**对比文件名称**：2016-07-07_WO2016107661A_发明申请_WO2016107661A1 LASERDOTIERUNG VON HALBLEITER
**目标专利名称**：1655太阳能电池CN107845689B
**本次调用的模型名称**：GPT-4-1106-preview
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板《直接公开》 | [0005]“Ein Siliziumwafer (monokristallin, multikristallin oder quasi-monokristallin, Basisdotierung p- oder n-Typ)”翻译：“一个硅晶圆（单晶、多晶或准单晶，基极掺杂p型或n型）” | 对比文件明确公开了作为太阳能电池基板的硅晶圆，即半导体基板。因此直接公开。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成《无公开》 | 对比文件中多处提及抗反射层、钝化层，但未公开位于基板表面用于控制掺杂扩散并具有特定功能的介电控制钝化膜。例如[0042]的SiNₓ抗反射层，其厚度及作用不同于目标专利。 | 目标专利的控制钝化膜是超薄（≤5nm）、非晶、用于控制掺杂剂扩散和载流子传输的特殊介电膜。对比文件未公开此类膜，本领域技术人员无法由其合理推断得出该特征。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域《无公开》 | 对比文件中所有掺杂区域（如发射极、背场）均直接形成在硅基板中，未描述在控制钝化膜上另行设置半导体层。 | 目标专利的半导体层是独立于基板的层（如多晶硅），通过掺杂形成导电区域。对比文件采用直接在基板中掺杂，未公开该层结构。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域《无公开》 | 对比文件公开了基板中的扩散区域，但无控制钝化膜，因此扩散区域直接与基板表面相邻，而非与控制钝化膜相邻。 | 由于缺失控制钝化膜，特征D中“与控制钝化膜相邻”的技术限定无法从对比文件获得。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《无公开》 | 对比文件[0108]等描述了选择性发射极，具有局部重掺杂和轻掺杂区域，但重掺杂区与轻掺杂区均位于基板内，不存在分离的“第一导电区域”（半导体层）。 | 目标专利中第一导电区域为半导体层中的区域，第一扩散区域为基板中对应区域且浓度较低。对比文件未公开该分离对应的关系。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《无公开》 | 同特征E，对比文件无分离的第二导电区域。 | 对比文件未公开该对应结构。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域《直接公开》 | [0005]“Basisdotierung p- oder n-Typ”翻译：“基极掺杂p型或n型” | 对比文件明确指出硅晶圆具有特定类型的基极掺杂，即基极区域。因此直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分《无公开》 | 对比文件[0192]等给出扩散深度约1.0-1.5μm，但未比较不同极性区域厚度；未提及控制钝化膜及其掺杂部分。 | 对比文件未公开不同扩散区域厚度比较，更未公开控制钝化膜内的掺杂部分。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜《无公开》 | 对比文件未描述任何关于控制钝化膜的晶体结构。 | 无公开。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜《直接公开》 | [0042]“Beschichtung der Frontseite mit einer Antireflexionsschicht”翻译：“用抗反射涂层涂覆前表面”，该涂层通常为SiNₓ等绝缘膜。 | 对比文件明确公开了在基板前表面形成绝缘抗反射膜，此外后表面也可能存在钝化绝缘膜。因此直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分《无公开》 | 对比文件无控制钝化膜，也无相关比较。 | 无公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分《无公开》 | 对比文件未公开控制钝化膜内的掺杂部分。 | 无公开。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《无公开》 | 对比文件[0124]给出了掺杂浓度随深度变化的曲线（如ECV、SIMS），但未涉及控制钝化膜及分离导电区域的梯度关系。 | 目标专利的该掺杂分布特征依赖于控制钝化膜和半导体层的叠层结构，对比文件未公开此结构。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚《无公开》 | 对比文件无分离导电区域，无法比较。 | 无公开。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间《隐含公开》 | [0146]“Es werden aus der angetrockneten Dotiertinte mittels Laserstrahldotierung Streifen einer Polarität neben solchen mit der entgegengesetzten Polarität erzeugt”翻译：“通过激光掺杂从干燥的掺杂墨水生成一种极性的条带，与相反极性的条带相邻。”[0156]“Vorteilhafter Weise können sich die entgegengesetzten Polaritäten beide auf einer Seite eines Wafers befinden”翻译：“有利地，相反的极性可以都位于晶圆的一侧。” | 对比文件公开了在基板同一侧形成交替极性的掺杂区域（典型如IBC结构）。为形成交替且不短路的图案，第一扩散区域（如p⁺）与第二扩散区域（如n⁺）之间必然存在间隔，该间隔区域即为基极区域（低掺杂或本征）。本领域技术人员据此可合理推断出特征O所述的间隔关系。因此隐含公开。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分《无公开》 | 对比文件未提及势垒区域，也未描述控制钝化膜中的未掺杂部分。 | 无公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《无公开》 | 对比文件[0192]虽给出不同极性掺杂分布，但未比较浓度梯度绝对值大小。 | 无公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒《无公开》 | 对比文件未描述半导体层及其微观结构。 | 无公开。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小《无公开》 | 对比文件[0124]记载了掺杂剂浓度随深度变化，但无控制钝化膜和分离导电区域构成的连续减小关系。 | 无公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值《无公开》 | 对比文件未公开该双重掺杂分布及其梯度关系。 | 无公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度《无公开》 | 对比文件[0192]实施例中扩散深度约1.0-1.5μm，明显大于300nm；且无分离导电区域，无法比较厚度关系。 | 对比文件未公开100-300nm的厚度范围，也未公开与分离导电区域的厚度比较。 |
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