**对比文件名称**：2009-07-14_US7562326B_发明授权_US07562326B2 Method of generating a standard cell layout and transferring the standard cell layout to a substrate
**目标专利名称**：CN104769718B 共享扩散标准单元架构
**本次调用的模型名称**：专利创造性评估模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 包括跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的N型扩散区域。 <br> **判断结果：未公开** | 说明书[0019]段：“each of the leaf cell layouts according to the present invention is a rectangle... The leaf cell layout normally includes several layers of overlapping layout patterns e.g. a diffusion pattern 30...”； 图1， 图5， 图8等示出了扩散图案。 | **论述**：对比文件公开了标准单元布局中包含扩散图案（diffusion pattern），例如图1、5、8中标记为30的图案。然而，这些扩散图案被描述为叶单元布局（leaf cell layout）内部的组成部分。对比文件完全没有提及或暗示该扩散图案会“延伸到所述单元外”。其发明目的在于通过组合简单叶单元来快速生成复杂单元布局，关注的是布局的模块化和效率。扩散图案在其中的作用是构成晶体管器件（如PMOS、NMOS）的有源区，其范围被限定在叶单元边界内，以进行独立的组合。这与目标专利中为了“共享扩散”以改善边缘器件性能而**刻意将扩散区域设计为延伸出单元边界**的技术手段和作用均不相同。因此，本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出技术特征A。 |
| **技术特征B：** 跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的P型扩散区域。 <br> **判断结果：未公开** | 说明书[0019]段：“each of the leaf cell layouts according to the present invention is a rectangle... The leaf cell layout normally includes several layers of overlapping layout patterns e.g. a diffusion pattern 30...”； 图1， 图5， 图8等示出了扩散图案。 | **论述**：同技术特征A，对比文件虽然公开了扩散图案的存在，但并未公开该图案会跨单元延伸并延伸到单元外。其附图显示的扩散图案（30, 50）均位于单元边界内部。对比文件未区分N型或P型扩散，也未描述扩散区域具有延伸出边界的特性。该扩散图案在对比文件中的作用是作为晶体管器件的一部分，并被包含在独立的叶单元模块中以便拼接，与目标专利中为了实现扩散共享和性能优化的目的不同。因此，技术特征B未被对比文件公开。 |
| **技术特征C：** 在每个扩散区域之上的至少一个导电栅极，以创建半导体器件。 <br> **判断结果：《直接公开》** | 说明书[0019]段：“The leaf cell layout normally includes several layers of overlapping layout patterns e.g. a diffusion pattern 30, a polycrystalline silicon (poly) pattern 32...”； 图1， 图5， 图8等示出了在扩散图案30上方的多晶硅图案32。 | **论述**：对比文件明确公开了在扩散图案（30）之上存在多晶硅图案（32）。多晶硅图案在半导体制造中即作为晶体管的栅极（导电栅极）。当扩散区（有源区）与多晶硅栅极相交时，便形成了MOSFET等半导体器件的基本结构，即“创建半导体器件”。这与目标专利中“在每个扩散区域之上的导电栅极，以创建半导体器件”的作用完全相同，都是利用栅极和扩散区来定义晶体管。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。 |
