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对比文件列表
1998-12-22_None_发明专利_JPH10340929A Wiring board for mounting electronic part_+++A_B_F_K_M_N_c_g+++.docx
2026-03-10 16:02
2000-03-03_JP2000068399A_发明专利_JP2000068399A Semiconductor device_+++A_B_C_D_F_M_N_O_g+++.docx
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2000-08-29_US6111309A_发明授权_US6111309A Semiconductor device_+++A_B_C_F_G+++.docx
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2002-09-27_JP2002280490A_发明专利_JP2002280490A Circuit board and its manufacturing method as well as semiconductor device using the same_+++A_F_G_c_o+++.docx
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2003-05-27_US6569604B_发明授权_US06569604B1 Blind via formation in a photoimageable dielectric material_+++A_C_F_O_b_d_g_k_m+++.docx
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2003-07-11_JP2003197811A_发明专利_JP2003197811A Glass substrate, manufacturing method thereof, wiring base board and semiconductor module_+++A_G_K_c+++.docx
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2004-02-26_US2004036170A_发明申请_US20040036170A1 Double bumping of flexible substrate for first and second level interconnects_+++A_B_C_D_F_G_O+++.docx
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2004-03-18_JP2004087737A_发明专利_JP2004087737A Printed wiring board for evaluation_+++A_C_K_g+++.docx
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2005-02-02_CN1574349A_发明公开_CN1574349A 大规模集成电路封装_+++A_C_G_M_N_b+++.docx
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2008-04-30_JP4082220B_发明专利_JP4082220B2 Wiring board, a method of manufacturing a semiconductor module and semiconductor module_+++A_b_c_k_l_m_n_o+++.docx
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2009-07-02_US2009166846A_发明申请_US20090166846A1 PASS-THROUGH 3D INTERCONNECT FOR MICROELECTRONIC DIES AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS_+++A_C_g_l+++.docx
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2009-10-01_JP2009224567A_发明专利_JP2009224567A Structure, printed circuit board_+++A_C_J_e_i+++.docx
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2011-08-04_US2011186998A_发明申请_US20110186998A1 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES_+++A_B_L_O_c_d_f_g+++.docx
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2011-08-31_CN102169841A_发明公开_CN102169841A 凹入的半导体基底和相关技术_+++A_C_G_k_l+++.docx
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2011-08-31_CN102169842A_发明公开_CN102169842A 用于凹陷的半导体基底的技术和配置_+++A_C_G_f_l+++.docx
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2011-11-16_TW201140714A_发明专利_TW201140714A 凹入的半導體基底和相關技術 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND ASSOCIATED TECHNIQUES_+++A_B_C_G_L_O+++.docx
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2011-11-16_TW201140768A_发明专利_TW201140768A 凹陷的半導體基底 RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES_+++A_B_F_G_L_O_c_d_p+++.docx
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2012-09-19_CN102687255A_发明公开_CN102687255A 凹陷半导体衬底_+++A_B_F_G_L_O_c+++.docx
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2012-10-10_CN102723306A_发明公开_CN102723306A 一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法_+++A_B_C_d_e_i+++.docx
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2012-10-18_US2012261787A_发明申请_US20120261787A1 PASSIVE DEVICES FABRICATED ON GLASS SUBSTRATES, METHODS OF MANUFACTURE AND DESIGN STRUCTURES_+++A_C_K_e_g_h_i_j+++.docx
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2013-01-31_US2013026609A_发明申请_US20130026609A1 PACKAGE ASSEMBLY INCLUDING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH STRESS RELIEF STRUCTURE_+++A_B_F_c_g+++.docx
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2013-05-23_WO2013072775A_发明申请_WO2013072775A2 PACKAGE ASSEMBLY INCLUDING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH STRESS RELIEF STRUCTURE_+++A_B_F_O_c_d_g_p+++.docx
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2013-06-01_TW201322418A_发明专利_TW201322418A 包括具有應力消除結構的半導體基板的封裝組裝_+++A_B_F_O_c_g+++.docx
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2013-10-07_JP2013538010A_发明专利_JP2013538010A Integrated passive components and power amplifier_+++A_C_K_g+++.docx
2026-03-10 16:03
2014-05-08_US2014124961A_发明申请_US20140124961A1 TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS FOR RECESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES_+++A_F_G_L_b_c_o_p+++.docx
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2014-10-08_CN102723306B_发明授权_CN102723306B 一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法_+++A_B_C_e_g_i+++.docx
2026-03-10 16:03
2014-10-16_US2014306350A_发明申请_US20140306350A1 METHOD OF MANUFACTURING THROUGH-GLASS VIAS_+++A_B_c_d_o+++.docx
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US2004183205A1_Description_20260223_1512_+++A_C_m_n+++.docx
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US2004184219A1_Description_20260223_1512_+++A_B_C_O_d_h+++.docx
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US2013113448A1_Description_20260223_1512_+++A_C_E_I_K_g+++.docx
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WO2007129526A1_Description_20260223_1512_+++A_c_j+++.docx
2026-03-10 16:03
未完成_+++A_E_I_b_c_d_f_g_k_o+++.docx
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2005-02-02_CN1574349A_发明公开_CN1574349A 大规模集成电路封装_+++A_C_G_M_N_b+++.docx

