对比文件名称：US6111309A Semiconductor device
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
本次调用的模型名称：不适用
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>**《直接公开》** | [2] “The semiconductor device 10 has a semiconductor chip 1 mounted on a principal surface of the package ... and includes a substrate 8 made from e.g. ceramic.” (在描述半导体器件10的构成时，明确指出包括由例如陶瓷制成的基板8) | 对比文件明确公开了半导体器件包含一个基板（substrate 8），其作用是支撑半导体芯片并提供互连结构。这与目标专利中作为封装核心结构支撑体的“基板”技术特征相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：在所述基板的第一表面中的第一凹陷<br>**《直接公开》** | [2] “On the backside of the substrate 8, recesses 9 are formed from the back surface of the substrate toward the principal surface thereof...” (在基板8的背面，形成有从基板背面朝向正面延伸的凹陷9) | 对比文件明确公开了在基板（substrate 8）上形成有凹陷（recesses 9）。在对比文件中，凹陷9形成于基板的“第二侧/背面（second side/backside）”，用于容纳焊料栓（solder plug）以降低封装总厚度。在目标专利中，凹陷形成于“第一表面”，用于容纳互连以降低封装高度。虽然表面命名可能因视角不同（如目标专利中面向电路板的表面为“第一表面”，而对比文件中安装时面向印制板的基板背面可视为功能上的“第一表面”），但“基板上具有凹陷”这一核心结构特征已被直接公开，且作用均为容纳互连体以实现减薄。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分<br>**《直接公开》** | [2] “These solder plugs 4 are connected to lead interconnections on the principal surface of the substrate 8 via through holes (not shown) formed through the substrate.” (这些焊料栓4通过形成在基板中的通孔（未示出）连接到基板8正面的引线互连) | 对比文件明确提及了“通孔（through holes）”，并且描述其“穿过基板形成（formed through the substrate）”，用于将背面的焊料栓4电连接到正面的引线。这些通孔必然延伸穿过基板的实体部分（即非凹陷部分）。这与目标专利中“延伸穿过基板的非凹陷部分”的“第一穿基板通孔”在结构和作用（实现基板两侧的电连接）上相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征D**：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端<br>**《未公开》** | 未提及 | 对比文件虽然公开了通孔（through holes）和凹陷（recesses），但并未描述通孔在第一表面（即基板的正面或设置有引线的一面）的端部具体位于何处，更没有说明这些端部位于“毗邻所述第一凹陷的区域中”。目标专利该特征限定了通孔端部与凹陷的特定位置关系，而对比文件对此没有任何揭示或暗示。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器<br>**《未公开》** | 未提及 | 对比文件公开的通孔（through holes）仅用于将焊料栓电连接到正面的引线，以实现芯片与外部电路的信号传输。对比文件全文未提及任何利用穿基板通孔对通过基板表面上的导体连接以形成“嵌入式电感器”的结构、目的或作用。电感器的形成是目标专利的核心发明点之一，用于提供稳健的电感。该技术特征在对比文件中既无文字记载，也无法从已公开的内容中合理推断得出。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷<br>**《直接公开》** | [2] “...recesses 9 are formed... In the recess 9, solder is filled so that solder plugs 4 are formed.” (形成凹陷9...在凹陷9中填充焊料以形成焊料栓4) | 对比文件明确公开了在凹陷9中填充焊料形成“焊料栓（solder plugs 4）”。这些焊料栓4作为器件的互连结构，被包含在凹陷内并与凹陷（通过填充方式）耦合。这与目标专利中“被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷”的“第一互连”（如焊球）在结构、位置和作用上完全相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征G**：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一<br>**《直接公开》** | [2] “These solder plugs 4 are connected to lead interconnections on the principal surface of the substrate 8 via through holes (not shown) formed through the substrate.” (这些焊料栓4通过形成在基板中的通孔（未示出）连接到基板8正面的引线互连) | 对比文件公开了在基板8的“正面（principal surface）”上设有“引线互连（lead interconnections）”。这些引线互连通过穿基板通孔（through holes）电连接到背面凹陷中的焊料栓（第一互连）。虽然术语“重分布层（RDL）”是目标专利的用语，但对比文件中的“引线互连”在基板表面形成布线，其功能正是将互连（焊料栓）电耦合至穿基板通孔，起到了目标专利中“重分布层”的相同作用。本领域技术人员能够毫无疑义地认识到这一点。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器<br>**《未公开》** | 未提及 | 对比文件描述的是一个标准的CSP封装结构，其目的在于减薄厚度和增强连接可靠性。说明书中完全没有提及任何“电容器”元件，更未提及有“电容器”毗邻基板的第二表面（正面），也未有“第二穿基板通孔”（区别于前述通孔）电耦合至该电容器。该技术特征在对比文件中没有任何记载或暗示。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔<br>**《未公开》** | 未提及 | 由于技术特征E（形成嵌入式电感器）未被对比文件公开，因此作为其进一步限定的技术特征I（电感器包括至少两个通孔）也必然未被公开。对比文件中不存在“嵌入式电感器”这一概念。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器<br>**《未公开》** | 未提及 | 与技术特征I同理，由于技术特征E（形成嵌入式电感器）未被公开，因此其进一步限定的技术特征J（包括多个嵌入式电感器）也未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**《未公开》** | [2] “...includes a substrate 8 made from e.g. ceramic.” (包括一个由例如陶瓷制成的基板8) <br> [2] “solder plugs 4” (焊料栓4) | 对比文件明确公开的基板材料示例是“陶瓷（ceramic）”，并未提及“玻璃基板”。同时，对比文件中的互连体是“焊料栓（solder plug）”，虽然其主要成分也是焊料，但“焊料栓”是填充在凹陷内的实心柱体，而“焊球”通常指预成型的球形焊料体。两者在形态和形成工艺上存在差异，不能直接等同。该技术特征是对基板材料和互连形态的特定组合限定，对比文件未公开此组合。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱<br>**《未公开》** | 未提及 | 对比文件未提及基板为“半导体基板”，也未提及互连为“金属柱”。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**《未公开》** | 未提及 | 对比文件未提及基板为“有机基板”。虽然互连包含焊料，但如上所述，“焊料栓”与“焊球”在形态上存在区别。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球<br>**《未公开》** | 未提及 | 此特征与技术特征M完全相同，基于相同理由，未被对比文件公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷<br>**《未公开》** | [2] “a plurality of recesses arranged in matrix form on the second side” (在第二侧以矩阵形式排列的多个凹陷) | 对比文件确实公开了基板上有“多个凹陷（a plurality of recesses）”。然而，目标专利中的“第二凹陷”是相对于“第一凹陷”而言的，其隐含了可能存在功能或连接关系上的区分（例如后续特征P指出其互连仅具机械功能）。对比文件中的所有凹陷在结构和功能描述上均是同质的，均用于填充焊料栓以实现电连接，并未区分出具有特定目的（如纯机械固定）的“第二凹陷”。因此，虽然存在多个凹陷，但未公开具有目标专利所限定的特定含义或区分的“第二凹陷”。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P**：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球<br>**《未公开》** | 未提及 | 对比文件中所有凹陷内的焊料栓（solder plugs 4）均通过通孔连接到基板正面的引线，其功能是电连接，说明书并未提及存在任何仅用于机械紧固而无电功能的互连。因此，该技术特征未被公开。 |
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