| **技术特征D：** 虚设栅极对，每个虚设栅极布置在所述N型扩散区域和所述P型扩散区域之上以至少创建虚设器件对，该对虚设栅极布置在所述单元的相对的边缘处。 <br> **判断结果：《直接公开》** | 说明书[0021]段：“The leaf cell layouts of the second group are cell boundary leaf cell layouts CB, which are normally disposed on both sides of the main leaf cell layouts to define the boundary of the standard cell layout.”； 图1， 图5， 图8， 图9等示出了位于单元两侧的CB叶单元，其中包含多晶硅图案（32, 52）。 | **论述**：对比文件公开了“单元边界叶单元布局（cell boundary leaf cell layouts CB）”，其通常被布置在主叶单元布局的两侧以定义标准单元的边界（即“相对的边缘处”）。这些CB布局包含扩散图案（30,50）和多晶硅图案（32,52）。当CB布局中的多晶硅图案（作为栅极）与下方的扩散图案相交时，实际上就形成了一个晶体管结构。虽然对比文件未明确称其为“虚设栅极”或“虚设器件”，但其物理结构与目标专利中位于单元边缘、在扩散区域之上的栅极结构完全相同。在目标专利中，此类边缘栅极被称为“虚设栅极”，其初始物理结构也是有效的晶体管（潜在有效器件），只是后续通过电学连接（结扎）将其禁用。对比文件中的CB布局，其作用之一是定义边界并可能用于隔离或满足设计规则，其结构本身即构成了“布置在扩散区域之上的栅极”。因此，对比文件直接公开了在单元相对边缘处存在这样的栅极对，并且它们位于扩散区域之上。 |
| **技术特征E：** 以及至少一个第一导线，所述至少一个第一导线被配置成将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到供电源以禁用所述至少一个虚设器件。 <br> **判断结果：未公开** | 说明书[0019]段提及“first-layered metal pattern 36”； 图1， 图5， 图8等示出了金属图案36。 | **论述**：对比文件公开了标准单元布局中包含第一层金属图案（36），用于布线连接。然而，对比文件从未描述或暗示该金属图案（或任何导线）被用于将位于单元边界（CB布局中）的器件“耦合到供电源以禁用”该器件。对比文件中金属图案的作用是实现单元内部或单元间的电学互联（如信号、电源、地线的连接），以满足电路逻辑功能，完全没有涉及通过连接到电源来“禁用”边缘器件的概念。这是目标专利的核心发明点之一，旨在解决扩散延伸后边缘潜在有效器件的漏电问题。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征F：** 其中所述供电源在所述单元的一侧上。 <br> **判断结果：未公开** | 无相关内容。 | **论述**：对比文件全文未提及标准单元中供电电源的具体位置安排。其关注点在于单元布局的生成方法和模块组合，不涉及电源布线架构或单元内部电源分布的具体描述。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G：** 其中耦合到所述至少一个第一导线的所述至少一个虚设器件布置在所述单元的仅一个边缘上。 <br> **判断结果：未公开** | 无相关内容。 | **论述**：该特征依赖于技术特征E（通过导线耦合电源以禁用）的存在。由于对比文件未公开通过导线耦合电源来禁用虚设器件的技术手段，因此自然也谈不上公开“仅在一个边缘上”进行这种耦合的具体布局。对比文件中的CB布局出现在单元两侧（见图5、9），但并未对其中的器件进行差异化的电学处理。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H：** 并且在所述单元的所述边缘的相对边缘上的至少一个虚设器件不耦合至在所述单元的所述一侧上的所述供电源。 <br> **判断结果：未公开** | 无相关内容。 | **论述**：同技术特征G，该特征是对虚设器件电学连接状态的进一步限定，其前提（通过电源连接禁用）未被对比文件公开。对比文件未描述单元两侧边界器件与电源连接关系的差异。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：** 其特征在于，所述至少一个第一导线与所述至少一个虚设器件的虚设栅极以及限定在所述至少一个导电栅极与所述至少一个虚设器件的虚设栅极之间的扩散区域部分接触。 <br> **判断结果：未公开** | 无相关内容。 | **论述**：这是对“结扎”导线具体连接结构的详细限定。对比文件虽然展示了金属图案（36）与接触孔（34）以及多晶硅图案（32）可能存在连接（见图5、11、12），但从未公开一种特定的导线，其同时连接到“虚设栅极”和“该虚设栅极与有效栅极之间的扩散区域”。