对比文件名称：2015-05-14_US2015129037A_发明申请_US20150129037A1 SOLAR CELL
目标专利名称：1655太阳能电池CN107845689B
模型名称：当前AI模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板《直接公开》 | 【0057】“太阳能电池150包括半导体基板10，该半导体基板包括基区110”。 | 对比文件明确记载了太阳能电池包括半导体基板，该特征与本技术特征完全相同，且作用一致（作为光电转换的基础主体）。本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成《直接公开》 | 【0063】“隧穿层20形成在半导体基板10的后表面上……隧穿层20可包括各种允许载流子隧穿的材料，例如氧化物、氮化物、半导体、导电聚合物等。例如，隧穿层20可包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、本征非晶硅、本征多晶硅等”。【0064】“隧穿层20的厚度T1小于绝缘膜40的厚度”。 | 对比文件公开了在半导体基板后表面上的隧穿层，其材料包括硅氧化物、硅氮化物等介电材料。隧穿层位于半导体基板与导电类型区域之间，起到钝化和载流子传输作用，与本技术特征中的控制钝化膜（由介电材料形成，位于半导体基板表面）在结构和材料上实质相同。尽管名称不同，但本领域技术人员可以确定对比文件公开了该特征。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域《直接公开》 | 【0057】“导电类型区域32和34设置在隧穿层20上”。【0065】“导电类型区域可包括第一导电类型区域32和第二导电类型区域34”。【0067】“第一导电类型区域32在半导体基板10上（更具体地在隧穿层20上）单独形成，并形成为掺杂有第一导电类型掺杂剂的半导体层”。【0070】类似地描述第二导电类型区域34为掺杂的半导体层。 | 对比文件明确公开了在隧穿层（控制钝化膜）上设置有半导体层，该半导体层被划分为第一导电类型区域和第二导电类型区域，分别具有相反的导电类型。其形成方式（在隧穿层上沉积并掺杂）和目标专利一致。该特征被直接公开。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域《未公开》 | 对比文件在图2所示的具有隧穿层的实施例中，半导体基板10内未记载与隧穿层相邻且与导电类型区域对应的扩散区域。仅在图8（无隧穿层）实施例中，导电类型区域为基板内的掺杂区域，但不符合“控制钝化膜上的半导体层”的前提。 | 对比文件在具有隧穿层（对应控制钝化膜）的结构中，没有公开在半导体基板内部形成额外的扩散区域。扩散区域是本技术特征的核心，其通过掺杂剂从导电区域穿过控制钝化膜扩散而形成。对比文件未记载或暗示这一结构，本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该特征。因此未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 同特征D，对比文件未公开扩散区域。无相关原文。 | 由于特征D未被公开，该从属特征自然也未被公开。对比文件中没有任何关于局部扩散区域及其与导电区域掺杂浓度比较的教导。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 同特征D及E，无相关原文。 | 理由同特征E，未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域《直接公开》 | 【0058】“半导体基板10可包括基区110，该基区包括第二导电类型掺杂剂，掺杂浓度相对较低”。 | 对比文件直接记载了基极区域（基区110）具有第二导电类型（例如n型或p型），与目标专利的基极区域相同。因此直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域，也未公开控制钝化膜中的掺杂部分。无相关原文。 | 由于特征D未公开，扩散区域的厚度比较无法成立。另外，对比文件的隧穿层（控制钝化膜）未显示有选择性掺杂的部分（第一掺杂部分、第二掺杂部分），整个隧穿层为均质未掺杂材料。因此该特征完全未被公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜《隐含公开》 | 【0063】列举隧穿层材料包括硅氧化物（silicon oxide）。【0064】提及隧穿层厚度很薄（0.5-10nm）。 | 对比文件未明确隧穿层的晶体结构，但本领域技术人员公知，通过热氧化或沉积形成的硅氧化物（尤其是薄层）通常具有非晶结构。对比文件未排除非晶结构，且该隧穿层与目标专利的控制钝化膜在材料（硅氧化物等）和位置（与半导体基板直接接触）上相似，因此可以合理推断其具备非晶结构。尽管未直接写明，但根据本领域普遍认知，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜《直接公开》 | 【0057】“太阳能电池150还可包括钝化膜24、抗反射膜26和绝缘层40（或背面钝化膜）”。【0078】【0079】进一步描述绝缘层40形成在导电类型区域和势垒区域上。 | 对比文件明确公开了多种绝缘膜（前钝化膜、抗反射膜、背面绝缘层），它们形成在半导体基板或半导体层上。因此直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分《未公开》 | 【0064】“为了获得足够的隧穿效应，隧穿层20的厚度T1小于绝缘膜40的厚度”。（直接公开厚度关系）。但对比文件全文未提及隧穿层具有比绝缘膜更高的掺杂浓度部分。 | 对比文件只公开了隧穿层比绝缘膜薄，未公开隧穿层具有掺杂浓度高于绝缘膜的部分。该特征需要同时满足厚度比较和掺杂浓度比较，由于掺杂浓度部分完全未公开，且不能从对比文件合理推断（对比文件中隧穿层未被掺杂），因此整体未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分《未公开》 | 对比文件没有公开控制钝化膜中的掺杂部分，也无高掺杂/低掺杂的划分。无相关原文。 | 特征L依赖于掺杂部分的存在，对比文件未公开，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件没有公开扩散区域，也无相关掺杂分布描述。 | 由于对比文件不具有特征D所述的扩散区域，无法进行该掺杂浓度分布的比对，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚《未公开》 | 同特征D，无扩散区域。 | 未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间《未公开》 | 无相关原文。 | 未公开。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分《直接公开》 | 【0072】“势垒区域36被设置在第一导电区域32和第二导电区域34之间，以使第一导电区域32与第二导电区域34绝缘”。【0063】“隧穿层20形成在半导体基板10的整个后表面上”。整个隧穿层未显示被掺杂，因此位于势垒区域下方的部分为未掺杂。 | 对比文件直接公开了势垒区域位于第一和第二导电区域之间。同时，由于该势垒区域下方的隧穿层（控制钝化膜）作为一层连续膜且未被掺杂，因此该部分即为未掺杂部分。本领域技术人员可直接得出该结构，故直接公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 无扩散区域，无相关原文。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒《直接公开》 | 【0067】“第一导电类型区域32可通过掺杂非晶半导体、微晶半导体或多晶半导体形成”。【0070】类似描述第二导电类型区域。 | 对比文件明确公开了半导体层可以是微晶半导体（micro-crystalline semiconductor）。在半导体技术中，微晶硅通常由纳米尺寸晶粒（一般小于100nm）构成，其本质属于多晶结构的一种并具有纳米晶粒。目标专利说明书中也引用了微晶硅作为实现纳米晶粒的示例。因此，本领域技术人员可以直接确定该特征被公开。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小《未公开》 | 无相关公开。 | 由于对比文件没有扩散区域且控制钝化膜未掺杂，无法形成从导电区域经控制钝化膜到扩散区域的连续递减掺杂分布，因此未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 无相关公开。 | 未公开。 |
## 公开性代码
根据上述判断，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、G、J、P、R，隐含公开了技术特征I。其他技术特征未被公开。对应代码如下：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<G>>><<<J>>><<<P>>><<<R>>>
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