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对比文件列表
1987-02-03_US4640584A_发明授权_US4640584A Spacers for liquid crystal display device_+++I+++.docx
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2001-06-29_JP2001176662A_发明专利_JP2001176662A Organic electrocluminescent element and its manufacturing method_+++G_H_I+++.docx
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2001-07-10_JP2001189343A_发明专利_JP2001189343A Wire-bonding method and semiconductor device_+++A_C_D_E_F_G_H_I+++.docx
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2001-07-12_KR1020010067448A_发明公开_KR1020010067448A 반도체 장치의 구리 상호 접속을 위한 와이어 본딩 방법 및 반도체 장치_+++C_D_E_F_G_H_I_a_j+++.docx
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2001-11-21_GB2362510A_发明专利_GB2362510A Wire bonding method for semiconductor devices_+++C_D_E_F_G_H_I_a+++.docx
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2001-12-21_TW469592B_发明专利_TW469592B 半導體裝置中銅內連線之引線接合方法_+++C_D_E_F_G_H_I_a+++.docx
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2002-12-12_US2002187254A_发明申请_US20020187254A1 Ultrasonically sealing the cover plate to provide a hermetic enclosure for OLED displays_+++A_C_G_I_J_k_l_m+++.docx
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2003-02-12_GB2378564A_发明专利_GB2378564A Flexible light emitting device with incompressible spacers_+++A_I_c_j+++.docx
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2003-02-18_US6520821B_发明授权_US06520821B1 Device package and device encapsulation method_+++A_C_I_J+++.docx
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2003-11-28_JP2003338514A_发明专利_JP2003338514A Structure and method of ultrasonic bonding, and electronic component using the same and method of manufacturing the electronic component_+++F_I+++.docx
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2004-09-01_TW200417283A_发明专利_TW200417283A 製造一種發光顯示裝置的方法 METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DISPLAY_+++A_B_G_I+++.docx
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2004-09-14_US6790757B_发明授权_US06790757B1 Wire bonding method for copper interconnects in semiconductor devices_+++A_C_D_E_F_G_H_I+++.docx
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2005-02-17_US2005035466A_发明申请_US20050035466A1 Wire bonding method for copper interconnects in semiconductor devices_+++A_C_D_E_F_G_H_I+++.docx
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2005-04-21_JP2005108562A_发明专利_JP2005108562A Power generating device_+++i+++.docx
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2005-07-21_US2005156431A_发明申请_US20050156431A1 Vanadium redox battery energy storage and power generation system incorporating and optimizing diesel engine generators_+++G_I+++.docx
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2005-08-16_US6929869B_发明授权_US06929869B1 Organic light emitting material and device_+++a_d_e_g_h_i_n+++.docx
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2005-10-04_US6952078B_发明授权_US06952078B1 Encapsulation for organic LED device_+++A_C_I_J+++.docx
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2006-04-06_JP2006093743A_发明专利_JP2006093743A Semiconductor device_+++A_C_D_E_F_G_H_I+++.docx
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2006-07-12_JP3796116B_发明专利_JP3796116B2 Wire bonding method and a semiconductor device_+++A_C_D_E_F_G_H_i_j+++.docx
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2006-08-03_US2006170114A_发明申请_US20060170114A1 Novel method for copper wafer wire bonding_+++B_G_a_f_i+++.docx
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2006-10-03_US7115994B_发明授权_US07115994B2 Semiconductor substrate and method of fabricating semiconductor device_+++A_B_C_G_H_I_J+++.docx
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2006-12-07_US2006276024A_发明申请_US20060276024A1 Process for forming an electronic device including workpieces and a conductive member therebetween_+++I+++.docx
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2006-12-28_US2006290271A_发明申请_US20060290271A1 OLED device having spacers_+++A_B_C_I_J+++.docx
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2006-12-28_US2006290276A_发明申请_US20060290276A1 OLED device having spacers_+++B_C_I_a_j+++.docx
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2007-03-22_JP2007073353A_发明专利_JP2007073353A Method for manufacturing organic electroluminescence element_+++A_B_C_I_J_g+++.docx
2026-07-22 17:36
2007-03-22_US2007065962A_发明申请_US20070065962A1 MANUFACTURING OF OPTOELECTRONIC DEVICES_+++G_H_I_a_b_c_j+++.docx
2026-07-22 17:36
2007-07-25_EP1811579A_发明公开_EP1811579A1 Galvanic optocoupler structure and corresponding hybrid integration process_+++B_G_I_f_h+++.docx
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2007-08-14_US7256483B_发明授权_US07256483B2 Package-integrated thin film LED_+++G_I_h+++.docx
2026-07-22 17:36
2007-08-22_EP1763287A_发明公开_EP1763287A2 A method for fabricating organic electroluminescent devices_+++A_B_C_I_J_g+++.docx
2026-07-22 17:36
2007-11-29_WO2007135604A_发明申请_WO2007135604A2 INTERCONNECTION ARRANGEMENT AND METHOD FOR INTERCONNECTING A HIGH-CUURENT CARRYING CABLE WITH A METAL THIN-FILM_+++F_G_H_I+++.docx
2026-07-22 17:36
2008-04-03_JP2008078272A_发明专利_JP2008078272A Ultrasonic vibration welding apparatus_+++K_L_f_i+++.docx
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2006-12-07_US2006276024A_发明申请_US20060276024A1 Process for forming an electronic device including workpieces and a conductive member therebetween_+++I+++.docx

