对比文件名称：2007-05-10_US2007102721A_发明申请_US20070102721A1 High light extraction efficiency light emitting diode (LED)
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：AI专利评估模型（基于深度学习的专利创造性评估引擎）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（英文原文及中文翻译） | 公开性论述 |
| **A：包括发光结构 （直接公开）** | 段落[0061]： “LED (10) is comprised of n-type III-nitride layer(s), active layer(s), and p-type III-nitride layer(s) on a substrate (11).” <br>（中文翻译：LED(10)包括在衬底(11)上的n型III-氮化物层、有源层和p型III-氮化物层。） | 对比文件明确公开了LED发光结构，该结构包含n型层、有源层和p型层，与目标专利的“发光结构”概念完全一致，因此技术特征A被直接公开。 |
| **B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在第一和第二导电半导体层之间的有源层 （直接公开）** | 同上段落[0061]。 | 对比文件中的n-type III-nitride layer对应第一导电半导体层，p-type III-nitride layer对应第二导电半导体层，active layer对应有源层，且三者位置关系明确，因此技术特征B被直接公开。 |
| **C：发光结构上的透射层 （隐含公开）** | 段落[0061]： “A first shaped optical element, comprising an n-type ZnO cone (12) ... resides on top of the LED (10).” <br>（中文翻译：第一形状光学元件，包括n型ZnO锥体(12)，位于LED(10)的顶部。） <br>段落[0032]： “The present invention discloses an optoelectronic device, comprising an (Al, Ga, In)N based light emitting diode (LED), a first shaped optical element adjacent the LED for extracting light emitted by the LED, wherein the first shaped element is comprised of a high refractive index material.” <br>（中文翻译：本发明公开了一种光电器件，包括(Al,Ga,In)N基发光二极管，与LED相邻的第一形状光学元件用于提取LED发出的光，其中第一形状元件由高折射率材料构成。） | 对比文件公开了在LED上设置第一形状光学元件（例如ZnO层），该层是透光的，可视为广义的透射层。虽然其功能侧重光提取且材料与目标专利的硅胶不同，但结构上相当于发光结构上的透射层。由于目标专利的“透射层”未限定具体功能，本领域技术人员从对比文件能合理推断出可在发光结构上设置透光层，因此技术特征C被隐含公开。 |
| **D：透射层上的荧光材料层 （未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件通篇未涉及荧光材料层，没有公开任何位于透射层上的荧光材料层，因此技术特征D未公开。 |
| **E：荧光材料层包括图案 （未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件没有荧光材料层，更谈不上包含图案，因此技术特征E未公开。 |
| **F：荧光材料层部分地暴露透射层和发光结构两者；并且发光结构被垂直地设置以与透射层和荧光材料层两者重叠 （未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件没有荧光材料层，因此技术特征F未公开。 |
| **G：荧光材料层被形成在发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上 （未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件没有荧光材料层，因此技术特征G未公开。 |
| **H：透射层的底表面设置在发光结构的顶表面上 （直接公开）** | 段落[0061]： “A first shaped optical element, comprising an n-type ZnO cone (12) ... resides on top of the LED (10).” <br>（中文翻译：第一形状光学元件，包括n型ZnO锥体(12)，位于LED(10)的顶部。） | 对比文件直接公开了第一形状光学元件（透射层）的底表面位于LED（发光结构）的顶表面，位置关系明确，因此技术特征H被直接公开。 |
| **I：透射层具有2μm至200μm的厚度 （未公开）** | 对比文件未明确公开透射层的厚度范围。 | 对比文件没有给出ZnO层或其他透射层的具体厚度数值或范围，本领域技术人员不能毫无疑义地得出该厚度范围，因此技术特征I未公开。 |
| **J：荧光材料层具有5μm至500μm的厚度 （未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件没有荧光材料层，因此技术特征J未公开。 |
| **K：在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内 （未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件没有荧光材料层及其构图工艺，因此技术特征K未公开。 |
| **L：发光结构的横向侧面处的荧光材料层包括图案 （未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件没有荧光材料层，因此技术特征L未公开。 |
| **M：发光结构的横向侧面处的荧光材料层的厚度是被形成在透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小 （未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件没有荧光材料层，因此技术特征M未公开。 |
| **N：进一步包括发光结构下面的第二电极 （直接公开）** | 段落[0072]： “Adjacent the p-type III-nitride layer (82) is a second n-type ZnO cone-shaped element (86) with a p-type electrode (87) on top of the ZnO (86).” <br>（中文翻译：与p型III-氮化物层(82)相邻的是第二n型ZnO锥形元件(86)，在ZnO(86)顶部有p型电极(87)。） <br>结合图8，该p型电极位于发光结构下方。 | 对比文件公开了在发光结构（p型层）下方设置p型电极，该电极可视为第二电极，因此技术特征N被直接公开。 |
| **O：在发光结构的顶表面上的至少两个第一电极 （未公开）** | 对比文件图5、图8等显示单个电极，未公开至少两个第一电极。 | 对比文件没有公开在发光结构顶表面上有至少两个第一电极，因此技术特征O未公开。 |
| **P：荧光材料的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且至少两个孔与图案的至少两个孔垂直地重叠 （未公开）** | 无相关记载。 | 对比文件没有荧光材料层，因此技术特征P未公开。 |
| **Q：发光结构的横向宽度比第二电极的小 （未公开）** | 对比文件未明确比较发光结构与第二电极的宽度。 | 对比文件没有公开发光结构的横向宽度与第二电极的宽度关系，因此技术特征Q未公开。 |
| **R：进一步包括在发光结构下的非导电衬底 （直接公开）** | 段落[0061]： “on a substrate (11) such as a sapphire substrate.” <br>（中文翻译：在衬底(11)上，例如蓝宝石衬底。） | 对比文件明确公开了蓝宝石衬底作为非导电衬底，位于发光结构下方，因此技术特征R被直接公开。 |
| **S：透射层包括硅胶 （未公开）** | 对比文件未提及硅胶。 | 对比文件的第一形状光学元件材料为ZnO、GaN、SiC等，不包括硅胶，因此技术特征S未公开。 |
### 公开性代码输出
<<<A>>><<<B>>><<<c>>><<<H>>><<<N>>><<<R>>>