对比文件名称：2005-12-21_CN1710711A_发明公开_CN1710711A 标准单元、标准单元库和半导体集成电路
目标专利名称：232共享扩散标准单元架构CN104769718B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的N型扩散区域<br>**公开性判断**：未公开 | 说明书第[0014]段：“设置在半导体层101内与p型扩散区域104不同区域中的n型扩散区域105”<br>说明书第[0015]段：“设置在半导体层101内与p型扩散区域304不同区域中的n型扩散区域305”<br>（以及图1-6中均示出N型扩散区域位于单元边界内） | 对比文件公开了标准单元中包含N型扩散区域。然而，根据其说明书文字描述及附图（图1-6）所示，N型扩散区域（如105, 205a-c, 305, 405, 505a-b）均明确绘制在单元边界内部，并未有任何文字或图示表明该扩散区域“延伸到所述单元外”。目标专利的核心创新点之一是扩散区域跨单元边界延伸以实现共享和性能改善，而对比文件解决的是栅极图案规则性问题，其扩散区域完全位于单元内部。因此，对比文件未公开本特征。 |
| **技术特征B**：跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的P型扩散区域<br>**公开性判断**：未公开 | 说明书第[0014]段：“设置在位于半导体层101内电源布线102和接地布线103之间的区域中的p型扩散区域104”<br>说明书第[0015]段：“设置在位于半导体层301内电源布线302和接地布线303之间的区域中的p型扩散区域304”<br>（以及图1-6中均示出P型扩散区域位于单元边界内） | 对比文件公开了标准单元中包含P型扩散区域。然而，根据其说明书文字描述及附图（图1-6）所示，P型扩散区域（如104, 204a-c, 304, 404, 504a-b）均明确绘制在单元边界内部，并未有任何文字或图示表明该扩散区域“延伸到所述单元外”。目标专利要求扩散区域跨单元边界延伸，而对比文件的扩散区域完全位于单元内部，服务于不同的技术目的（改善栅极规则性）。因此，对比文件未公开本特征。 |
| **技术特征C**：在每个扩散区域之上的至少一个导电栅极，以创建半导体器件<br>**公开性判断**：《直接公开》 | 说明书第[0014]段：“设置在p型扩散区域104上且相互只离开距离S1的栅极107～111”、“设置在n型扩散区域105上且相互只离开距离S1的栅极114～118”<br>说明书第[0015]段：“在p型扩散区域304上相互离开设置的栅极307～311”、“在n型扩散区域305上相互离开设置的栅极314～318”<br>（图1、图3等均明确示出在P型和N型扩散区域上设置有栅极） | 对比文件明确公开了在P型扩散区域（104）和N型扩散区域（105）上设置栅极（107-111, 114-118），这些栅极与扩散区域交叉构成晶体管（Tr107-Tr111, Tr114-Tr118），即创建了半导体器件。这与目标专利中“在每个扩散区域之上的至少一个导电栅极，以创建半导体器件”的技术特征完全相同。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **技术特征D**：虚设栅极对，每个虚设栅极布置在所述N型扩散区域和所述P型扩散区域之上以至少创建虚设器件对，该对虚设栅极布置在所述单元的相对的边缘处<br>**公开性判断**：未公开 | 说明书第[0014]段：“设置在位于半导体层101内p型扩散区域104两侧的部分上且分别与栅极107、111只离开距离S1的伪栅极106、112”、“设置在位于半导体层101内n型扩散区域105两侧的部分上且分别与栅极114、118只离开距离S1的伪栅极113、119”<br>（图1示出伪栅极106、112位于P扩散区104两侧，伪栅极113、119位于N扩散区105两侧） | 对比文件公开了在扩散区域两侧设置“伪栅极”（如106, 112, 113, 119），这些伪栅极设置在扩散区域以外的半导体层上。然而，目标专利要求“每个虚设栅极布置在所述N型扩散区域和所述P型扩散区域之上”，这意味着单个虚设栅极必须同时跨越并覆盖N型和P型两种扩散区域。对比文件的伪栅极（如106, 112）仅布置在P型扩散区域104侧方的区域（半导体层上），并未布置在N型扩散区域105之上；伪栅极113、119同理。因此，对比文件的伪栅极结构与本特征不同。此外，对比文件的伪栅极对（106与112，113与119）虽在单元相对侧，但并未形成如目标专利所述的“虚设器件对”。 |
