对比文件名称：2007-08-14_US7256483B_发明授权_US07256483B2 Package-integrated thin film LED
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）——未公开 | 对比文件[0042]“LED dice 10 mounted on a package substrate 12”提及衬底（封装基板）和单元（LED裸片）；[0044]“with gold contact pads 22 connected to solderable electrodes 26”提及接触区。但未公开任何封装（薄膜封装）层。 | 对比文件公开了衬底（封装基板12）、单元（LED裸片10）和接触区（接触垫22），但未公开如目标专利所述的薄膜封装（5）覆盖单元和接触区。对比文件中的保护层（如聚酰亚胺）为临时层，并非永久封装，且未覆盖接触区。因此，本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得出该特征。 |
| 特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝——未公开 | 对比文件[0052]“thin (<15 micron) layer of UV transparent material (e.g., aluminum oxide) may be deposited over the structure”提及氧化铝作为临时保护层，但并非永久封装。[0051]提及聚酰亚胺保护层。未提及氮化硅或碳化硅。 | 对比文件中的氧化铝层为临时保护层，在后续工艺中被移除，并非用于防止水汽渗透的永久封装薄膜。且未公开氮化硅或碳化硅材料。因此，未公开该特征。 |
| 特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）——未公开 | 对比文件[0044]描述接触垫22暴露，未受封装覆盖；[0051]保护层36覆盖封装基板，但随后被移除。 | 对比文件没有任何永久封装层覆盖接触区，接触区始终暴露用于电连接。因此，未公开封装封装接触区。 |
| 特征D：将导体（6）设置在封装（5）上——未公开 | 对比文件[0062]“A wire 48 is bonded to the top metal 44 and a package substrate contact pad 22”将导体设置在顶部金属和接触垫上，未设置在封装上。 | 对比文件没有公开将导体设置在封装上，因为不存在目标专利所述的封装层。导体设置在金属层或接触垫上，而非封装上。因此，未公开。 |
| 特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连——未公开 | 对比文件[0062]直接键合引线，中间无封装层。 | 对比文件中导体与接触区互连时，中间不存在封装层，因此没有“不事先移除封装”的情况。该特征以存在封装为前提，对比文件未公开该前提，故未公开。 |
| 特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接——未公开 | 对比文件[0042]“Au stud bump array bonded by an ultrasonic weld”用于裸片附着，但未用于导体（金属线）与接触区互连。[0062]引线键合未指明焊接方式。 | 对比文件没有公开在将导体（金属线）与接触区互连时采用超声焊接。虽然对比文件在其他连接中使用了超声焊接，但引线键合步骤未明确使用超声焊接，本领域技术人员不能直接且毫无疑义地确定该特征。因此，未公开。 |
| 特征G：其中所述导体（6）包括金属线——《直接公开》 | 对比文件[0062]“A wire 48 is bonded to the top metal 44 and a package substrate contact pad 22”（线48被键合到顶部金属44和封装基板接触垫22）。 | 对比文件明确公开了作为导体的金属线（wire 48），用于连接顶部金属和接触垫。因此，直接公开了导体包括金属线。 |
| 特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银——《隐含公开》 | 对比文件[0062]仅提及“wire 48”，未具体说明形状和材料。但本领域已知引线键合常用铝线、铜线，且扁平带状线也可使用。 | 对比文件虽未明确公开金属线的形状和材料，但本领域技术人员根据对比文件公开的引线键合技术，可以合理推断出金属线可以是铝线或铜线，并且扁平线是常见选择。因此，隐含公开了该特征。 |
| 特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极——《直接公开》 | 对比文件[0044]“with gold contact pads 22 connected to solderable electrodes 26”（金接触垫22连接到可焊接电极26）。 | 对比文件中的接触垫22直接连接LED单元，起到电极作用，为单元供电。因此，直接公开了接触区用作单元的电极。 |
| 特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）——未公开 | 对比文件[0044]描述封装基板12上安装LED裸片，接触垫22暴露，无封装层覆盖。保护层36临时覆盖但被移除。 | 对比文件没有公开任何永久封裝层同时覆盖接触区和单元。因此，未公开该特征。 |
| 特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间——未公开 | 对比文件[0042]提及超声焊接，但未公开频率范围。 | 对比文件未公开超声焊接的具体频率，本领域技术人员无法直接或间接确定该范围。因此，未公开。 |
| 特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间——未公开 | 对比文件[0042]提及超声焊接，但未公开频率范围。 | 对比文件未公开任何频率信息，更未公开30-40kHz范围。因此，未公开。 |
| 特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz——未公开 | 对比文件[0042]提及超声焊接，但未公开频率范围。 | 对比文件未公开35kHz的具体频率。因此，未公开。 |
| 特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）——未公开 | 对比文件整体涉及LED，而非OLED；且方法步骤不同。 | 对比文件涉及无机LED的封装，目标专利涉及有机OLED，且方法步骤不同（包括薄膜封装、超声焊接穿透封装等）。因此，未公开通过所述方法得到的OLED。 |
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