**对比文件名称**：2004-09-01_TW200417283A_发明专利_TW200417283A 製造一種發光顯示裝置的方法 METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DISPLAY
**目标专利名称**：1295利用导体接触器件CN102150294B
**本次调用的模型名称**：GPT-4（假设）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）<br>《直接公开》 | 对比文件说明书中记载：“基板1”、“發光層區段7R、7B”（单元）、“第二電極層9”（接触区）、“SiN膜11”（封装）。具体参见图1-14及相应描述，例如图1显示基板1，图6显示发光层区段7R、7B，图8显示第二电极层9，图11显示SiN膜11。 | 对比文件明确公开了发光显示装置包括基板（衬底）、位于基板上的发光层区段（单元）、作为阴极的第二电极层（接触区）以及覆盖在结构上的SiN密封膜（封装）。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了技术特征A的器件结构，作用相同（均为提供封装保护的发光器件）。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝<br>《直接公开》 | 对比文件说明书中记载：“一SiN膜11被沉積”（图11），“該SiN層11具有一例如0.5 μm之厚度”。此外还提到“氮氧化矽SiN(x)O(y)可被使用於該密封膜11”。 | 对比文件中的密封膜11明确为SiN（氮化硅），属于薄膜封装。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了封装包含氮化硅薄膜，作用相同（均用于防止水气渗透）。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）<br>《未公开》 | 对比文件说明书中记载：“在圖13中，一最後製造步驟被顯示，其中該SiN膜11在連接導線以操作該發光顯示裝置而接觸到該陰極層9之所在位置部分被移除。” | 对比文件的最终产品中，SiN膜（封装）在接触区（阴极层9）的位置被移除，接触区暴露于封装之外，即封装并未封装接触区。虽然中间步骤中SiN膜曾覆盖接触区，但最终产品结构不同，且对比文件明确教导移除封装以暴露接触区，故不能视为公开“封装封装至少接触区”这一特征。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上<br>《未公开》 | 对比文件说明书中记载：“在圖13中，…其中該SiN膜11在連接導線以操作該發光顯示裝置而接觸到該陰極層9之所在位置部分被移除。” | 对比文件中，导体（导线）是直接设置在暴露的阴极层（接触区）上，而非设置在封装（SiN膜）上，因为封装在接触区已被移除。因此，对比文件未公开将导体设置在封装上。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连<br>《未公开》 | 对比文件说明书中记载：“在圖13中，…其中該SiN膜11在連接導線以操作該發光顯示裝置而接觸到該陰極層9之所在位置部分被移除。” | 对比文件明确在连接导线之前先移除SiN膜（封装），即事先移除导体与接触区之间的封装，与目标专利的“不事先移除”相反。因此，对比文件未公开这一特征。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及“超声焊接”或任何类似工艺。 | 对比文件在连接导线时未限定具体方式，但未公开任何与超声焊接相关的技术内容。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地获得该特征。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线<br>《直接公开》 | 对比文件说明书中记载：“連接導線以操作該發光顯示裝置而接觸到該陰極層9”。 | 对比文件明确提及“导线”，本领域技术人员通常理解导线为金属线。因此，对比文件直接公开了导体包括金属线，作用相同（用于电连接）。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银<br>《未公开》 | 对比文件未对导线的形状或材料作任何描述。 | 对比文件未提及金属线的扁平形状或具体材料（铜、铝、银），本领域技术人员无法从对比文件中直接或合理推断出该特征。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极<br>《直接公开》 | 对比文件说明书中记载：“第二電極層9”（阴极）作为与发光层区段7R、7B相对的电极，且“連接導線以操作該發光顯示裝置而接觸到該陰極層9”。 | 对比文件明确将第二电极层（阴极）作为接触区，该接触区用于向发光层区段（单元）提供电信号，即用作单元的电极。因此，对比文件直接公开了该特征，作用相同。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）<br>《未公开》 | 对比文件说明书中记载：“SiN膜11”覆盖发光层区段7R、7B，但在接触区（阴极层9）位置被移除（图13）。 | 对比文件的最终产品中，封装（SiN膜）封装了单元（发光层区段），但未封装接触区（阴极层），因为接触区被封装的移除而暴露。因此，对比文件未公开封装同时封装接触区和单元。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间<br>《未公开》 | 对比文件全文未涉及超声焊接频率。 | 对比文件未公开任何超声焊接相关内容，故无法公开该频率范围特征。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间<br>《未公开》 | 对比文件全文未涉及超声焊接频率。 | 对比文件未公开任何超声焊接相关内容，故无法公开该频率范围特征。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz<br>《未公开》 | 对比文件全文未涉及超声焊接频率。 | 对比文件未公开任何超声焊接相关内容，故无法公开该具体频率特征。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）<br>《未公开》 | 对比文件公开了一种发光显示装置及其制造方法，但该方法不包含目标专利权利要求1-9中的超声焊接、不事先移除封装等特征。 | 对比文件的方法与目标专利方法不同，因此不能通过对比文件的方法得到目标专利所要求保护的OLED产品。对比文件未公开该特征。 |
**结论**：对比文件直接公开了技术特征A、B、G、I，未公开其他技术特征。
<<<A>>><<<B>>><<<G>>><<<I>>>