对比文件名称：WO2008114341A1_Description_20260309_1930
目标专利名称：232共享扩散标准单元架构CN104769718B
模型名称：专利创造性评估模型
根据目标专利说明书和权利要求的描述，目标专利的核心在于一种共享扩散标准单元架构。其主要特征是：N型和P型扩散区域（OD）延伸超出单元边界，在单元相对边缘处设置有布置在两种扩散区域之上的虚设栅极对，并且通过导线将至少一个虚设器件耦合到电源（或接地）以禁用它。这种设计旨在通过共享扩散区域改善边缘器件性能，同时通过结扎（tie-off）虚设器件防止其影响电路功能。
对比文件WO2008114341A1主要涉及一种半导体器件（如SRAM）的制造方法，其核心在于先形成连续的栅电极图案，在完成离子注入（形成源/漏、侧墙等）后，再切割栅电极以分离成独立的栅极。这种方法旨在解决栅极边缘因蚀刻回退或切割位置偏差导致的器件特性波动问题，从而实现微细化。
以下将严格按照目标专利权利要求的技术特征划分进行比对。对比文件未提供段落编号，因此引用内容将说明其所在部分（例如，“发明内容部分”、“具体实施方式部分”、“图X描述”等）。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的N型扩散区域<br>**《未公开》** | 对比文件全文未明确区分N型和P型扩散区域，通常提及“活性領域”（活性区域）。例如，图1及描述中显示了构成SRAM单元的活性区域18。 | 目标专利明确要求扩散区域（OD）**延伸到单元外**，以实现与相邻单元共享扩散区域、改善边缘器件性能的目的。对比文件描述的“活性領域”是用于形成晶体管的区域，但其所有图示（如图1、7A-7F）均显示活性区域被限定在单元边界之内，并未有任何文字或图示表明活性区域延伸超出其所处的单元（cell）边界。对比文件关注的是栅极图案和切割工艺，未提及也不涉及扩散区域在单元间的共享。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征B**：跨所述单元延伸并且还延伸到所述单元外的P型扩散区域<br>**《未公开》** | 同特征A，对比文件未明确区分N型和P型扩散区域，仅提及“活性領域”。在描述SRAM单元时（如“具体实施方式”部分），提到“１つのセル内に、Ｐウェル、Ｎウェル、Ｐウェルが並ぶ”（一个单元内，P阱、N阱、P阱排列），这暗示了单元内包含P型和N型阱，但未明确说明与“活性領域”（扩散区域）的对应关系及其是否延伸出单元。 | 同理，目标专利要求P型扩散区域也延伸出单元外。对比文件既未明确公开“P型扩散区域”这一具体划分，也未公开任何类型的扩散区域（活性区域）延伸超出单元边界的技术方案。其技术重点在于栅极的形成与切割工艺，而非扩散区域的布局。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征C**：在每个扩散区域之上的至少一个导电栅极，以创建半导体器件<br>**《直接公开》** | 发明内容及具体实施方式部分描述了在半导体基板上形成“ゲート電極”（栅电极）图案，并在活性区域上形成晶体管。例如，“図７Ａ～図７Ｆ”的制造流程展示了在活性区域上形成连续的栅电极25，随后进行注入形成源/漏28，从而创建晶体管器件。 | 目标专利的“导电栅极”对应于对比文件中的“ゲート電極”（栅电极）。对比文件明确公开了在活性区域（相当于目标专利的“扩散区域”）之上形成栅电极，并通过后续工艺（如源/漏注入）创建半导体器件（如MOS晶体管）。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出该技术方案。两者作用相同，都是作为晶体管的控制栅极。因此，该特征被**直接公开**。 |
| **技术特征D**：虚设栅极对，每个虚设栅极布置在所述N型扩散区域和所述P型扩散区域之上以至少创建虚设器件对，该对虚设栅极布置在所述单元的相对的边缘处<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“ダミーゲート”（虚设栅极）或类似概念。所有描述的栅电极（如图1的15，图7的25）都是用于形成功能性晶体管（如传输晶体管、驱动晶体管等）的有效栅极。 | 目标专利的“虚设栅极”是专门布置在单元相对边缘、与延伸的扩散区域交叉形成潜在器件，但通过电学连接（如结扎）使其失效的结构。对比文件中的所有栅极均为有效器件（功能性晶体管）的组成部分，其布局（如图1的点划线状排列）是为了实现SRAM电路功能，而非在单元边缘专门设置用于共享和禁用的“虚设”栅极对。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征E**：以及至少一个第一导线，所述至少一个第一导线被配置成将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到供电源以禁用所述至少一个虚设器件<br>**《未公开》** | 对比文件未提及任何将栅电极连接到电源以“禁用”该栅极下方形成的器件的导线或结构。其描述的导线连接（如电源线、地线、信号线）是针对功能性晶体管的正常工作。 | 目标专利的“导线”（栅极结扎）是用于将虚设器件的栅极连接到固定电位（电源或地），从而确保该虚设器件处于关断状态，这是实现共享扩散架构的关键。对比文件没有公开任何为了“禁用”某个栅极/器件而进行的特殊布线。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征F**：其中所述供电源在所述单元的一侧上<br>**《未公开》** | 对比文件未描述标准单元的供电（VDD/GND）布线布局或电源在单元上的具体位置。 | 目标专利该特征限定了供电电源位于单元一侧，这与其实施例中的“一指单元”（电源在一侧）架构相关。对比文件未涉及单元电源布局的具体描述，无法得出该技术方案。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：其中耦合到所述至少一个第一导线的所述至少一个虚设器件布置在所述单元的仅一个边缘上<br>**《未公开》** | 基于特征D和E未被公开，此限定特征的前提不存在。