对比文件的名称：2009-10-22_US2009261356A_发明申请_US20090261356A1 Sub-Mount, light emitting diode package and manufacturing method thereof
目标专利的名称：1749发光模块CN102456681B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括金属板，所述金属板在其中形成有空腔 [未公开] | 对比文件[0034]：“a substrate 30, in which a cavity 32 having reflective surfaces 36 is formed”。（基板30，其中形成有具有反射表面36的空腔32）。 | 对比文件公开了基板具有空腔，但未明确基板为金属材料。目标专利明确要求金属板，对比文件未直接公开金属板，且本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出基板为金属板，故未公开。 |
| 技术特征B：在所述空腔上的氮化物绝缘基板 [未公开] | 对比文件[0034]：“the sub-mount mounted inside the cavity 32 can include a multiple number of metal bodies 12 on which a multiple number of light emitting diodes 20 are mounted, respectively, where the metal bodies 12 can be electrically disconnected by oxide walls 14”。（安装在空腔内的子安装座包括多个金属体，其上分别安装多个发光二极管，金属体通过氧化壁电隔离）。 | 对比文件公开了子安装座包括金属体和氧化壁，并非氮化物绝缘基板。目标专利的氮化物绝缘基板具有高导热性，对比文件未公开任何类似氮化物绝缘基板的结构，故未公开。 |
| 技术特征C：在所述氮化物绝缘基板上的多个发光器件 [未公开] | 对比文件[0035]：“On the upper surface of each metal body 12, a light emitting diode 20 can be mounted”。（在每个金属体12的上表面，可以安装一个发光二极管20）。 | 对比文件公开了发光器件安装在金属体上，金属体不是氮化物绝缘基板，因此未公开特征C。 |
| 技术特征D：在所述氮化物绝缘基板和所述多个发光器件之间的结合层 [未公开] | 对比文件[0037]：“the anode or cathode can be placed in direct contact with the metal body 12”。（阳极或阴极可以直接接触金属体）。 | 对比文件公开了发光器件直接接触金属体，没有结合层。目标专利的结合层位于氮化物绝缘基板和发光器件之间，对比文件未公开此结构，故未公开。 |
| 技术特征E：倒圆角，所述倒圆角包围所述氮化物绝缘基板的横向表面的一个部分 [未公开] | 对比文件[0034]-[0047]未提及任何倒圆角结构。 | 对比文件没有公开任何倒圆角结构，因此未公开特征E。 |
| 技术特征F：引导突起，所述引导突起在所述金属板上包围所述空腔，其中所述引导突起包括非透射性无机材料 [未公开] | 对比文件[0034]：“reflective surfaces 36”形成在空腔32的侧壁上。 | 对比文件公开了反射表面，但反射表面是反射光，目标专利的引导突起是非透射性无机材料，用于吸收散射光，两者作用不同，且对比文件未公开突起结构，故未公开。 |
| 技术特征G：所述金属板上的绝缘层 [未公开] | 对比文件[0031]提及在子安装座的下表面形成氧化层16，但未公开在金属板上设置绝缘层。 | 对比文件没有公开金属板上的绝缘层，因此未公开特征G。 |
| 技术特征H：基板焊盘，所述基板焊盘在所述绝缘层上被电连接到所述发光器件中的至少一个 [未公开] | 对比文件[0038]提及“if an electrode is formed on the lower surface of the cavity 32”，但该电极并非在绝缘层上，且对比文件未公开绝缘层。 | 对比文件未公开绝缘层，因此也不存在绝缘层上的基板焊盘，故未公开特征H。 |
| 技术特征I：阻焊剂，所述阻焊剂暴露所述绝缘层上的所述基板焊盘 [未公开] | 对比文件未提及阻焊剂。 | 对比文件没有公开任何阻焊剂，因此未公开特征I。 |
| 技术特征J：其中，所述氮化物绝缘基板具有比所述空腔的深度大的厚度，以及，其中，所述倒圆角被提供在所述空腔中并且支撑所述氮化物绝缘基板 [未公开] | 对比文件未公开氮化物绝缘基板，也未公开倒圆角支撑结构。 | 对比文件没有公开氮化物绝缘基板，也没有倒圆角，因此未公开特征J。 |