**对比文件名称**:2005-02-02_CN1574349A_发明公开_CN1574349A 大规模集成电路封装

**目标专利名称**:203具有无源器件的低剖型封装CN106030782B

**本次调用的模型名称**:DeepSeek

### **特征比对表格**

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**A:包括:基板《直接公开》**“LSI封装包括形成LSI封装主体的基板1和LSI芯片2。”(具体实施方式部分)对比文件明确公开了LSI封装包含基板(基板1),该基板构成了封装的主体。这与目标专利权利要求中的“基板”特征相同,本领域技术人员能够毫无疑义地确定。
**B:在所述基板的第一表面中的第一凹陷《隐含公开》**“在结合的热固树脂膜中形成凹槽以便于嵌入电容器元件9a和9b。”(具体实施方式部分)对比文件公开了在基板(热固树脂板7)中形成“凹槽”以容纳电容器元件。虽然该凹槽的主要作用是嵌入电容器,而非容纳互连以降低剖面高度,但其在基板表面形成的凹陷结构与目标专利的“凹陷”相同。根据宽松的隐含公开判断标准,本领域技术人员可以从“形成凹槽”这一内容中,合理推断出基板表面存在凹陷结构。
**C:多个第一穿基板通孔,所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分《直接公开》**“通孔35a和35b分别直接连接到导电板27a。”(具体实施方式部分)对比文件多次提及“通孔”(如通孔35a、35b),这些通孔是穿过基板(如多层电路板、树脂板等)的垂直电连接结构。由于这些通孔用于连接不同层的导体或接地板,它们必然延伸穿过基板的非凹陷部分(即非凹槽区域)。因此,该特征被直接公开。
**D:所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端《未公开》**无对应内容。对比文件未描述通孔的端部位于基板表面并与“凹槽”(即凹陷)区域相毗邻。通孔的一端可能连接到LSI芯片的端子或电容器电极,但其与凹槽的位置关系并未被揭示。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该特定位置关系。
**E:,其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器《未公开》**“电感元件可以提供在源电压供应端4a与端5a和8a中的一个之间。”(具体实施方式部分)对比文件提到了可以设置“电感元件”,但并未描述该电感元件是由两个穿基板通孔通过基板第二表面上的导体相互耦合而形成的“嵌入式电感器”。电感元件可以是独立的、预先制造好的组件。目标专利中特定的、由穿基板通孔对形成的嵌入式电感器结构在对比文件中未被公开。
**F:所述器件的第一互连,所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷《未公开》**“多个焊球以格栅图案布置在基板1的一个表面上,作为端4。”(具体实施方式部分)对比文件公开了互连(焊球作为端4),但这些焊球是布置在基板的“表面上”,而非被容纳在“凹陷内”。目标专利的核心之一是将互连置于凹陷中以降低封装高度,该具体结构在对比文件中未被揭示。
**G:以及在所述基板的第一表面上的重分布层,其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。《直接公开》**“源电压供应端4a在多层电路板6的内部分支,并且连接到多层电路板6的另一表面上提供的端8a和8b。...端8a...穿过热固树脂板7,且分别连接到多层电路板5的一个表面上提供的端5a...