对比文件名称：2009-07-24_KR1020090080217A_发明公开_KR1020090080217A 질화물계 발광 소자
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：包括发光结构（直接公开） | 对比文件[25]记载：“支撑层50上反射层40，反射层40上第一电极20和半导体层10”。 | 对比文件明确公开了半导体层10，即发光结构，因此直接公开。 |
| 特征B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及有源层（直接公开） | 对比文件[25]记载：“半导体层10由p-型半导体层11、有源层12、n-型半导体层13构成”。 | p-型半导体层对应第二导电半导体层，n-型半导体层对应第一导电半导体层，有源层对应，因此直接公开。 |
| 特征C：发光结构上的透射层（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何透射层。 |
| 特征D：透射层上的荧光材料层（未公开） | 无 | 对比文件没有透射层，因此不存在透射层上的荧光材料层。 |
| 特征E：荧光材料层包括图案（直接公开） | 对比文件[37]记载：“在形成图案的第二电极31之间的半导体层10的表面上可以填充荧光体层61”。 | 荧光体层填充在电极图案之间，形成了图案化的荧光体层，因此直接公开。 |
| 特征F：荧光材料层部分地暴露透射层和发光结构两者；且发光结构垂直设置以与透射层和荧光材料层两者重叠（未公开） | 无 | 对比文件没有透射层，不能满足暴露透射层；且荧光体层未同时暴露透射层和发光结构，因此未公开。 |
| 特征G：荧光材料层被形成在发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上（直接公开） | 对比文件[44]记载：“荧光体层600可以形成在n-型半导体层130上的发光面以及半导体层100的侧面”。[45]记载：“荧光体层600覆盖发光面上的第二电极300外侧和半导体层100的侧面”。 | 明确公开了荧光体层覆盖半导体层侧面，因此直接公开。 |
| 特征H：透射层的底表面设置在发光结构的顶表面上（未公开） | 无 | 对比文件没有透射层。 |
| 特征I：透射层具有2μm至200μm的厚度（未公开） | 无 | 对比文件没有透射层。 |
| 特征J：荧光材料层具有5μm至500μm的厚度（未公开） | 对比文件[31]记载：“如果将薄膜定义为10μm厚度以下的膜，那么上述荧光体层60作为荧光体薄膜进行真空蒸镀”。 | 对比文件仅公开了10μm以下的厚度，未公开5-500μm的完整范围，因此未公开。 |
| 特征K：在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于发光面积的30%至90%的范围内（未公开） | 无 | 对比文件未公开面积比例。 |
| 特征L：发光结构的横向侧面处的荧光材料层包括所述图案（未公开） | 无 | 对比文件未公开侧面荧光体层具有图案。 |
| 特征M：发光结构的横向侧面处的荧光材料层的厚度是被形成在透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小（未公开） | 无 | 对比文件没有透射层，且未公开厚度关系。 |
| 特征N：进一步包括发光结构下面的第二电极（直接公开） | 对比文件[25]记载：“支撑层50上反射层40，反射层40上第一电极20和半导体层10”。 | 第一电极20位于半导体层下方，相当于第二电极，因此直接公开。 |
| 特征O：在发光结构的顶表面上的至少两个第一电极（直接公开） | 对比文件[35]记载：“p-型半导体层13上的第二电极31可以分割成多个形成”，[36]记载：“多个第二电极31可以形成格子图案”。 | 公开了顶表面上的多个电极，因此直接公开。 |
| 特征P：荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；且至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠（未公开） | 无 | 对比文件没有透射层和孔结构。 |
| 特征Q：发光结构的横向宽度比第二电极的小（隐含公开） | 对比文件图1示出半导体层10的宽度明显小于反射层40/第一电极20的宽度。 | 从图1可以明显看出，本领域技术人员能够合理推断出该特征，因此隐含公开。 |
| 特征R：进一步包括在发光结构下的非导电衬底（直接公开） | 对比文件[54]记载：“基板80上n-型半导体层13、有源层12、p-型半导体层11构成的半导体层10”。基板80可为蓝宝石等非导电衬底。 | 明确公开了非导电基板，因此直接公开。 |
| 特征S：透射层包括硅胶（未公开） | 无 | 对比文件没有透射层。 |
<<<A>>><<<B>>><<<E>>><<<G>>><<<N>>><<<O>>><<<R>>><<<q>>>