| 技术特征K：其中，所述基板焊盘在所述空腔和所述引导突起之间在所述金属板上被暴露 [未公开] | 对比文件未公开引导突起，也未公开基板焊盘在空腔和引导突起之间暴露。 | 对比文件没有引导突起，也没有基板焊盘在金属板上暴露的结构，因此未公开特征K。 |
| 技术特征L：其中，在所述基板焊盘被暴露的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离大于不存在所述基板焊盘的一侧处形成的所述引导突起和所述空腔之间的距离 [未公开] | 对比文件未公开相关的距离差异。 | 对比文件没有公开引导突起和空腔之间的距离关系，因此未公开特征L。 |
| 技术特征M：其中，所述阻焊剂具有非透射和非反射性质 [未公开] | 对比文件未公开阻焊剂。 | 对比文件没有阻焊剂，因此未公开特征M。 |
| 技术特征N：其中，所述氮化物绝缘基板呈现170Kcal/m·h·℃或者更大的导热率 [未公开] | 对比文件未公开氮化物绝缘基板，也未公开其导热率。 | 对比文件没有氮化物绝缘基板，因此未公开特征N。 |
| 技术特征O：进一步包括在所述氮化物绝缘基板和相应的发光器件之间的多个焊盘，所述多个焊盘中的每个焊盘包括至少两个金属层 [未公开] | 对比文件[0030]提到“metal bodies 12 of an aluminum material”，但金属体是单层铝，并非多层焊盘。 | 对比文件公开的金属体是单层金属，不是多层焊盘，且没有氮化物绝缘基板，因此未公开特征O。 |
| 技术特征P：其中，所述至少两个金属层的最上层包括金或者包括金的合金层 [未公开] | 对比文件未公开金层。 | 对比文件没有公开多层金属焊盘，更未公开金层，因此未公开特征P。 |
| 技术特征Q：其中，所述至少两个金属层的总厚度在0.45μm到0.75μm的范围内 [未公开] | 对比文件未公开厚度范围。 | 对比文件没有公开多层焊盘厚度，因此未公开特征Q。 |
| 技术特征R：其中，所述多个发光器件被顺序地布置成Z字形图案 [未公开] | 对比文件图5显示四个发光二极管排列成一行，为直线排列，并非Z字形。 | 对比文件图5和说明未公开Z字形排列，因此未公开特征R。 |
| 技术特征S：其中，所述多个发光器件相互串联连接 [隐含公开] | 对比文件[0038]：“an electrical connection may be implemented by wire bonding between the upper surface of a light emitting diode 20 and an adjacent metal body 12”。（可以通过引线键合在发光二极管20的上表面和相邻金属体12之间实现电连接）。此外，[0037]公开了每个发光二极管的下电极与金属体直接接触。 | 对比文件公开了每个发光二极管的下电极接触金属体，上电极通过引线连接到相邻金属体。本领域技术人员根据此描述可以合理推断出多个发光二极管可以形成串联连接：每个发光二极管的下电极与金属体连接，上电极通过引线连接到相邻金属体，而相邻金属体又与下一个发光二极管的下电极连接，从而形成串联。因此，特征S被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征T：进一步包括齐纳二极管，所述齐纳二极管被并联连接到所述多个发光器件并且被设置在所述金属板上 [未公开] | 对比文件未提及齐纳二极管。 | 对比文件没有公开齐纳二极管，因此未公开特征T。 |
| 技术特征U：进一步包括温度传感器，所述温度传感器与所述多个发光器件电隔离并且呈现通过从所述多个发光器件发射的热而变化的电阻 [未公开] | 对比文件未提及温度传感器。 | 对比文件没有公开温度传感器，因此未公开特征U。 |
| 技术特征V：其中，所述温度传感器被设置在距所述空腔5mm或者更小的距离内 [未公开] | 对比文件未公开温度传感器。 | 对比文件没有公开温度传感器，因此未公开特征V。 |
| 技术特征W：其中，所述温度传感器被从所述引导突起向外设置 [未公开] | 对比文件未公开引导突起和温度传感器。 | 对比文件没有公开引导突起和温度传感器，因此未公开特征W。 |
| 技术特征X：其中，所述温度传感器被安装在所述氮化物绝缘基板上 [未公开] | 对比文件未公开氮化物绝缘基板和温度传感器。 | 对比文件没有公开氮化物绝缘基板和温度传感器，因此未公开特征X。 |
| 技术特征Y：其中，所述温度传感器被掩埋在所述金属板的所述绝缘层中 [未公开] | 对比文件未公开绝缘层和温度传感器。 | 对比文件没有公开金属板上的绝缘层和温度传感器，因此未公开特征Y。 |
| 技术特征Z：其中，在所述绝缘层中掩埋的所述温度传感器被从所述引导突起向内设置 [未公开] | 对比文件未公开绝缘层、引导突起和温度传感器。 | 对比文件没有公开相关结构，因此未公开特征Z。 |
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