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对比文件列表
2000-01-21_JP2000022216A_发明专利_JP2000022216A Resin sealed type semiconductor light emitting device having fluorescent cover_+++A_C_D_G_H_N_O_b+++.docx
2026-07-29 13:28
2001-01-19_JP2001015817A_发明专利_JP2001015817A Compound light-emitting element, light-emitting diode and manufacture thereof_+++A_B_G_R_e+++.docx
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2001-05-18_JP2001135861A_发明专利_JP2001135861A Semiconductor light-emitting device and manufacturing method for it_+++A_B_E_G_J_R+++.docx
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2001-07-03_US6255129B_发明授权_US06255129B1 Light-emitting diode device and method of manufacturing the same_+++A_B_R+++.docx
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2002-04-17_EP1198016A_发明公开_EP1198016A2 Stenciling phosphor layers on light emitting diodes_+++A_B_C_D_G_H_I_J_M_S+++.docx
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2002-04-19_KR1020020029611A_发明公开_KR1020020029611A 발광 반도체 디바이스 상에 형광 층을 형성하는 방법 및 형광 스텐실링 합성물_+++A_B_C_D_G_H_I_J_M_N_S+++.docx
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2002-06-28_JP2002185048A_发明专利_JP2002185048A Stenciling phosphor layer of light-emitting diode_+++A_B_C_D_G_H_I_J_M_N_S+++.docx
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2002-10-29_US6472765B_发明授权_US06472765B1 Plastic encapsulated semiconductor light emitting device with a cover of fluorescent particles_+++A_C_D_H_N_Q_b+++.docx
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2002-11-12_JP2002326511A_发明专利_JP2002326511A Intake controller_+++A_b+++.docx
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2003-02-18_US6522065B_发明授权_US06522065B1 Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device_+++A_b+++.docx
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2003-07-11_TW541719B_发明专利_TW541719B 形成於一發光裝置之表面以改善光擷取之光學元件_+++A_B_N_c_h+++.docx
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2004-02-12_JP2004048040A_发明专利_JP2004048040A Semiconductor light emitting device_+++A_B_C_D_E_G_H_N_O_R+++.docx
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2005-07-14_JP2005191197A_发明专利_JP2005191197A Light emitting device_+++A_B_C_D_H_S+++.docx
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2005-09-15_JP2005252222A_发明专利_JP2005252222A Semiconductor light-emitting device, lighting module, lighting device, display device, and method of manufacturing semiconductor light-emitting device_+++A_B_G_J_N_R+++.docx
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2005-10-18_US6956247B_发明授权_US06956247B1 Semiconductor light emitting device including photonic band gap material and luminescent material_+++A_B_C_D_E_G_H_R_l+++.docx
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2005-12-08_JP2005340850A_发明专利_JP2005340850A Semiconductor light emitting element comprising photonic band gap material and fluorescent material_+++A_B_C_D_E_G_H_R+++.docx
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2006-05-23_US7049159B_发明授权_US07049159B2 Stenciling phosphor layers on light emitting diodes_+++A_B_C_D_G_H_I_J_M_N_S+++.docx
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2006-10-12_JP2006278567A_发明专利_JP2006278567A Led unit_+++A_B_D_H_N_Q_c_e_f_i_j_o_r_s+++.docx
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2006-11-16_US2006258028A_发明申请_US20060258028A1 Color control by alteration of wavelength converting element_+++A_B_C_D_E_G_P_f_h+++.docx
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2007-02-08_JP2007035802A_发明专利_JP2007035802A Light-emitting device_+++A_B_R_g_o+++.docx
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2007-03-08_JP2007059781A_发明专利_JP2007059781A Submount-attached light emitting element and light emitting device_+++A_R_b_n+++.docx
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2007-04-26_JP2007109946A_发明专利_JP2007109946A Phosphor plate and light-emitting device provided with the same_+++A_B_O_R_h+++.docx
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2007-04-26_JP2007109948A_发明专利_JP2007109948A Light-emitting device and manufacturing method thereof_+++A_B_C_D_G_H_R_S+++.docx
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2007-04-26_JP2007511065A_发明专利_JP2007511065A Semiconductor light-emitting device, lighting module, a lighting device, and a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device_+++A_B_G_J_N_Q+++.docx
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2007-05-10_JP2007116035A_发明专利_JP2007116035A Light emitting device and method of manufacturing same_+++A_B_C_D_E_H_I_J_n_r+++.docx
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2007-05-10_US2007102721A_发明申请_US20070102721A1 High light extraction efficiency light emitting diode (LED)_+++A_B_H_N_R_c+++.docx
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2007-06-28_JP2007165787A_发明专利_JP2007165787A Light emitting device and method for manufacturing the same_+++A_B_E_G_J_L_N_O_Q_R+++.docx
2026-07-29 13:28
2008-03-06_JP2008053069A_发明专利_JP2008053069A Light-emitting diode_+++A_N_b+++.docx
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2008-07-03_US2008157110A_发明申请_US20080157110A1 LED chip having micro-lens structure_+++A_B_C_H_R+++.docx
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2008-07-30_KR1020080070414A_发明公开_KR1020080070414A 수직형 발광 소자 및 그 제조 방법_+++A_B_C_D_E_N_h_o_s+++.docx
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2009-02-05_US2009032827A_发明申请_US20090032827A1 Concave Wide Emitting Lens for LED Useful for Backlighting_+++A_B+++.docx
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2009-02-26_JP2009043764A_发明专利_JP2009043764A Semiconductor light-emitting element, and method of manufacturing the same_+++A_B_J_N+++.docx
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2009-02-26_WO2009005311A_发明申请_WO2009005311A2 LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME_+++A_B_E_G_N_O_R+++.docx
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2009-03-01_TW200910640A_发明专利_TW200910640A 光電半導體裝置 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE_+++A_B_C_E_G_N_q+++.docx
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2009-04-23_US2009101930A_发明申请_US20090101930A1 Light emitting device with phosphor wavelength conversion_+++A_E_b+++.docx
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2009-07-24_KR1020090080217A_发明公开_KR1020090080217A 질화물계 발광 소자_+++A_B_E_G_N_O_R_q+++.docx
2026-07-29 13:28
2009-09-16_CN101532636A_发明公开_CN101532636A 发光二极管芯片模块及光源模块_+++A_C_D_H_b_n+++.docx
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2009-09-30_CN101546795A_发明公开_CN101546795A 半导体发光元件_+++A_C_D_H_S_b_o+++.docx
2026-07-29 13:28
2009-12-02_KR1020090123817A_发明公开_KR1020090123817A 광자결정 구조체를 구비한 발광소자_+++A_B_E_R+++.docx
2026-07-29 13:28
2010-06-03_None_发明专利_JPWO2008105527A1 LED装置及び照明装置_+++A_C_D_H_N_R_S_b+++.docx
2026-07-29 13:28
WO2008040315A2_Description_20260718_2101_+++A_B_E_G_N_O+++.docx
2026-07-29 13:28
WO2008105527A1_Description_20260718_2101_+++A_C_D_H_O_S_b_n_r+++.docx
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2001-07-03_US6255129B_发明授权_US06255129B1 Light-emitting diode device and method of manufacturing the same_+++A_B_R+++.docx

