对比文件名称：2007-11-29_WO2007135604A_发明申请_WO2007135604A2 INTERCONNECTION ARRANGEMENT AND METHOD FOR INTERCONNECTING A HIGH-CUURENT CARRYING CABLE WITH A METAL THIN-FILM
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：未指定
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）——未公开 | 对比文件公开了器件包括玻璃衬底1、有机层堆叠2（单元）、金属薄膜平面部分3、4（接触区），但未提及任何封装层。 | 对比文件未公开封装层，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝——未公开 | 对比文件未公开任何封装薄膜，更未提及氮化硅、碳化硅或氧化铝等材料。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）——未公开 | 对比文件无封装，未公开。 | 对比文件未公开封装覆盖接触区。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上——未公开 | 对比文件将导体（扁平电缆）直接设置在金属薄膜（接触区）上，而非设置在封装上。 | 对比文件未公开导体设置在封装上。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连。——未公开 | 对比文件无封装层，导体直接与接触区互连，未涉及通过封装层连接。 | 对比文件未公开“不事先移除封装”的情况。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接。——《直接公开》 | [p0008]“扁平电缆与金属薄膜之间的互连是超声焊接接头。”；[p0015]“通过超声焊接将扁平电缆与金属薄膜互连”；[p0023]“通过超声焊接接头互连”。 | 对比文件明确公开了通过超声焊接实现导体（扁平电缆）与接触区（金属薄膜）的互连，与目标专利中导体与接触区通过超声焊接互连的作用相同，均用于实现电连接，因此直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线。——《直接公开》 | [p0021]“扁平电缆5被设计为四芯扁平电缆，芯线6、7由铝制成。” | 对比文件中的电缆芯线为金属线，即导体包括金属线，直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银。——《直接公开》 | [p0021]“扁平电缆5被设计为四芯扁平电缆”以及“芯线6、7由铝制成。任何其他具有低电阻率的金属也是合适的，例如铜或银。”同时电缆芯线具有扁平形状（宽度约1mm，厚度约0.2mm）。 | 对比文件公开的扁平电缆本身就是扁平的，且芯线材料包括铝、铜、银，因此直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极。——《直接公开》 | [p0020]“金属薄膜平面部分3、4...”；[p0022]“外芯线6互连到平面部分3，内芯线7互连到平面部分4”，平面部分连接有机层堆叠。 | 对比文件中金属薄膜平面部分作为电极连接有机层堆叠，与目标专利中接触区用作单元电极作用相同，直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）。——未公开 | 对比文件无封装，未公开。 | 对比文件未公开封装覆盖接触区和单元。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间。——未公开 | 对比文件未提及超声焊接频率。 | 对比文件未公开具体频率范围。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间。——未公开 | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz。——未公开 | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）。——未公开 | 对比文件公开了一种OLED照明设备，但其制造方法不包括目标专利方法中的封装层及其超声焊接穿透封装的特征。 | 对比文件的产品不必然等同于通过目标专利方法得到的产品，未公开。 |
<<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>>