对比文件名称：2005-07-14_JP2005191197A_发明专利_JP2005191197A Light emitting device
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：未指定（基于用户提供的文本推理）
以下为特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，标注段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构（直接公开） | 对比文件第[2]段：“发光素子5”及全文多处提及，“发光素子”即发光元件。 | 对比文件明确公开了“发光素子5”，其实质即为发光结构，与目标专利的发光结构含义相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层（直接公开） | 对比文件第[2]段：“例如，在蓝宝石基板上依次层叠缓冲层、n型层、发光层和p型层而形成的GaN、GaAlN、InGaN或InGaAlN等氮化镓系化合物半导体”。 | 对比文件公开的发光元件包含n型层（相当于第一导电半导体层）、发光层（相当于有源层）、p型层（相当于第二导电半导体层），三者结构关系明确，因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层（直接公开） | 对比文件第[2]段：“透光性部材3，以覆盖发光素子5的方式填充在框体2的内侧”；“透光性部材3由硅酮树脂、环氧树脂或尿素树脂等透明树脂构成”。 | 对比文件公开的透光性部材直接设置在发光元件上，起透光作用，相当于目标专利的透射层，因此直接公开。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层（直接公开） | 对比文件第[2]段：“荧光体层7，以覆盖透光性部材3的方式填充在框体2的内部，含有荧光体4的透明树脂”。 | 对比文件公开的荧光体层直接形成在透光性部材之上，与目标专利的荧光材料层位置对应，因此直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案（未公开） | 对比文件未记载荧光体层具有图案。 | 对比文件描述的荧光体层为连续覆盖的层，仅表面被粗化（形成粗糙面），但粗糙面不属于图案（如孔、沟槽、凸起等规则或非规则图形），且未公开任何图案化步骤或结构，因此未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠（未公开） | 对比文件未记载荧光体层部分暴露透光性部材或发光元件。 | 对比文件荧光体层完全覆盖透光性部材（进而覆盖发光元件），没有露出任何部分，因此未公开“部分暴露”的特征，也未公开荧光材料层与透射层、发光结构在垂直方向上的重叠关系（实际上其完全覆盖，但目标专利要求部分暴露）。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上（未公开） | 对比文件未记载荧光体层直接形成在发光元件的横向侧面。 | 对比文件的荧光体层仅形成在透光性部材上，而透光性部材覆盖发光元件的顶面和侧面，但荧光体层并未直接附着在发光元件的横向侧面，而是通过透光性部材间接覆盖，因此未公开本特征。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上（直接公开） | 对比文件图1及第[2]段：“透光性部材3以覆盖发光素子5的方式填充”，其底面必然接触发光元件的顶表面。 | 透光性部材直接覆盖在发光元件上，其底表面自然设置在发光结构的顶表面上，作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度（未公开） | 对比文件未记载透光性部材的具体厚度，仅提到填充至某一高度（从基体上面4mm）。 | 对比文件未给出透光性部材的厚度数值范围，本领域技术人员不能毫无疑义地得出其厚度在2‑200μm，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度（未公开） | 对比文件实施示例中：“荧光体层7的厚度为0.8mm（800μm）”。 | 对比文件公开的荧光体层厚度为800μm，不在目标专利限定的5‑500μm范围内，且未记载该范围，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内（未公开） | 对比文件未涉及任何构图工艺或面积比例。 | 对比文件未公开荧光材料层经过构图，更未保留特定面积比例，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件没有提到在发光结构横向侧面形成图案化的荧光材料层，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小（未公开） | 对比文件未记载横向侧面荧光材料层的厚度。 | 对比文件未给出横向侧面荧光材料层的任何厚度信息，也未比较其与透射层上荧光材料层的厚度关系，因此未公开。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极（未公开） | 对比文件仅提及发光元件通过电极6连接至配线导体，但未详细描述电极结构。 | 对比文件未公开位于发光结构下方的第二电极（如反射层、结合层等），仅提及连接用电极，不构成目标专利中的第二电极，因此未公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极（未公开） | 对比文件未记载发光元件顶表面上的电极。 | 对比文件未公开第一电极及其数量，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠（未公开） | 对比文件未公开荧光体层具有孔状图案。 | 对比文件无任何关于孔或垂直重叠的记载，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小（未公开） | 对比文件未比较发光元件与第二电极的宽度。 | 对比文件未公开发光结构宽度与第二电极宽度之间的关系，因此未公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底（未公开） | 对比文件虽提及“蓝宝石基板”，但未明确作为发光器件芯片的一部分保留。 | 对比文件在制造中可能使用蓝宝石基板，但未公开最终产品中发光结构下方存在非导电衬底，且其结构并非必需，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶（直接公开） | 对比文件第[2]段：“透光性部材3由硅酮树脂、环氧树脂或尿素树脂等透明树脂构成”。 | 对比文件明确公开透光性部材可以是硅酮树脂（即硅胶），与目标专利的透射层材料相同，因此直接公开。 |
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、H、S，未公开或隐含公开其他技术特征。
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