对比文件名称：2007-10-31_JP4001892B_发明专利_JP4001892B2 Semiconductor light-emitting device, of led display device, an illumination device and a liquid crystal display portion illumination device
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
模型名称：AI语言模型（本模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | [2]“图3所示的实施例中，第一和第二电连接端子2、3埋入不透明的、必要时预先制造的基底壳体8中。” | 基底壳体8是单个器件的封装壳体，用于容纳单个半导体基体，而目标专利的第一支撑构件是用于支撑多个发光器件的阵列基底片（如UV带或硅处理带），两者结构、功能均不同，因此未公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | [2]“半导体基体1通过导电性结合手段，例如金属焊料或粘合剂，安装在第一电连接端子2上的背面电极接触11上。” | 对比文件仅使用一个结合手段（焊料或粘合剂）将半导体基体固定到连接端子，未形成“至少两个结合层”，也未描述层状结构，因此未公开。 |
| 技术特征C：至少两个结合层布置在第一支撑构件上（未公开） | 同特征B | 由于对比文件未公开第一支撑构件，也未公开至少两个结合层，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（直接公开） | [2]“例如由SiC构成的衬底18” | 对比文件中的衬底18（SiC）是导电支撑基板，用于承载发光多层结构并作为电极，与目标专利中第二支撑构件（导电支撑基板）的作用相同，本领域技术人员可直接、毫无疑义地确定，因此直接公开。 |
| 技术特征E：第二支撑构件布置在结合层上（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何结合层，因此第二支撑构件（衬底18）直接生长有发光结构，而非通过结合层布置，故未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | [2]“由多个不同层构成的多层结构7”和“多层结构7具有至少一个活性区，在半导体元件工作时发射一束光” | 多层结构7包含n型层、p型层以及有源层（活性区），与目标专利的发光结构（第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层）实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征G：发光结构布置在第二支撑构件上（直接公开） | [2]“在衬底18上沉积有多层结构7” | 对比文件明确将多层结构7形成在衬底18上，衬底18即为第二支撑构件，因此直接公开。 |
| 技术特征H：第一导电类型半导体层（直接公开） | [2]“n导电型GaN层20” | 对比文件公开了n型半导体层，对应于目标专利的第一导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | [2]“p导电型GaN层24” | 对比文件公开了p型半导体层，对应于目标专利的第二导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征J：有源层（直接公开） | [2]“至少一个活性区” | 对比文件明确具有活性区，即发光有源层，直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | [2]“前面接触12”和“背面接触11”或“接触金属化部27、28” | 对比文件在半导体层上形成有电极（如前面接触12、背面接触11或接触金属化部27、28），这些电极即为第一电极的直接公开。 |
| 技术特征L：第一电极布置在发光结构上（直接公开） | [2]“在p导电型GaN层24的主面25上…接触金属化部27” | 对比文件的电极直接布置在半导体层表面，因此直接公开。 |
| 技术特征M：发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 无 | 对比文件仅涉及单个发光器件，未描述任何关于相邻器件连接的结构或金属层，因此未公开。 |
| 技术特征N：结合层的边缘位于发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 无 | 对比文件没有结合层，也未公开任何尺寸限定，因此未公开。 |
| 技术特征O：结合层包括凹凸结构（未公开） | 无 | 对比文件没有结合层，未公开凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征P：凹凸结构形成在第一支撑构件的表面上（未公开） | 无 | 对比文件没有第一支撑构件，也未公开凹凸结构，因此未公开。 |
| 技术特征Q：金属层的组成的至少预定部分与第二支撑构件的组成相同（未公开） | 无 | 对比文件没有金属层，未公开组成关系，因此未公开。 |
| 技术特征R：金属层的组成的至少预定部分与结合层的组成相同（未公开） | 无 | 对比文件没有结合层和金属层，未公开，因此未公开。 |
| 技术特征S：金属层的组成的至少预定部分与发光结构的组成相同（未公开） | 无 | 对比文件没有金属层，未公开，因此未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（欧姆层）（未公开） | 无 | 欧姆层本身未公开，因此“进一步包括”该特征无从成立，未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | [2]“接触金属化部27、28” | 对比文件的接触金属化部是用于电连接的金属层，但未明确其为欧姆层（如透明导电氧化物），且目标专利的欧姆层特指用于改善欧姆接触的特定层（如ITO、Ni/Au等），对比文件未公开其具体组成和功能，同时位置关系也不同，因此未直接或隐含公开。 |
| 技术特征V：欧姆层布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间（未公开） | [2]“在p导电型GaN层24的主面25上…接触金属化部27” | 对比文件的接触金属化部27位于p型层（第二导电类型）的上表面，而第二支撑构件（衬底18）位于多层结构的另一侧，两者之间并不存在欧姆层，因此未公开该位置关系。 |
| 技术特征W：进一步包括（反射层）（未公开） | 无 | 反射层本身未公开，因此“进一步包括”不成立，未公开。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | [2]“凹部9被构成为反射器17” | 对比文件的反射器17是壳体凹部形成的反射面，并非布置在发光结构下方的层状反射层，且未公开其材料为金属反射层，因此未公开。 |
| 技术特征Y：反射层布置在欧姆层和第二支撑构件之间（未公开） | 无 | 对比文件没有反射层，也未公开欧姆层，因此未公开。 |
根据上述比对，目标专利技术特征中直接被对比文件公开的有：D、F、G、H、I、J、K、L。其余特征均未被直接或隐含公开。
<<<D>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>>