对比文件本身也无此布局描述。 | 该特征依赖于“虚设栅极”和“结扎导线”的存在。由于对比文件未公开这些元素，自然也未曾公开这些虚设器件在单元边缘的具体布置方式。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征H**：并且在所述单元的所述边缘的相对边缘上的至少一个虚设器件不耦合至在所述单元的所述一侧上的所述供电源。<br>**《未公开》** | 基于特征D、E、F、G未被公开，此限定特征的前提不存在。对比文件本身也无此描述。 | 该特征进一步限定了相对边缘上的虚设器件与电源的连接关系，是目标专利“不对称”单元结构的具体体现。由于核心的虚设器件、结扎导线、电源单侧布局等均未被对比文件公开，该从属特征也未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个第一导线与所述至少一个虚设器件的虚设栅极以及限定在所述至少一个导电栅极与所述至少一个虚设器件的虚设栅极之间的扩散区域部分接触。<br>**《未公开》** | 对比文件未描述任何导线同时与栅极以及栅极之间的扩散区域部分接触的结构。其描述的接触通常是通过接触孔连接栅极或源/漏区与上层金属线。 | 目标专利该特征描述了导线（栅极结扎）与虚设栅极及扩散区域的特定接触方式（见图2的214）。对比文件完全没有提及此类结构。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个导电栅极包括在每个扩散区域之上的多个导电栅极<br>**《直接公开》** | 图1显示了SRAM单元内包含多个栅电极图案15。在描述中，这些栅电极分别用于形成传输晶体管、驱动晶体管、负载晶体管等。 | 目标专利的“多个导电栅极”指在一个单元内，每个扩散区域（N型和P型）之上布置有不止一个导电栅极（见图2、3中的多个多晶线栅极206/306）。对比文件图1明确示出了一个单元内包含多个栅电极（ゲートパタン15），它们跨过活性区域（扩散区域）形成多个晶体管。本领域技术人员能够毫无疑义地得出单元内包含多个导电栅极的技术方案。因此，该特征被**直接公开**。 |
| **技术特征K**：并且所述单元进一步包括布置在所述多个导电栅极之间的输出接头。<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“出力タブ”（输出接头）或类似结构。其关注点在于晶体管的栅极结构和制造工艺，而非单元内部的互联输出结构。 | 目标专利的“输出接头”（如图2中的204）是单元内部用于信号输出的特定连接结构。对比文件没有描述或暗示此类结构。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，每个虚设栅极包括经切割的虚设栅极对，每个经切割的虚设栅极或是与所述P型扩散区域相关联或是与所述N型扩散区域相关联。<br>**《未公开》** | 对比文件描述了“ゲート電極”的切割（分断），例如图7C、7D中利用掩模20和开口21将连续的栅电极25切断。然而，这种切割是为了将连续栅极分离成**独立的有效功能栅极**（如驱动晶体管栅极、传输晶体管栅极），而非创建“虚设栅极对”。切割后的每个部分都是功能晶体管的一部分。 | 目标专利的“经切割的虚设栅极对”特指一个虚设栅极被切割成两部分，分别与P型和N型扩散区域相关联（见图2中经结扎的虚设栅极208被切割掩模212分隔）。对比文件中的切割是功能性栅极的分离工艺，其目的和作用（实现微细化、稳定特性）与目标专利创建用于禁用的虚设栅极对完全不同。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，每个经切割的虚设栅极形成P型虚设器件或N型虚设器件的一部分。<br>**《未公开》** | 基于特征L未被公开，此限定特征的前提不存在。对比文件中切割后的栅极部分形成的是有效的P型或N型晶体管（如PMOS负载管、NMOS驱动管），而非“虚设器件”。 | 该特征是对特征L的进一步限定。由于对比文件未公开“经切割的虚设栅极对”，自然也未曾公开其形成“P型虚设器件或N型虚设器件的一部分”。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括至少一个第二导线，所述至少一个第二导线被配置将所述虚设器件对中的至少一个虚设器件耦合到接地，以禁用所述至少一个虚设器件。<br>**《未公开》** | 同特征E，对比文件未提及任何为了禁用器件而将栅极连接到接地的导线。 | 该特征与特征E类似，区别在于连接到接地（GND）而非电源（VDD）。其核心目的同样是“禁用”虚设器件。对比文件未公开任何此类技术方案。因此，该特征未被对比文件公开。 |
### 总结与结论
对比文件WO2008114341A1公开了一种通过先形成连续栅极再进行切割的制造方法，以改善栅极边缘工艺并实现微细化。其技术方案聚焦于**有效功能晶体管的栅极形成工艺**。
目标专利CN104769718B保护一种**共享扩散标准单元架构**，其核心在于：1) 扩散区域延伸出单元以实现共享；2) 在单元相对边缘设置**虚设栅极**；3) 通过导线将虚设器件**结扎（tie-off）到电源/地以禁用**。
经过逐一比对：
- 对比文件**直接公开**了特征C（在每个扩散区域之上的导电栅极以创建器件）和特征J（多个导电栅极），因为这些是半导体单元（如SRAM）中普遍存在的基本结构。
- 对比文件**未公开**目标专利的核心创新点：**延伸出单元的扩散区域（特征A、B）、专门用于共享和禁用的虚设栅极对及其在边缘的布置（特征D）、以及通过导线耦合到电源/地以禁用虚设器件的结扎结构（特征E、N）**。其他从属或限定特征（F、G、H、I、K、L、M）也均未被公开。
因此，对比文件未公开目标专利权利要求中除特征C、J以外的其他任何技术特征，更未公开将这些特征组合而成的“共享扩散标准单元架构”整体技术方案。
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