对比文件名称：2008-03-13_JP2008060595A_发明专利_JP2008060595A Semiconductor element
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：AI model
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件公开了“基底ケーシング8”（基底壳体），用于容纳单个半导体基体，但未公开用于支撑多个发光器件的第一支撑构件（如基底片）。 | 目标专利的第一支撑构件是用于支撑至少两个发光器件的基底片，具有支撑多个器件的功能。对比文件中的基底壳体是单个器件的封装部件，不用于支撑多个发光器件，且未公开其作为支撑多个器件的基板。因此，本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得到该特征。 |
| B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件公开了“ろう付け又は接着”（钎焊或粘接）用于将半导体基体连接到电连接端子，但未公开至少两个结合层。 | 目标专利的结合层是用于将第二支撑构件固定到第一支撑构件上的层，并且至少有两个结合层对应多个发光器件。对比文件仅涉及单个器件的连接，未公开多个结合层及其布置。因此未公开。 |
| C：至少两个结合层布置在第一支撑构件上（未公开） | 无直接对应内容。 | 基于特征A和B未公开，该特征同样未公开。 |
| D：第二支撑构件（未公开） | 对比文件公开了“背面コンタクト11”、“前面コンタクト12”以及“コンタクト金属化部27、28”，但这些是电极或接触层，并非用于支撑发光结构的独立支撑基板。 | 目标专利的第二支撑构件是导电支撑基板，主要起支撑发光结构和电极作用。对比文件中没有公开这样的基板结构，而是通过端子直接连接半导体基体。因此未公开。 |
| E：第二支撑构件布置在结合层上（未公开） | 无。 | 基于特征D未公开，且无结合层，未公开。 |
| F：发光结构（直接公开） | 对比文件第[2]段明确记载：“図１に示す半導体発光素子は、半導体基体１と、背面コンタクト１１と、前面コンタクト１２と、複数の様々の層から成る多層構造７とを有し、この多層構造７は、半導体素子の作動中、１つのビーム（例えば、紫外線、青色又は緑色）を放射する少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する。”此外，图9实施例描述了多层结构的具体组成，包括n型层和p型层。 | 该多層構造7相当于目标专利的发光结构，包括有源层，能够发射光。因此，本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件公开了发光结构。 |
| G：发光结构布置在第二支撑构件上（未公开） | 对比文件公开了半导体基体1直接或通过接触层连接到电连接端子2、3，但没有第二支撑构件。 | 目标专利中发光结构布置在第二支撑构件（导电支撑基板）上，但对比文件未公开第二支撑构件，因此未公开该布置关系。 |
| H：第一导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件在描述图9时记载：“ｎ導電形ＧａＮ層２０、ｎ導電形ＧａxＡｌ1-xＮ層又はＧａxＩｎ1-xＮ層２１、更なるｎ導電形ＧａＮ層又はＧａxＩｎ1-xＮ層２２”。 | 这些n型导电层相当于第一导电类型半导体层。因此直接公开。 |
| I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 同一段落记载：“ｐ導電形ＧａxＡｌ1-xＮ層又はＧａxＩｎ1-xＮ層２３及びｐ導電形ＧａＮ層２４”。 | 这些p型导电层相当于第二导电类型半导体层。直接公开。 |
| J：有源层（直接公开） | 对比文件第[2]段提到“少なくとも１つのアクティブなゾーン”（至少一个活性区）。 | 该活性区即目标专利中的有源层，用于产生光。因此直接公开。 |
| K：第一电极（直接公开） | 对比文件第[2]段记载：“背面コンタクト１１”和“前面コンタクト１２”，以及“コンタクト金属化部２７、２８”。 | 这些接触电极相当于目标专利的第一电极，用于与半导体层形成电连接。因此直接公开。 |
| L：第一电极布置在发光结构上（直接公开） | 对比文件记载“ｐ導電形ＧａＮ層２４主面２５上及びサブストレート１８の主面２６上に、それぞれ、コンタクト金属化部２７、２８が被着されている。”即接触金属化部直接形成在半导体层主面上。 | 第一电极直接形成在发光结构上，与目标专利一致。因此直接公开。 |
| M：金属层连接相邻器件的第二支撑构件（未公开） | 对比文件未涉及多个发光器件，无任何关于金属层连接相邻器件的描述。 | 目标专利的金属层用于连接相邻发光器件的第二支撑构件，形成阵列。对比文件仅涉及单个器件，未公开该特征。 |
| N：结合层边缘位于发光结构边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开结合层及其尺寸特征。 | 目标专利的结合层具有特定的边缘位置关系，对比文件没有结合层，故未公开。 |
| O：结合层包括凹凸结构（未公开） | 无。 | 对比文件未公开结合层及其凹凸结构。 |
| P：凹凸结构形成在第一支撑构件表面（未公开） | 无。 | 对比文件未公开第一支撑构件及其表面凹凸结构。 |
| Q：金属层组成至少部分与第二支撑构件相同（未公开） | 无。 | 对比文件未公开金属层和第二支撑构件，故未公开。 |
| R：金属层组成至少部分与结合层相同（未公开） | 无。 | 对比文件未公开金属层和结合层。 |
| S：金属层组成至少部分与发光结构相同（未公开） | 无。 | 对比文件未公开金属层连接结构，且发光结构组成不同。 |
| T：进一步包括（隐含公开） | 对比文件公开了“背面コンタクト11”和“前面コンタクト12”等接触层，这些接触层在功能上相当于欧姆层。 | 虽然对比文件未明确使用“欧姆层”一词，但本领域技术人员可知，在半导体发光器件中，为使半导体层与电极形成良好欧姆接触，通常设置欧姆接触层。对比文件中的接触金属化部即起此作用，因此隐含公开了“进一步包括欧姆层”这一特征。 |
| U：欧姆层（隐含公开） | 同上，对比文件公开了接触金属化部27、28，这些通常为欧姆接触层。 | 基于相同理由，本领域技术人员可以合理推断对比文件中的接触金属化部即为欧姆层，因此隐含公开。 |
| V：欧姆层布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件公开了接触金属化部形成在p型GaN层主面25上（对应第二导电类型半导体层），但未公开第二支撑构件，且接触金属化部直接与端子连接，而非与第二支撑构件连接。 | 目标专利的欧姆层位于第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间，对比文件没有第二支撑构件，且欧姆层（接触层）的位置不同，因此未公开。 |
| W：进一步包括（未公开） | 对比文件未公开反射层。 | 对比文件没有提及反射层，因此未公开“进一步包括反射层”。 |
| X：反射层（未公开） | 无。 | 对比文件未公开任何反射层。 |
| Y：反射层布置在欧姆层和第二支撑构件之间（未公开） | 无。 | 基于特征X未公开，且缺乏第二支撑构件，未公开。 |
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