对比文件名称：2015-08-06_JP2015144149A_发明专利_JP2015144149A 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
目标专利名称：1655太阳能电池CN107845689B
本次调用的模型名称：Claude
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板**<br>《直接公开》 | 【0020】“单结晶半导体基板であるn型シリコン基板10”<br>翻译：作为单晶半导体基板的n型硅基板10。 | 对比文件明确公开了作为半导体基板的n型硅基板（n型シリコン基板10），该基板是太阳能电池的组成部分，与目标专利中的半导体基板作用相同（作为衬底）。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成**<br>未公开 | 【0025】“n型領域16およびp型領域17上には、パッシベーション層18が形成されている。パッシベーション層18としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどが用いられ”<br>翻译：在n型区域16和p型区域17上形成有钝化层18。钝化层18使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝等。 | 对比文件公开的钝化层18由介电材料形成，但其位于基板的掺杂区域上，而非直接位于基板表面并与导电区域（半导体层）接触，该钝化层主要起钝化绝缘作用，不具备目标专利中控制钝化膜“控制掺杂剂扩散并允许载流子传送”的核心功能。目标专利中的控制钝化膜是特意形成在基板与半导体层之间的功能层，因此对比文件的钝化层不能等同于控制钝化膜。该特征未被公开。 |
| **技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域**<br>未公开 | 全文未公开。 | 对比文件中，导电区域（n型区域16、p型区域17）直接形成在半导体基板内部（通过离子注入和扩散），不存在独立于基板的半导体层。没有公开任何位于控制钝化膜上的半导体层结构。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域**<br>未公开 | 【0020】-【0024】公开了p+区域11、n型区域16（包括混在区域15和n+区域14）等扩散区域，但这些区域直接与钝化层18相邻，而非与控制钝化膜相邻。 | 目标专利中的扩散区域是半导体基板中与导电区域（在半导体层中）相对应的低掺杂区域，且位于控制钝化膜下方。对比文件没有公开控制钝化膜，其扩散区域（高掺杂的p+、n+）直接与钝化层相邻，且对应关系及作用均不同。由于缺少“控制钝化膜”这一前提，该特征未被公开。 |
| **技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度**<br>未公开 | 参见【0020】-【0024】，对比文件中的p+区域11（第一导电类型）为高掺杂，且无独立的第一导电区域与之对应；所有扩散区域均为高掺杂。 | 目标专利中第一扩散区域是低掺杂区域，其浓度低于第一导电区域（在半导体层中）。对比文件不存在这样的浓度关系，且没有半导体层形成的第一导电区域。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度**<br>未公开 | 同特征E，对比文件的n型区域16（第二导电类型）为高掺杂，无对应的独立第二导电区域。 | 与特征E类似，目标专利的第二扩散区域为低掺杂，对比文件的n型区域为高掺杂，且无半导体层形成的第二导电区域。故该特征未被公开。 |
| **技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域**<br>《直接公开》 | 【0020】“n型シリコン基板10”<br>翻译：n型硅基板10。 | 对比文件明确公开基板为n型硅基板，其具有第二导电类型（n型），作为基极区域。这与目标专利中基极区域为第二导电类型完全对应。因此直接公开。 |
| **技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且其中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分**<br>未公开 | 【0024】“n型領域16は、p型領域17よりも、受光面と反対側の面の表面からみて深い位置まで形成されている”<br>翻译：n型区域16比p型区域17在从背面看时形成在更深的位置。<br>【0025】-【0041】未公开控制钝化膜中的掺杂部分。 | 对比文件公开了n型区域（相当于第二扩散区域）比p型区域（相当于第一扩散区域）更厚/更深，但该厚度比较仅存在于高掺杂区域，而非低掺杂区域；更重要的是，对比文件没有公开任何在控制钝化膜中的掺杂部分（第一掺杂部分和第二掺杂部分）。该特征包含两个子特征，第二子特征完全不公开，因此整体未公开。 |
| **技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜**<br>未公开 | 全文未涉及钝化层18的晶体结构。 | 对比文件未描述钝化层18的晶体结构（非晶或结晶），也未给出任何暗示其具有非晶结构或部分结晶结构。目标专利中控制钝化膜的非晶结构是专门通过特定工艺条件形成的，对比文件对此无记载。故该特征未被公开。 |
| **技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜**<br>《直接公开》 | 【0025】“パッシベーション層18”<br>【0027】“反射防止膜21”<br>翻译：钝化层18；抗反射膜21。 | 对比文件在半导体基板上形成了钝化层18和抗反射膜21，这些均为绝缘膜。因此直接公开了在半导体基板上的绝缘膜（目标专利中该绝缘膜可以是钝化膜或抗反射膜等）。 |