这种特定的接触结构是目标专利实现可靠结扎、确保虚设器件完全关闭的具体手段。对比文件完全没有揭示这样的结构。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J：** 其特征在于，所述至少一个导电栅极包括在每个扩散区域之上的多个导电栅极。 <br> **判断结果：《隐含公开》** | 说明书[0020]段：“As shown in FIG. 2, five inverter leaf cell layouts INV are drawn. The inverter leaf cell layouts have similar arrangements...”； 图2示出了多个INV叶单元，每个都包含多晶硅图案。说明书[0039]段及图8-13描述了通过组合多个叶单元（如INV， TG）来形成复杂标准单元（如多路复用器）。 | **论述**：对比文件公开的标准单元是由多个叶单元（如多个INV， TG）拼接而成的。每个叶单元（如INV）内部包含至少一个多晶硅图案（导电栅极）和扩散图案。当多个这样的叶单元沿短轴方向排列并拼接时，在连续的扩散区域（可能由多个叶单元的扩散图案对接形成）之上，就会存在多个多晶硅图案（导电栅极）。例如，图10中拼接后的多路复用器单元，其扩散区域（50）上方就有多个多晶硅图案（52）。本领域技术人员根据对比文件公开的“组合多个叶单元形成标准单元”的方法，可以合理推断出，所形成的最终标准单元布局中，在扩散区域之上会存在多个导电栅极。因此，技术特征J被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征K：** 并且所述单元进一步包括布置在所述多个导电栅极之间的输出接头。 <br> **判断结果：《隐含公开》** | 说明书[0019]段：“...a contact via pattern 34, a first-layered metal pattern 36...”； 图1， 图5， 图8， 图11， 图12等均示出了接触孔图案（34，54）和第一层金属图案（36，56）。 | **论述**：对比文件公开了标准单元布局中包含接触孔图案（34，54）和第一层金属图案（36，56），它们用于实现不同层之间的电学连接，包括将晶体管（由栅极和扩散区形成）的信号引出。在由多个导电栅极（多晶硅图案）构成的电路（如反相器、多路复用器）中，输出信号必然需要通过金属导线和接触孔从特定节点（如两个晶体管之间的连接点）引出。这个引出的连接结构（接触孔+金属）即构成了“输出接头”。虽然对比文件未明确使用“输出接头”一词，但本领域技术人员根据电路常识和布局图（例如图5中INV单元的输出连接），可以合理推断出在多个栅极之间的扩散区域上会存在用于输出连接的接触孔和金属图案。因此，技术特征K被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征L：** 其特征在于，每个虚设栅极包括经切割的虚设栅极对，每个经切割的虚设栅极或是与所述P型扩散区域相关联或是与所述N型扩散区域相关联。 <br> **判断结果：未公开** | 无相关内容。 | **论述**：目标专利中的“经切割的虚设栅极对”指的是通过“多晶线切割掩模”（图2中的212）将一个连续的多晶硅栅极条切割成分别与P型扩散区和N型扩散区相关联的两段。对比文件完全没有提及任何对栅极（多晶硅图案）进行“切割”的概念或结构。其附图中的多晶硅图案（32，52）在单元边界CB布局中显示为连续的条状，并未被分割。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M：** 其特征在于，每个经切割的虚设栅极形成P型虚设器件或N型虚设器件的一部分。 <br> **判断结果：未公开** | 无相关内容。 | **论述**：该特征是技术特征L的进一步限定。由于对比文件未公开“经切割的虚设栅极”这一结构，因此自然也谈不上公开每个切割部分与特定类型扩散区的关联关系。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：** 其特征在于，进一步包括至少一个第二导线，所述至少一个第二导线被配置将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到接地，以禁用所述至少一个虚设器件。 <br> **判断结果：未公开** | 无相关内容。 | **论述**：该特征与技术特征E类似，区别在于连接的目标是“接地”而非“供电源”。其核心仍是“通过导线连接电源/地来禁用虚设器件”。如对特征E的论述，对比文件完全没有公开任何通过电学连接来禁用边缘器件的技术思想或具体结构。因此，技术特征N未被公开。 |
<<<C>>><<<D>>><<<j>>><<<k>>>