对比文件名称：2003-07-11_JP2003197811A_发明专利_JP2003197811A Glass substrate, manufacturing method thereof, wiring base board and semiconductor module
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装CN106030782B
本次调用的模型名称：未提供
根据对目标专利说明书和权利要求以及对比文件说明书的理解，现创建特征比对表格如下：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A《直接公开》 | 段落[0015]：“1はガラス基板、2はガラス基板1に形成した貫通孔、3は貫通孔2内に充填された導体プラグ、4は配線、5は絶縁層、6は配線4と絶縁層5からなる再配線層、7は裏面配線、8はソルダレジスト、9ははんだボール、10は半導体素子（半導体チップ）、11は裏面はんだボール、をそれぞれ意味する。” | 对比文件明确公开了“ガラス基板”（玻璃基板）作为半导体模块的基底部分，其作用是为形成通孔、导体、布线以及安装半导体芯片提供支撑结构，这与目标专利中作为封装载体的“基板”所起的基础支撑作用是相同的。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出技术特征A。 |
| 技术特征B《未公开》 | 未发现相关内容。 | 目标专利中的“第一凹陷”是指在基板第一表面中形成的盲孔或凹槽，用于容纳互连体以降低封装高度（参见说明书[0025]-[0027]段）。对比文件通篇描述的是贯穿整个基板厚度的“貫通孔”（通孔），并未提及在基板表面形成任何凹陷或盲孔结构。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开技术特征B。 |
| 技术特征C《隐含公开》 | 段落[0015]-[0016]：“1はガラス基板…2はガラス基板1に形成した貫通孔…本実施の形態では、例えば板厚は０．５ｍｍのガラス基板１に板厚方向に二段階の内壁傾斜を有する貫通孔２をピッチ０．５ｍｍで形成している。” | 目标专利的“第一穿基板通孔”是延伸穿过基板非凹陷部分的通孔。对比文件公开了在玻璃基板1上形成的“貫通孔2”，这些孔延伸穿过整个基板厚度（板厚0.5mm）。虽然对比文件未明确区分“凹陷部分”和“非凹陷部分”（因其无凹陷），但其“貫通孔”本身必然是延伸穿过基板实体部分的。本领域技术人员能够从公开的“贯通的孔”这一概念，合理推断出这些孔是穿过基板材料的，即隐含了“延伸穿过所述基板的非凹陷部分”这一技术特征。 |
| 技术特征D《未公开》 | 未发现相关内容。 | 该特征限定了第一穿基板通孔的端部位于“第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域”。由于对比文件根本没有公开“第一凹陷”（特征B），因此也就不可能公开通孔端部与凹陷之间的“毗邻”位置关系。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征E《未公开》 | 段落[0021]：“受動素子部品１３についてもコンデンサ、インダクタ、抵抗、あるいはそれらの組み合わせなど、目的に応じて選定する。” | 目标专利的“嵌入式电感器”是通过基板相对第二表面上的导体连接两个第一穿基板通孔而形成的特定三维结构（参见说明书[0007]、[0011]段）。对比文件虽然提及了可以包括“インダクタ”（电感器）作为被动元件部件13，但并未描述任何通过基板第二表面上的导体将两个“貫通孔”耦合在一起以形成嵌入式电感器的具体结构。其通孔2内填充导体插塞3主要用于上下层间的垂直电连接（参见图1），而非专门用于构成电感器线圈。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征F《未公开》 | 段落[0015]、[0017]：“9ははんだボール…はんだボール９を介して半導体素子１０を搭載する。” | 目标专利的“第一互连”被明确限定为“被包括在所述第一凹陷内”。对比文件公开了“はんだボール”（焊球）9和11作为互连，但这些焊球是设置在基板表面（如再配线层6上或背面）的，如图1所示，并未被容纳在基板表面形成的凹陷或凹槽内。因此，对比文件未公开“互连被包括在凹陷内”这一关键限定。 |