| **技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且其中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分**<br>未公开 | 全文未公开控制钝化膜与绝缘膜的厚度比较，也未公开控制钝化膜中含有掺杂浓度高于绝缘膜的部分。 | 对比文件没有控制钝化膜，也未涉及钝化层（可视为绝缘膜）的厚度比较或其中掺杂浓度差异。故该特征未被公开。 |
| **技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分**<br>未公开 | 全文未公开控制钝化膜中的掺杂部分存在浓度差异。 | 对比文件未公开控制钝化膜的存在，更没有提及在钝化膜中具有低掺杂部分和高掺杂部分。故该特征未被公开。 |
| **技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且其中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值**<br>未公开 | 全文未公开如此的三层结构及其浓度梯度关系。 | 目标专利的该特征涉及导电区域（半导体层）、控制钝化膜和扩散区域（基板）三层结构中的特定浓度分布。对比文件不存在这种三层堆叠及对应的浓度梯度比较。故该特征未被公开。 |
| **技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚**<br>未公开 | 全文未公开厚度比较。 | 对比文件中扩散区域（p+、n+）与导电区域（未单独形成，为基板本身）无厚度可比。目标专利的扩散区域和导电区域位于不同层且厚度关系有特定定义，对比文件未公开。故未被公开。 |
| **技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间**<br>未公开 | 【0022】-【0024】公开n型区域16和p型区域17为相邻或连续的区域，未被基极区域隔开。 | 目标专利中第一和第二扩散区域在水平方向上间隔排列，基极区域位于两者之间。对比文件中，p+区域全面形成，n型区域选择性地形成于其中，因此两者直接毗邻，不存在由低掺杂基极区域分隔的间隔。故该特征未被公开。 |
| **技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且其中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分**<br>未公开 | 全文未公开势垒区域及控制钝化膜中的未掺杂部分。 | 对比文件没有势垒区域（例如本征区或绝缘区）位于p型区域和n型区域之间，也没有任何在钝化膜中对应势垒区域的未掺杂部分。故该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值**<br>未公开 | 全文未公开两扩散区域浓度梯度的比较。 | 对比文件未对不同扩散区域的浓度梯度进行比较，虽然给出了n型区域的浓度曲线（图3），但未分析其与p型区域梯度之间的绝对值大小关系。故该特征未被公开。 |
| **技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒**<br>未公开 | 全文未公开任何半导体层（额外沉积层）及其晶体结构。 | 对比文件仅在基板内部形成扩散区域，没有在基板表面形成额外的半导体层（如多晶硅层）。因此完全没有公开具有纳米晶粒的多晶半导体层。该特征未被公开。 |
| **技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小**<br>未公开 | 全文未公开跨越多层的连续减小分布。 | 对比文件的掺杂浓度分布是在基板内部的单一结构中（n型区域或p型区域），不存在导电区域→控制钝化膜→扩散区域的跨层浓度分布。故该特征未被公开。 |
| **技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且其中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值**<br>未公开 | 全文未公开控制钝化膜相邻区域的不同掺杂分布及梯度比较。 | 目标专利的该特征是基于控制钝化膜两侧具有不同浓度梯度的分布，对比文件没有控制钝化膜及相应的多层分布，因此毫无公开。故该特征未被公开。 |
| **技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度**<br>未公开 | 【0022】“混在領域15はイオン注入したn型シリコン基板表面から200〜300nmの深さまで形成されている。”<br>【0038】“混在領域34は、イオン注入したn型シリコン基板表面から100〜200nmの深さまで形成されている。”<br>翻译：混在区域15从注入表面形成到200-300nm的深度；混在区域34从注入表面形成到100-200nm的深度。 | 对比文件公开了“混在区域”的厚度在100-300nm范围内，但混在区域是n型区域的一部分，属于高掺杂区域（包含n型和p型掺杂剂），并非目标专利中定义的、作为低掺杂区域的“第一扩散区域”或“第二扩散区域”。且对比文件没有扩散区域与导电区域的厚度比较。因此该厚度范围不能对应目标专利的特征。故该特征未被公开。 |
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### 输出代码（直接公开的技术特征）
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