| **技术特征E**：以及至少一个第一导线，所述至少一个第一导线被配置成将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到供电源以禁用所述至少一个虚设器件，<br>**公开性判断**：《隐含公开》 | 说明书第[0014]段：“设置在栅极109两邻的栅极108、110向电源布线102方向延长，通过接点120、121与电源布线102连接，固定在电源电位上。”<br>（图1中明确示出栅极108、110通过接点120、121连接到电源布线102） | 对比文件公开了将特定栅极（108, 110）通过接点（120, 121）连接到电源布线（102），从而将其电位固定，使对应的晶体管（Tr108, Tr110）处于截止（禁用）状态。虽然对比文件中被禁用的是位于单元内部、作为有效器件一部分的栅极（108, 110），而非目标专利中位于单元边缘、由虚设栅极与扩散区域交叉形成的“虚设器件”，但两者在“通过导线将器件耦合到供电源以禁用它”这一技术手段上完全相同。本领域技术人员可以从对比文件公开的“将栅极连接到电源以截止晶体管”这一技术手段出发，合理地推理出，若存在需要禁用的器件（无论是内部有效器件还是边缘的虚设器件），均可采用同样的导线连接电源的方式来实现禁用。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征F**：其中所述供电源在所述单元的一侧上，<br>**公开性判断**：《直接公开》 | 说明书第[0014]段：“设置在半导体层101一端上的电源布线102”<br>（图1、2、3、4、5、6等所有附图均明确显示电源布线（102, 202, 302, 402, 502）位于单元的一端/一侧） | 对比文件明确且一致地公开了其标准单元中，电源布线（如102）设置在半导体层的一端。这直接对应于目标专利中“供电源在所述单元的一侧上”的技术特征。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **技术特征G**：其中耦合到所述至少一个第一导线的所述至少一个虚设器件布置在所述单元的仅一个边缘上，<br>**公开性判断**：未公开 | 说明书第[0014]段：“设置在栅极109两邻的栅极108、110向电源布线102方向延长，通过接点120、121与电源布线102连接，固定在电源电位上。”<br>说明书第[0015]段：“使栅极411比其它栅极407～410向电源布线402方向延长，通过接点420与电源布线402连接，固定在电源电位上。” | 对比文件公开了将单元内部或特定位置的栅极（如108, 110; 411）连接到电源。然而，目标专利要求被禁用的“虚设器件”是“布置在所述单元的仅一个边缘上”。首先，对比文件中被连接的栅极（108, 110）位于单元内部，并非在“单元边缘”。其次，虽然图4中的栅极411位于单元右端，但对比文件并未明确其位于“单元边缘”，且其上下文是关于与邻接单元共享伪栅极的场景，并未强调“仅在一个边缘上”进行此类连接。目标专利此特征与“一指单元”架构（电源仅在一侧）紧密相关，而对比文件没有公开这种架构下的边缘器件禁用规则。因此，对比文件未公开本特征。 |
| **技术特征H**：并且在所述单元的所述边缘的相对边缘上的至少一个虚设器件不耦合至在所述单元的所述一侧上的所述供电源。<br>**公开性判断**：未公开 | 对比文件未描述在单元一个边缘上的器件被连接到电源时，其相对边缘上的器件“不耦合”到该同一侧电源的情况。 | 该特征描述了在一指单元架构中，电源仅在一侧，因此只有一侧边缘的虚设器件能被该侧电源禁用，而另一侧边缘的虚设器件则不能连接至此电源（需通过其他方式，如邻接单元的结扎来禁用）。这是目标专利为特定单元布局规则设定的条件。对比文件完全没有涉及或暗示这种在单元不同边缘上器件与单一侧电源的连接关系限制。因此，对比文件未公开本特征。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个第一导线与所述至少一个虚设器件的虚设栅极以及限定在所述至少一个导电栅极与所述至少一个虚设器件的虚设栅极之间的扩散区域部分接触。<br>**公开性判断**：未公开 | 对比文件未描述导线同时与栅极以及栅极之间的扩散区域部分接触的结构。图1、3、4等仅显示接点（如120,121）与栅极（108,110）接触。 | 该特征描述了导线（栅极结扎）与虚设栅极以及两者之间的扩散区域部分均接触的特定物理结构（如图2中的214）。这是目标专利中实现特定电学连接和可能的结构稳定的具体实施方式。对比文件中所有关于导线（通过接点）连接栅极的图示和描述，都只显示导线与栅极本身接触，从未提及与栅极之间的扩散区域接触。