对比文件名称：2007-12-17_KR1020070118389A_发明公开_KR1020070118389A 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치
目标专利名称：1749发光模块CN102456681B
本次调用的模型名称：资深专利代理师AI模型
以下为特征比对表格：
| 第一栏（技术特征描述及公开性判断） | 第二栏（对比文件原文引用，翻译成中文） | 第三栏（公开性论述） |
| 技术特征A：包括金属板，所述金属板在其中形成有空腔《未公开》 | 对比文件[40]描述：“绝缘基板(50)与结合覆盖(70)”，未涉及金属板或空腔；整体未提及金属板。 | 对比文件使用绝缘基板（合成树脂）作为承载结构，未公开金属板，也未公开任何空腔。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该特征。 |
| 技术特征B：在所述空腔上的氮化物绝缘基板《未公开》 | 对比文件[41]：“绝缘基板(50)是绝缘性合成树脂，如PCB”，未提及氮化物绝缘基板，也无空腔。 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板，且不存在空腔，故未公开。 |
| 技术特征C：在所述氮化物绝缘基板上的多个发光器件《未公开》 | 对比文件[40]：“多个发光二极管(60)”，但绝缘基板为合成树脂[41]，非氮化物。 | 虽然对比文件公开了多个发光器件在绝缘基板上，但未使用氮化物绝缘基板，也未在空腔上，故未公开。 |
| 技术特征D：在所述氮化物绝缘基板和所述多个发光器件之间的结合层《未公开》 | 对比文件[43]：“发光二极管(60)的电极(64)直接安置在电路布线(52)的接触孔(54)中”，无结合层。 | 对比文件未公开任何结合层，发光器件直接接触电路布线，故未公开。 |
| 技术特征E：倒圆角，所述倒圆角包围所述氮化物绝缘基板的横向表面的一个部分《未公开》 | 对比文件未记载倒圆角结构。 | 对比文件无此特征，未公开。 |
| 技术特征F：引导突起，所述引导突起在所述金属板上包围所述空腔，其中所述引导突起包括非透射性无机材料《未公开》 | 对比文件[40]：“结合覆盖(70)具有二极管通孔(72)”，但结合覆盖为绝缘材料，非无机非透射性材料，且未包围空腔。 | 对比文件未公开引导突起，也未公开非透射性无机材料，故未公开。 |
| 技术特征G：所述金属板上的绝缘层《未公开》 | 对比文件[40]：“绝缘基板(50)”，但该基板是绝缘材料本身，并非设置在金属板上的绝缘层。 | 对比文件未公开金属板，也没有在金属板上设置绝缘层，故未公开。 |
| 技术特征H：基板焊盘，所述基板焊盘在所述绝缘层上被电连接到所述发光器件中的至少一个《未公开》 | 对比文件[40][42]：“电路布线(52)形成在绝缘基板(50)上，并与发光二极管(60)电连接”，电路布线可视为焊盘，但绝缘基板不是金属板上的绝缘层。 | 特征H建立在特征G（金属板上的绝缘层）基础上，由于特征G未公开，故特征H整体未公开。即使单独考虑，绝缘层材质和设置位置不同，不构成直接或隐含公开。 |
| 技术特征I：阻焊剂，所述阻焊剂暴露所述绝缘层上的所述基板焊盘《未公开》 | 对比文件未记载阻焊剂。 | 对比文件无阻焊剂，未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述氮化物绝缘基板具有比所述空腔的深度大的厚度，以及，其中，所述倒圆角被提供在所述空腔中并且支撑所述氮化物绝缘基板《未公开》 | 对比文件未公开氮化物绝缘基板厚度与空腔深度关系，也未公开倒圆角。 | 未公开。 |
| 技术特征K：其中，所述基板焊盘在所述空腔和所述引导突起之间在所述金属板上被暴露《未公开》 | 对比文件未公开空腔、引导突起及基板焊盘的位置关系。 | 未公开。 |
| 技术特征L：其中，在所述基板焊盘被暴露的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离大于不存在所述基板焊盘的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述阻焊剂具有非透射和非反射性质《未公开》 | 对比文件未记载阻焊剂。 | 未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述氮化物绝缘基板呈现170Kcal/m·h·℃或者更大的导热率《未公开》 | 对比文件未公开绝缘基板导热率，更未提及氮化物基板。 | 未公开。 |
| 技术特征O：进一步包括在所述氮化物绝缘基板和相应的发光器件之间的多个焊盘，所述多个焊盘中的每个焊盘包括至少两个金属层《未公开》 | 对比文件[42]：“电路布线(52)”，未提及多层金属层结构。 | 对比文件未公开焊盘的多层金属层，未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述至少两个金属层的最上层包括金或者包括金的合金层《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述至少两个金属层的总厚度在0.45μm到0.75μm的范围内《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述多个发光器件被顺序地布置成Z字形图案《未公开》 | 对比文件[24]描述LED在基板上“一(ㅡ)字形状”排列，未公开Z字形。 | 对比文件公开的是一字排列，未教导或暗示Z字形图案，故未公开。 |
| 技术特征S：其中，所述多个发光器件相互串联连接《直接公开》 | 对比文件[42]：“电路布线被设计为使得多个发光二极管(60)可以被串联连接”（原文：다수의 발광다이오드(60)가 직렬 연결될 수 있도록 배선이 설계된다.）。 | 对比文件明确记载了多个发光二极管串联连接的技术特征，本领域技术人员能够直接、毫无疑义地确定，因此直接公开。 |
| 技术特征T：进一步包括齐纳二极管，所述齐纳二极管被并联连接到所述多个发光器件并且被设置在所述金属板上《未公开》 | 对比文件未记载齐纳二极管。 | 未公开。 |
| 技术特征U：进一步包括温度传感器，所述温度传感器与所述多个发光器件电隔离并且呈现通过从所述多个发光器件发射的热而变化的电阻《未公开》 | 对比文件未记载温度传感器。 | 未公开。 |
| 技术特征V：其中，所述温度传感器被设置在距所述空腔5mm或者更小的距离内《未公开》 | 对比文件未公开温度传感器及空腔。 | 未公开。 |
| 技术特征W：其中，所述温度传感器被从所述引导突起向外设置《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征X：其中，所述温度传感器被安装在所述氮化物绝缘基板上《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述温度传感器被掩埋在所述金属板的所述绝缘层中《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征Z：其中，在所述绝缘层中掩埋的所述温度传感器被从所述引导突起向内设置《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
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