对比文件名称:2001-07-03_US6255129B_发明授权_US06255129B1 Light-emitting diode device and method of manufacturing the same

目标专利名称:1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B

本次调用的模型名称:资深专利代理师评估模型

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括发光结构。《直接公开》对比文件图4(a)描述:“首先在绝缘衬底401上形成厚度3μm至5μm的n型层402。在n型层402上,依次形成厚度0.1μm至0.3μm的n型限制层403、厚度500Å至2000Å的用于发光的有源层404、厚度0.1μm至0.3μm的p型限制层405、以及厚度0.2μm至1μm的p型层406。”这些层构成发光结构。对比文件公开了由n型层、有源层、p型层等组成的发光结构,与目标专利的发光结构实质相同,因此直接公开。
技术特征B:发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在第一和第二导电半导体层之间的有源层。《直接公开》同上,n型层402相当于第一导电半导体层,p型层406相当于第二导电半导体层,有源层404插入其间。对比文件明确公开了n型层、有源层、p型层的层叠顺序,与目标专利的技术特征B完全一致,因此直接公开。
技术特征C:发光结构上的透射层。《未公开》对比文件未公开在发光结构上设置透射层。最接近的透明接触层(TCL)407是导电的欧姆接触层,并非目标专利所述的透射层(绝缘、低热导、高透光)。对比文件没有公开任何位于发光结构上的透射层,也没有公开透射层的功能,因此未公开。
技术特征D:透射层上的荧光材料层。《未公开》对比文件未公开任何荧光材料层。对比文件不涉及荧光材料转换,因此未公开。
技术特征E:荧光材料层包括图案。《未公开》对比文件未公开荧光材料层,更未提及图案。未公开。
技术特征F:荧光材料层部分地暴露透射层和发光结构两者;并且发光结构被垂直地设置以与透射层和荧光材料层两者重叠。《未公开》对比文件未公开透射层和荧光材料层。未公开。
技术特征G:荧光材料层被形成在发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上。《未公开》对比文件未公开荧光材料层。未公开。
技术特征H:透射层的底表面设置在发光结构的顶表面上。《未公开》对比文件未公开透射层。未公开。
技术特征I:透射层具有2μm至200μm的厚度。《未公开》对比文件未公开透射层厚度。未公开。
技术特征J:荧光材料层具有5μm至500μm的厚度。《未公开》对比文件未公开荧光材料层厚度。未公开。
技术特征K:在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内。《未公开》对比文件未公开荧光材料层构图及面积比例。未公开。
技术特征L:发光结构的横向侧面处的荧光材料层包括图案。《未公开》对比文件未公开荧光材料层。未公开。
技术特征M:发光结构的横向侧面处的荧光材料层的厚度是被形成在透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小。《未公开》对比文件未公开荧光材料层。未公开。
技术特征N:进一步包括发光结构下面的第二电极。《未公开》对比文件第一实施例公开了导电层411覆盖绝缘衬底401的底面和侧壁,作为n型电极。但该导电层形成在绝缘衬底下面,而非直接位于发光结构下面,且不接触第二导电半导体层。对比文件公开的导电层并非位于发光结构下方且直接接触发光结构的电极,与目标专利的第二电极(通常直接形成在第二导电半导体层下)不同,因此未公开。
技术特征O:在发光结构的顶表面上的至少两个第一电极。《未公开》对比文件仅在顶表面形成一个p型电极409,未公开两个或更多第一电极。对比文件未公开至少两个第一电极,因此未公开。
技术特征P:荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔;并且至少两个孔与图案的至少两个孔垂直地重叠。《未公开》对比文件未公开荧光材料层和透射层。未公开。
技术特征Q:发光结构的横向宽度比第二电极的小。《未公开》对比文件未公开发光结构与第二电极的横向宽度比较。未公开。
技术特征R:进一步包括在发光结构下的非导电衬底。《直接公开》对比文件图4(a)描述:“绝缘衬底401,通常由蓝宝石制成。”该衬底位于发光结构之下。对比文件明确公开了非导电衬底(蓝宝石)位于发光结构下方,因此直接公开。
技术特征S:透射层包括硅胶。《未公开》对比文件未公开透射层,也未提及硅胶。未公开。

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