因此，对比文件未公开此具体结构特征。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个导电栅极包括在每个扩散区域之上的多个导电栅极<br>**公开性判断**：《直接公开》 | 说明书第[0014]段：“设置在p型扩散区域104上且相互只离开距离S1的栅极107～111”、“设置在n型扩散区域105上且相互只离开距离S1的栅极114～118”<br>（图1明确示出在P型扩散区域104上有多个栅极107-111，在N型扩散区域105上有多个栅极114-118） | 对比文件明确公开了在同一个P型扩散区域（104）上设置有多个栅极（107, 108, 109, 110, 111），在同一个N型扩散区域（105）上也设置有多个栅极（114, 115, 116, 117, 118）。这直接对应于目标专利中“在每个扩散区域之上的多个导电栅极”的技术特征。本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **技术特征K**：并且所述单元进一步包括布置在所述多个导电栅极之间的输出接头。<br>**公开性判断**：未公开 | 对比文件全文及附图中均未提及或显示“输出接头（output tab）”这一结构。 | “输出接头”（如图2中的204）是目标专利中描述的一个具体布局元件，用于输出信号的连接。对比文件的标准单元布局描述中，虽然提及存在输入输出引脚（第[0014]段），但未具体描述其位置和结构，更没有公开“布置在所述多个导电栅极之间”的“输出接头”这一特定特征。因此，对比文件未公开本特征。 |
| **技术特征L**：其特征在于，每个虚设栅极包括经切割的虚设栅极对，每个经切割的虚设栅极或是与所述P型扩散区域相关联或是与所述N型扩散区域相关联。<br>**公开性判断**：未公开 | 对比文件中的“伪栅极”（如106, 112, 113, 119）是完整的条状结构，附图未显示其被切割。说明书也未描述伪栅极被切割或分别与P型或N型扩散区域相关联。 | 该特征描述了目标专利中由于“多晶线切割掩模”（图2中的212）的存在，导致跨越P型和N型扩散区域的虚设栅极被切割成上下两段，分别与P型或N型扩散区域相关联。对比文件中的伪栅极设置在扩散区域之外的区域（如“设置在位于半导体层101内p型扩散区域104两侧的部分上”），并非跨在扩散区域之上，因此不存在被切割以及与特定类型扩散区域相关联的概念。因此，对比文件未公开本特征。 |
| **技术特征M**：其特征在于，每个经切割的虚设栅极形成P型虚设器件或N型虚设器件的一部分。<br>**公开性判断**：未公开 | 对比文件未描述伪栅极形成P型或N型虚设器件。其伪栅极设置在扩散区域之外的半导体层上，不与扩散区域交叉，因此不构成任何器件（说明书第[0014]段：“它们对晶体管的工作没有贡献”）。 | 该特征依赖于特征L的“经切割的虚设栅极”。既然对比文件未公开被切割且与扩散区域相关联的虚设栅极，自然也就未公开由这样的栅极形成的P型或N型虚设器件。对比文件的伪栅极不构成有源器件。因此，对比文件未公开本特征。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括至少一个第二导线，所述至少一个第二导线被配置将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到接地，以禁用所述至少一个虚设器件。<br>**公开性判断**：《隐含公开》 | 说明书第[0014]段：“设置在栅极116两邻的栅极115、117向接地布线103方向延长，通过接点122、123与接地布线103连接，固定在接地电位上。”<br>（图1中明确示出栅极115、117通过接点122、123连接到接地布线103） | 对比文件公开了将特定栅极（115, 117）通过接点（122, 123）连接到接地布线（103），从而将其电位固定，使对应的晶体管（Tr115, Tr117）处于截止（禁用）状态。这与特征E的原理相同，只是连接的电源极性不同（接地 vs. 电源）。虽然对比文件中被禁用的是有效晶体管的栅极，而非目标专利定义的“虚设器件”，但“通过导线将器件耦合到接地以禁用它”这一技术手段是相同的。本领域技术人员可以从对比文件公开的“将栅极连接到接地以截止晶体管”推理出，若需要禁用的器件，也可采用同样的导线接地方式来实现。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
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