**对比文件名称**：2008-07-03_US2008157110A_发明专利_US20080157110A1 LED chip having micro-lens structure
**目标专利名称**：1821发光器件芯片、发光器件封装 CN102130247B
**调用的模型名称**：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括发光结构《直接公开》** | 段落[0027]：“The LED chip 200 having a micro-lens structure includes a light-emitting structure 210.”（具有微透镜结构的LED芯片200包括发光结构210。） | 对比文件明确记载了发光结构（light-emitting structure），该结构是LED芯片的核心部分，与目标专利的发光结构实质相同，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层《直接公开》** | 段落[0029]：“forming an N-type semi-conductive layer 214, an active layer 216, and at least a P-type semi-conductive layer 218.”（形成N型半导体层214、有源层216以及至少P型半导体层218。） | 对比文件公开了N型半导体层（对应第一导电半导体层）、有源层和P型半导体层（对应第二导电半导体层），且三者的顺序关系与目标专利相同，直接公开了该特征。 |
| **技术特征C：所述发光结构上的透射层《直接公开》** | 段落[0027]：“The transparent substrate 230 is a micro-lens and has a stacking surface 232 and a light guide surface 234, and the light guide lens 230 is stacked on the light-emitting surface 204 through the stacking surface 232.”（透明衬底230是微透镜并具有堆叠表面232和导光表面234，并且光导透镜230通过堆叠表面232堆叠在发光表面204上。） | 对比文件中的透明衬底（transparent substrate）直接堆叠在发光结构210的发光表面204上，该透明衬底即为透射层，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征D：所述透射层上的荧光材料层《未公开》** | 无 | 对比文件全文未涉及任何荧光材料层，仅具有透明衬底作为微透镜结构，本领域技术人员无法从对比文件中得出该特征。 |
| **技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案《未公开》** | 无 | 对比文件没有荧光材料层，因此也不存在图案。 |
| **技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠《未公开》** | 无 | 对比文件未公开荧光材料层，故不涉及部分暴露或重叠关系。 |
| **技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上《未公开》** | 无 | 对比文件没有荧光材料层形成在横向侧面的描述。 |
| **技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上《直接公开》** | 段落[0027]：同特征C，堆叠表面232堆叠在发光表面204上。 | 对比文件明确记载透明衬底（透射层）的堆叠表面（底表面）直接设置在发光结构的光出射表面（顶表面）上，直接公开。 |
| **技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度《未公开》** | 无 | 对比文件未提及透明衬底的厚度范围，本领域技术人员无法从对比文件中直接得出2-200μm的厚度。 |
| **技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度《未公开》** | 无 | 对比文件没有荧光材料层，故无厚度公开。 |
| **技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内《未公开》** | 无 | 对比文件没有荧光材料层构图工艺及面积比例。 |
| **技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案《未公开》** | 无 | 对比文件没有荧光材料层在横向侧面。 |
| **技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小《未公开》** | 无 | 对比文件无荧光材料层，故无厚度比较。 |
| **技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极《未公开》** | 对比文件第一实施例（图5）无第二电极；第二实施例（段落[0034]）：“an N-type semi-conductive layer 304, an active layer 306, a P-type semi-conductive layer 308, a reflection layer 310 are sequentially stacked on the light guide lens 320.”（N型半导体层304、有源层306、P型半导体层308、反射层310顺序堆叠在光导透镜320上。）反射层310位于发光结构顶部，非下面。 | 对比文件未公开在发光结构下方的电极，第二实施例的反射层位于发光结构上方，第一实施例则无相应结构，因此未公开。 |
| **技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极《未公开》** | 对比文件第一实施例提及电极226和228（段落[0029]），但未明确位置在顶表面；第二实施例电极312、314连接在N型和P型层，但位于底部或侧面。 | 对比文件没有明确公开第一电极形成在发光结构顶表面上，从附图看电极多位于侧面或底部，本领域技术人员无法直接得出该特征。 |
| **技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠《未公开》** | 无 | 对比文件无荧光材料层，故无孔结构。 |
| **技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小《未公开》** | 无 | 对比文件未公开第二电极，也未比较宽度。 |
| **技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底《直接公开》** | 段落[0029]：“forming an N-type semi-conductive layer 214, an active layer 216, and at least a P-type semi-conductive layer 218 on a transparent substrate 212.”（在透明衬底212上形成N型半导体层214、有源层216以及至少P型半导体层218。）该透明衬底通常为非导电材料（如蓝宝石）。 | 对比文件明确记载在发光结构下方具有透明衬底，该衬底为非导电材料，直接公开了该特征。 |
| **技术特征S：其中所述透射层包括硅胶《未公开》** | 段落[0031]：“The transparent substrate 230 is made of a light-transmissive material... such as an optical glass, a semiconductor material, or an organic compound.”（透明衬底230由透光材料制成，例如光学玻璃、半导体材料或有机化合物。） | 对比文件未公开透射层包含硅胶，其材料为光学玻璃等，与本特征不同，未公开。 |
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