电容器元件9a的端直接连接到端5a和5c。”(具体实施方式部分)对比文件中的“多层电路板5”、“多层电路板6”及其内部布线构成了在基板表面或层间进行电气布线和连接的层,其功能与目标专利的“重分布层”相同,即重新分布电路连接。具体地,焊球(端4a)通过多层电路板(重分布层)内部的布线路径,最终连接到穿基板通孔(如端8a至端5a的连接路径中涉及的垂直连接结构)和电容器元件。这直接公开了重分布层将互连电耦合至穿基板通孔(或类似结构)的特征。
**H:其特征在于,进一步包括:电容器,所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面,其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。《未公开》**“电容器元件9a和9b被嵌入到热固树脂板7中。”(具体实施方式部分)对比文件公开了电容器元件(9a,9b)嵌入在基板(热固树脂板7)内部,但并未明确其“毗邻基板的对向第二表面”。更重要的是,目标专利中定义了“第二穿基板通孔”是从凹陷延伸至第二表面的较短通孔,专门用于耦合电容器以减小寄生效应。对比文件中的电容器连接并未涉及此类从凹陷开始的、长度缩短的专用穿基板通孔结构。因此,该特征未被公开。
**I:其特征在于,所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。《未公开》**无对应内容。如特征E所述,对比文件未公开由穿基板通孔对形成的“嵌入式电感器”,因此自然也未能公开该电感器包含至少两个第一穿基板通孔这一具体构成。
**J:其特征在于,所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。《未公开》**无对应内容。对比文件未公开一个嵌入式电感器,更未公开存在多个嵌入式电感器。
**K:其特征在于,所述基板包括玻璃基板,并且其中所述第一互连包括焊球。《未公开》**无对应内容。对比文件的基板由多层电路板和热固树脂板构成,属于有机或复合材料基板,并未提及“玻璃基板”。因此,该特定基板材料特征未被公开。
**L:其特征在于,所述基板包括半导体基板,并且其中所述第一互连包括金属柱。《未公开》**无对应内容。对比文件未提及基板为“半导体基板”,也未提及互连为“金属柱”。
**M:其特征在于,所述基板包括有机基板,并且其中所述第一互连包括焊球。《直接公开》**“基板1具有三层结构,其包括...热固树脂板7。”“多个焊球以格栅图案布置在基板1的一个表面上,作为端4。”(具体实施方式部分)对比文件明确其基板包含“热固树脂板”,这是一种典型的有机材料。同时,其互连明确为“焊球”。因此,基板包括有机基板且第一互连为焊球的组合技术特征被直接公开。
**N:其特征在于,所述基板包括有机基板,并且其中所述第一互连包括焊球。《直接公开》**同特征M。此特征与特征M完全相同,基于相同理由被直接公开。
**O:其特征在于,进一步包括:在所述基板的第一表面中的第二凹陷《未公开》**无对应内容。对比文件仅提及用于嵌入电容器的“凹槽”(对应于第一凹陷),未描述存在第二个具有其他目的或结构的凹陷。
**P:以及所述器件的第二互连,所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷,其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。《未公开》**无对应内容。对比文件未公开仅用于机械紧固功能的、置于凹陷内的第二互连。

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