部分均无从谈起，未被公开。 |
| **技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分（未公开）** | 对比文件未公开控制钝化膜中的掺杂部分，无相关原文。 | 对比文件未公开控制钝化膜，也未公开其中的掺杂部分，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值（未公开）** | 对比文件未公开扩散区域及控制钝化膜，且掺杂分布特征不同，无相关原文。 | 对比文件中外延层掺杂浓度均匀，基板内无扩散区域，不存在目标专利所述掺杂浓度连续减小及梯度差异，该特征未被公开。 |
| **技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚（未公开）** | 对比文件未公开扩散区域，无相关原文。 | 对比文件未公开扩散区域，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间（未公开）** | 对比文件未公开扩散区域，无相关原文。 | 对比文件未公开扩散区域，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分（未公开）** | 对比文件IBC结构中，p+和n+区域之间由钝化层覆盖，但未设置势垒区域，且控制钝化膜不存在。无相关原文支持。 | 对比文件未公开位于第一导电区域和第二导电区域之间的势垒区域，也未公开控制钝化膜中的未掺杂部分，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值（未公开）** | 对比文件未公开扩散区域，无相关原文。 | 对比文件未公开扩散区域，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒（未公开）** | [0046]：“The junction 14 may include monocrystalline Si.” 翻译：结14可包括单晶硅。<br>[0053]：“epitaxial layers 14 and 22 are grown... resulting in monocrystalline layers.” 翻译：外延层14和22生长为单晶层。 | 对比文件的外延层是单晶，而非多晶，且晶粒尺寸非纳米级。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小（未公开）** | 对比文件未公开控制钝化膜和扩散区域，故无相关原文。 | 对比文件中外延层掺杂浓度均匀，基板内无扩散区域，且无控制钝化膜，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值（未公开）** | 对比文件未公开控制钝化膜和扩散区域，故无相关原文。 | 对比文件无此掺杂分布，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度（未公开）** | [0029]：“shallow junctions essentially having a depth equal to that of the epitaxial layer thickness.” 翻译：浅结的深度基本等于外延层厚度。<br>[0046]：“The doped epitaxial layer 14 has a thickness of less than 10 nm, with less than 5 nm being preferred.” 翻译：掺杂外延层14的厚度小于10nm，优选小于5nm。 | 对比文件中外延层厚度远小于100nm，且无扩散区域，因此该特征未被公开。 |
**公开性总结**
- 直接公开的特征：A、G、J
- 未公开的特征：B、C、D、E、F、H、I、K、L、M、N、O、P、Q、R、S、T、U
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