对比文件：2009-12-08_US7629621B_发明授权_US07629621B2 Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
目标专利：发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装 CN102263119B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：第一支撑构件（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件涉及单个发光半导体组件，未披露任何用于支撑器件阵列的“第一支撑构件”（如基底片），也无类似结构或功能描述。 |
| 特征B：至少两个结合层（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未提及任何“结合层”，更未公开至少两个结合层。其封装材料（如荧光转换层）用于波长转换而非结合固定，结构、功能均不同。 |
| 特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 无相关公开内容 | 结合层未公开，因此该布置关系也不存在。对比文件无第一支撑构件，也无结合层设置在其上的描述。 |
| 特征D：第二支撑构件（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件中的电端子（2、3）或引线框架用于电连接，并非目标专利中作为独立支撑基板的“第二支撑构件”（如导电支撑基板160），且无结合层连接。 |
| 特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 无相关公开内容 | 第二支撑构件和结合层均未公开，该位置关系不成立。 |
| 特征F：发光结构（直接公开） | [0082]：“半导体本体1具有背侧接触11、前侧接触12和层序列7，该层序列由多个不同层组成并且具有至少一个有源区，该有源区在半导体组件操作期间发射辐射（例如紫外、蓝或绿）。”<br>[0083]：“图9示出了适合的层序列7。在由SiC构成的衬底18上施加有AlN或GaN层19、n型GaN层20、n型GaxAl1-xN或GaxIn1-xN层21、另一n型GaN或GaxIn1-xN层22、p型GaxAl1-xN或GaxIn1-xN层23和p型GaN层24。” | 对比文件明确公开了具有层序列的半导体本体（1），该层序列包含有源区，等同于目标专利的“发光结构”。本领域技术人员可直接识别其含义。 |
| 特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件中的半导体本体（1）通过背侧接触（11）固定在第一电端子（2）上，该电端子并非目标专利中的“第二支撑构件”（导电支撑基板），且无通过结合层支撑的对应结构。 |
| 特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（直接公开） | [0083]：“n型GaN层20、n型GaxAl1-xN或GaxIn1-xN层21、另一n型GaN或GaxIn1-xN层22” | 对比文件公开了n型导电类型半导体层，与目标专利的“第一导电类型半导体层”对应，本领域技术人员可直接确定其存在。 |
| 特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | [0083]：“p型GaxAl1-xN或GaxIn1-xN层23和p型GaN层24” | 对比文件公开了p型导电类型半导体层，与目标专利的“第二导电类型半导体层”对应，直接公开。 |
| 特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | [0082]：“具有至少一个有源区”；[0083]中n型层与p型层之间的层序列（包括未明确命名的有源层，但结合[0082]可知存在有源区位于两者之间） | 对比文件明确指出有源区位于半导体层序列中，且本领域技术人员公知在n型与p型层之间为有源层，因此直接公开。 |
| 特征K：第一电极（直接公开） | [0082]：“半导体本体1具有背侧接触11、前侧接触12” | 对比文件公开了前侧接触（12）作为电极，等同于目标专利的“第一电极”。 |
| 特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | [0082]：前侧接触12设置于半导体本体1上；[0083]中半导体本体1包括层序列7，接触12位于层序列之上。 | 前侧接触（12）直接布置在半导体本体（发光结构）的上表面，因此公开了第一电极布置在发光结构上。 |
| 特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件仅涉及单个器件，无多个发光器件，也未公开任何金属层连接相邻器件的支撑构件。 |
| 特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 无相关公开内容 | 无结合层公开，无相关尺寸限定。 |
| 特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 无相关公开内容 | 无结合层公开，凹凸结构也未提及。 |
| 特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 无相关公开内容 | 第一支撑构件和凹凸结构均未公开。 |
| 特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 无相关公开内容 | 无金属层，无第二支撑构件，无组成比较。 |
| 特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 无相关公开内容 | 无金属层，无结合层，无组成比较。 |
| 特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 无相关公开内容 | 无金属层，无组成比较。 |
| 特征T：进一步包括（未公开，实质指向欧姆层） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开欧姆层，仅提及接触金属化层（27、28）用于电极，并非欧姆层。 |
| 特征U：欧姆层（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未描述任何类似欧姆层的结构，也不存在其布置关系。 |
| 特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 无相关公开内容 | 欧姆层和第二支撑构件均未公开，布置关系不存在。 |
| 特征W：进一步包括（未公开，实质指向反射层） | 无相关公开内容 | 对比文件中的反射器（17）是杯状结构，并非反射层，且未布置在欧姆层与第二支撑构件之间。 |
| 特征X：反射层（未公开） | 无相关公开内容 | 对比文件未公开作为层的反射层，仅提及反射器（17）为壳体形状。 |
| 特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 无相关公开内容 | 反射层、欧姆层、第二支撑构件均未公开，该布置关系不存在。 |
### 公开性代码
根据上述判断，对比文件直接公开了技术特征F、H、I、J、K、L，因此插入对应大写代码：
<<<F>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>>