| 技术特征G《直接公开》 | 段落[0015]-[0017]：“6は配線4と絶縁層5からなる再配線層…次いで、貫通孔２の孔径の小さい側の表面上に配線４と絶縁層５を交互に積層した再配線層６を形成する。…はんだボール９を介して半導体素子１０を搭載する。” | 目标专利的“重分布层”位于基板第一表面上，用于电耦合互连和穿基板通孔。对比文件明确公开了“再配線層6”，它由布线4和绝缘层5交替层叠形成在“貫通孔２の孔径の小さい側の表面上”（即基板的一侧表面）。该再配线层6通过导体插塞3与贯通孔2电连接，并且焊球9设置在再配线层上。因此，对比文件的“再配線層”相当于“重分布层”，其被配置为将焊球（互连）电耦合至贯通孔（穿基板通孔）。两者的作用均为实现电连接和间距转换，因此技术特征G被直接公开。 |
| 技术特征H《未公开》 | 段落[0021]：“受動素子部品１３についてもコンデンサ、インダクタ、抵抗、あるいはそれらの組み合わせなど、目的に応じて選定する。” | 该特征限定了毗邻基板第二表面的电容器以及电耦合至它的“第二穿基板通孔”。对比文件虽然提到被动元件部件13可以包括电容器，但并未描述任何“电容器毗邻基板的对向第二表面”的具体结构，更没有公开“第二穿基板通孔”（即从凹陷延伸至第二表面的通孔）电耦合至该电容器。其被动元件13似乎是安装在基板表面上的分立元件。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征I《未公开》 | (基于特征E未公开) | 该特征是特征E的从属特征，进一步限定嵌入式电感器包括至少两个第一穿基板通孔。由于形成嵌入式电感器的核心特征E未被对比文件公开，因此该从属特征I也未被公开。 |
| 技术特征J《未公开》 | (基于特征E未公开) | 该特征是特征E的从属特征，进一步限定包括多个嵌入式电感器。由于形成嵌入式电感器的核心特征E未被对比文件公开，因此该从属特征J也未被公开。 |
| 技术特征K《直接公开》 | 段落[0015]：“1はガラス基板…9ははんだボール” | 对比文件明确且反复地公开了基板是“ガラス基板”（玻璃基板），并且互连包括“はんだボール”（焊球）。这与技术特征K的限定完全一致。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征L《未公开》 | 段落[0049]：“以上の例ではガラス基板に貫通孔を形成し、半導体実装基板を形成する例について説明したが、これに限らす、例えばシリコンウエハやセラミックスに微細貫通孔を形成し、配線形成する場合にも全く同じ手法を適用することが可能である。” | 该特征限定了基板是“半导体基板”且第一互连是“金属柱”。对比文件在段落[0049]中提到可将相同方法应用于“シリコンウエハ”（硅晶圆，一种半导体基板），但并未具体描述在该半导体基板上实施的实施例，更没有提及互连为“金属柱”。其具体实施方式中互连均为焊球。因此，对比文件未直接或隐含公开该特定组合的技术特征。 |
| 技术特征M《未公开》 | 段落[0002]：“コア基板には用途によってガラスエポキシ基板などの有機基板やセラミック基板などの無機材料基板が用いられることが多い。” | 该特征限定了基板是“有机基板”且第一互连是“焊球”。对比文件在背景技术部分提及了“ガラスエポキシ基板などの有機基板”（玻璃环氧基板等有机基板）可能被用作核心基板，但在本发明的具体实施方式（如图1、段落[0015]）中，明确使用的是“ガラス基板”（玻璃基板），而非有机基板。同时，其实施例中的互连是焊球。但对比文件并未将“有机基板”与“焊球互连”在该发明的具体方案中结合起来公开。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征N《未公开》 | 同特征M。 | 特征N与特征M的文字描述完全一致，基于相同理由，该特征也未被公开。 |
| 技术特征O《未公开》 | 未发现相关内容。 | 同技术特征B，对比文件未公开任何在基板表面形成的“凹陷”结构。因此，技术特征O（第二凹陷）也未被公开。 |
| 技术特征P《未公开》 | 未发现相关内容。 | 该特征依赖于第二凹陷（特征O）以及容纳于其中且仅具机械紧固功能的第二互连。由于对比文件未公开凹陷，也未公开任何仅具机械功能（无电功能）的焊球（其焊球9、11均用于电连接），因此该特征未被公开。 |
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