对比文件名称：2003-07-11_TW541719B_发明专利_TW541719B 形成於一發光裝置之表面以改善光擷取之光學元件
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构《直接公开》 | 对比文件说明书第1段：“圖1描述一先前技藝的半導體光發射器100，其組成有基板20、多層結構26、及頂層24。” 多層結構26即发光结构。 | 对比文件的多層結構26包括下侷限層、作用層、上侷限層，相当于发光结构，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层《直接公开》 | 对比文件说明书：“下侷限層21及上侷限層23以電子耦合到作用層22，及接點31、接點32。一般來說，一侷限層會攙入一些施體以製造出一n-型侷限層，而其他侷限層則是攙入一些受體以製造出一p-型侷限層。” | 对比文件公开了下侷限层（n型）、上侷限层（p型）和作用层（有源层），相当于第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层《隐含公开》 | 对比文件说明书：“頂層24可以是一穿透基材（一上材）以晶圓結合到該上侷限層23。” 图1显示顶層24位于上侷限层23上。 | 对比文件公开了在发光结构（上侷限层23）上设置透明层（顶層24），该层能透射光，虽然未明确其热隔离功能，但结构上相当于发光结构上的透射层，因此隐含公开。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层《未公开》 | 对比文件全文未提及荧光材料层。 | 对比文件涉及在发光装置表面形成光学元件（如菲涅尔透镜），未涉及荧光材料层，因此未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案《未公开》 | 对比文件未提及荧光材料层，故无图案。 | 对比文件没有荧光材料层，因此未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠《未公开》 | 对比文件未提及荧光材料层和透射层的这种关系。 | 对比文件没有荧光材料层，也未公开透射层与发光结构的这种重叠关系，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上《未公开》 | 对比文件未提及荧光材料层。 | 对比文件未公开荧光材料层，因此未公开。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上《隐含公开》 | 对比文件图1显示顶層24直接位于上侷限层23之上，即底表面在发光结构顶表面。 | 对比文件中的顶層24的底表面直接设置在发光结构（上侷限层23）的顶表面上，因此隐含公开了该位置关系。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度《未公开》 | 对比文件未公开透射层的厚度范围。 | 对比文件未提及透射层的具体厚度，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度《未公开》 | 对比文件未提及荧光材料层。 | 对比文件未公开荧光材料层及其厚度，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内《未公开》 | 对比文件未提及荧光材料层及其面积比例。 | 对比文件未公开荧光材料层，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案《未公开》 | 对比文件未提及荧光材料层。 | 对比文件未公开荧光材料层，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小《未公开》 | 对比文件未提及荧光材料层。 | 对比文件未公开荧光材料层，因此未公开。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极《直接公开》 | 对比文件说明书：“下侷限層21及上侷限層23以電子耦合到作用層22，及接點31、接點32。” 图1显示接点32位于基板20下，作为底部电极。 | 对比文件公开了接点32作为底部电极，相当于第二电极，因此直接公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极《未公开》 | 对比文件公开了接点31位于顶層24上，但仅为一电极，未提及至少两个。 | 对比文件未公开多个顶表面电极，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠《未公开》 | 对比文件未提及荧光材料层及其孔图案。 | 对比文件未公开荧光材料层，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小《未公开》 | 对比文件未明确比较发光结构与第二电极的宽度。 | 对比文件未公开宽度比较关系，因此未公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底《未公开》 | 对比文件提及基板20，但未明确其导电性，且替换基材可为导电半导体。 | 对比文件未明确公开非导电衬底，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶《未公开》 | 对比文件未提及硅胶材料。 | 对比文件未公开透射层材料为硅胶，因此未公开。 |
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