**对比文件名称**：2006-12-28_US2006290271A_发明申请_US20060290271A1 OLED device having spacers
**目标专利名称**：1295利用导体接触器件CN102150294B
**本次调用的模型名称**：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）<br>《直接公开》 | [0024]：“参见图1，根据本发明，一种有机发光二极管（OLED）器件包括：衬底10；形成在衬底10上的OLED，包括形成在衬底上的第一电极14、形成在第一电极上的一个或多个有机材料层16（其中一个发光）、以及形成在一个或多个有机材料层上的第二电极18；覆盖物12…以及单独预制的弹性可压缩间隔元件22，位于覆盖物12和OLED 11之间的间隙32中。”<br>[0046]：“可以在顶电极18上涂覆一层ITO、聚对二甲苯或多层Al2O3以提供密封。” | 对比文件[0024]公开了衬底10、OLED 11（单元）、第一电极14和第二电极18（接触区），[0046]公开了在电极上涂覆Al2O3保护层（封装）。该保护层为薄膜，用于密封，相当于目标专利的封装。因此，本领域技术人员可直接得出特征A的技术方案。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝<br>《直接公开》 | [0046]：“可以在电极18上涂覆多层Al2O3以提供密封。” | 对比文件明确公开了薄膜封装包含氧化铝（Al2O3），属于目标专利所列材料之一，因此特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）<br>《直接公开》 | [0043]：“当这些元件沉积在第二电极18上时，希望首先在第二电极18上直接形成薄膜保护层（未示出），例如氧化铝层。” | 保护层直接形成在第二电极（接触区）上，因此封装了接触区，特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上<br>《未公开》 | 对比文件未提及任何导体设置在封装上。 | 对比文件仅涉及间隔元件和覆盖物，没有教导或暗示将导体设置在封装上，特征D未公开。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连<br>《未公开》 | 对比文件未提及导体的互连或移除封装。 | 对比文件不涉及导体互连，特征E未公开。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接<br>《未公开》 | 对比文件未提及超声焊接。 | 对比文件没有超声焊接相关内容，特征F未公开。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线<br>《未公开》 | 对比文件未提及金属线作为导体。 | 对比文件没有公开任何导体，尤其是金属线，特征G未公开。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银<br>《未公开》 | 对比文件未提及金属线的形状和材料。 | 对比文件没有公开金属线，特征H未公开。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极<br>《直接公开》 | [0006]：“当由薄膜电子组件20提供的第一电极14和第二电极18之间施加电压时，电流可以流过有机材料层，使其中一个有机层发射光50a通过覆盖物12…或发射光50b通过衬底10。” | 对比文件明确公开第一电极14和第二电极18是用于驱动OLED单元的电极，即接触区用作单元电极，特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）<br>《直接公开》 | [0043]：“首先在第二电极18上直接形成薄膜保护层，例如氧化铝层。” 第二电极18覆盖有机层16（单元）。 | 保护层直接形成在第二电极上，而第二电极覆盖有机层，因此保护层同时封装了接触区（第二电极）和单元（有机层），特征J被直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间<br>《未公开》 | 对比文件未提及超声焊接频率。 | 特征K未公开。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间<br>《未公开》 | 对比文件未提及。 | 特征L未公开。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz<br>《未公开》 | 对比文件未提及。 | 特征M未公开。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）<br>《未公开》 | 对比文件未公开相应的方法。 | 对比文件没有公开通过超声焊接等方法得到的OLED，特征N未公开。 |
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