对比文件的名称：2004-04-08_JP2004111981A_发明专利_JP2004111981A Semiconductor luminous element and usage of semiconductor luminous element
目标专利的名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：大语言模型（GPT-4风格）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件。**未公开** | [2] “半导体基体1通过导电性结合手段、例如金属焊料或粘合剂，安装在第一电气连接端子2上的背面电极接触11上。” | 对比文件中的第一电气连接端子2是单个器件的电极，用于安装半导体基体，并非用于支撑多个发光器件的基底片（如目标专利的PVC、PAT、PPT带或环氧树脂片），功能与结构均不同，因此未公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层。**未公开** | [2] “半导体基体1通过导电性结合手段、例如金属焊料或粘合剂，安装在第一电气连接端子2上的背面电极接触11上。” | 对比文件仅使用单个导电性结合手段连接半导体基体与端子，未公开至少两个结合层，且结合手段并非用于连接第二支撑构件与第一支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上。**未公开** | 同上 | 对比文件未公开结合层，更未公开结合层布置在第一支撑构件上，因此未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件。**直接公开** | [2] “图9所示，例如由SiC构成的衬底18上，依次沉积有AlN层或GaN层19、n导电型GaN层20、…p导电型GaN层24，形成多层结构7。” | 对比文件中的衬底18是导电支撑基板（SiC），用于支撑发光多层结构，相当于目标专利的第二支撑构件（导电支撑基板），因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上。**未公开** | 对比文件未公开结合层，衬底18直接通过焊料/粘合剂与端子连接，未布置在结合层上。 | 对比文件没有结合层，且第二支撑构件（衬底）与结合层的关系不成立，因此未公开。 |
| 技术特征F：发光结构。**直接公开** | [2] “图9所示的多层结构7包括n导电型GaN层20、p导电型GaN层24以及位于它们之间的活性区域（有源层）。” | 对比文件的多层结构7包含有源层、n型层和p型层，完全对应目标专利的发光结构，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上。**直接公开** | [2] “例如由SiC构成的衬底18上，依次沉积有…多层结构7。” | 对比文件明确将多层结构7（发光结构）形成在衬底18（第二支撑构件）上，因此直接公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层。**直接公开** | [2] “n导电型GaN层20、n导电型GaN层22” | 对比文件公开了n型半导体层，可对应于第一导电类型半导体层（n型或p型均可），因此直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层。**直接公开** | [2] “p导电型GaN层24” | 对比文件公开了p型半导体层，可对应于第二导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层。**直接公开** | [2] “活性区域（有源层）位于n型层与p型层之间。” | 对比文件明确有源层位于n型与p型层之间，因此直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极。**直接公开** | [2] “p导电型GaN层24主面25上及衬底18主面26上，分别形成有接触金属化部27、28。” | 对比文件中的接触金属化部27、28或前面电极12、背面电极11均为电极，相当于目标专利的第一电极，因此直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上。**直接公开** | [2] “p导电型GaN层24主面25上形成有接触金属化部27。” | 接触金属化部27直接形成在发光结构（p型层）表面，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。**未公开** | 对比文件全部内容仅涉及单个半导体发光元件，未提及多个发光器件，更无金属层连接相邻器件的第二支撑构件。 | 对比文件未公开任何阵列结构或相邻器件连接关系，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米。**未公开** | 对比文件未公开结合层，亦无任何关于结合层边缘位置的限定。 | 该特征依赖于结合层，对比文件无结合层，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构。**未公开** | 对比文件未公开结合层，亦无凹凸结构描述。 | 无结合层，无凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上。**未公开** | 对比文件未公开第一支撑构件（基底片）及其表面凹凸结构。 | 无第一支撑构件，无凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同。**未公开** | 对比文件未公开金属层及连接结构。 | 无金属层，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同。**未公开** | 同上 | 无金属层，无结合层，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同。**未公开** | 同上 | 无金属层，因此未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括。**未公开** | 过渡词，无实质技术内容，对比文件无对应表述。 | 不构成技术特征，无需比对。 |
| 技术特征U：欧姆层。**隐含公开** | [2] “p导电型GaN层24主面25上及衬底18主面26上，分别形成有接触金属化部27、28。该接触金属化部27、28由传统光电半导体技术中用于电接触的材料形成。” | 本领域技术人员公知，在半导体器件中，接触金属化层通常包含欧姆接触层（如Ni/Au、ITO等）以降低接触电阻，因此对比文件虽未明确提及“欧姆层”，但根据常规技术可合理推断其隐含公开了欧姆层。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间。**未公开** | 对比文件中第二导电类型半导体层（p型GaN层24）位于发光结构顶部，第二支撑构件（衬底18）位于底部，欧姆接触层（接触金属化部27）形成在p型层上表面，并非位于p型层与衬底之间。 | 目标专利的欧姆层位于第二导电类型半导体层（如n型层）与第二支撑构件之间，对比文件的结构完全不同，因此未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括。**未公开** | 过渡词，无实质技术内容，对比文件无对应表述。 | 不构成技术特征，无需比对。 |
| 技术特征X：反射层。**未公开** | 对比文件提及基底壳体8的切欠部9可作为反射器，但并非发光器件内部的反射层。 | 目标专利的反射层是形成在欧姆层与第二支撑构件之间的金属层（如Al、Ag），对比文件未公开此类层结构，因此未公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间。**未公开** | 同上 | 对比文件无反射层，更无该位置关系，因此未公开。 |
### 公开性代码输出
根据上述判断，对比文件直接公开了技术特征D、F、G、H、I、J、K、L，隐含公开了技术特征U。
<<<D>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>><<<u>>>