对比文件名称:2006-12-07_US2006276024A_发明申请_US20060276024A1 Process for forming an electronic device including workpieces and a conductive member therebetween

目标专利名称:1295利用导体接触器件CN102150294B

本次调用的模型名称:GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:该器件(1)包括具有至少一个单元(3)、接触区(4)和封装(5)的衬底(2)<br>**未公开**对比文件公开了第一工件包括衬底20、电子组件(如OLED)和电极62(第[0105]–[0122]段),但未公开在连接前存在封装层。封装层1122是在回流后形成(第[0192]段、图11)。对比文件的方法中,在提供第一工件时,该工件包括衬底、单元和接触区,但未包括封装。封装层是在回流之后才形成的,因此方法开始时器件不包括封装。目标专利要求器件在方法开始时已具有封装,故不公开。
技术特征B:所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝<br>**未公开**对比文件提及封装层1122可为环氧树脂、玻璃料等(第[0135]段、第[0192]段),未提及氮化硅、碳化硅或氧化铝。对比文件未公开封装材料为所列无机薄膜,未公开该特征。
技术特征C:其中所述封装(5)封装至少接触区(4)<br>**未公开**对比文件中的封装层1122在回流后覆盖整个器件,包括接触区(电极62),但并未在方法开始时即封装接触区(第[0192]段、图11)。目标专利的方法中,在互连之前封装已封装接触区。对比文件的方法中,封装层在回流后才形成,故不公开。
技术特征D:将导体(6)设置在封装(5)上<br>**未公开**对比文件中的导体(导电构件764)设置在第二工件的导体762上或第一工件的电极62上(第[0128]–[0130]段、图9),未设置在封装上。由于封装在回流前不存在,导体未设置在封装上,不公开该特征。
技术特征E:在不事先移除导体(6)与接触区(4)之间的封装(5)的情况下将导体(6)与接触区(4)互连。<br>**未公开**对比文件通过回流焊接直接连接电极和导体,之间无封装层(第[0140]–[0148]段)。对比文件没有封装存在,因此不存在“不事先移除封装”的情况,也未公开该特征。
技术特征F:其中将导体(6)与接触区(4)互连包括超声焊接。<br>**未公开**对比文件使用回流焊接(reflow),例如通过热板或激光加热使铟熔化(第[0140]–[0144]段),未提及超声焊接。对比文件明确公开的是回流焊接,而非超声焊接,未公开该特征。
技术特征G:其中所述导体(6)包括金属线。<br>**未公开**对比文件中的导电构件764为金属凸点(如铟等),通过沉积形成,未描述为“金属线”(第[0129]–[0130]段、图9)。对比文件未公开导体为金属线,不公开该特征。
技术特征H:其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银。<br>**未公开**对比文件导电构件764包含铟、锡、铅等(第[0129]段),未提及铜、铝、银或扁平形状。对比文件未公开金属线的具体材料及形状,不公开该特征。
技术特征I:其中所述接触区(4)用作用于所述单元(3)的电极。<br>**直接公开**第[0122]段:“The electrodes 62 act as cathodes for the electronic device.”(电极62用作电子器件的阴极。)对比文件明确公开电极62作为单元(OLED)的电极,即接触区用作单元电极,作用与目标专利相同,因此直接公开。
技术特征J:其中所述封装(5)封装至少所述接触区(4)和所述至少一个单元(3)。<br>**未公开**对比文件封装层1122在回流后覆盖器件,但方法开始时未封装接触区和单元(第[0192]段、图11)。对比文件的方法中,在互连前封装未覆盖接触区和单元,故不公开。
技术特征K:其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间。<br>**未公开**对比文件未涉及超声焊接频率。对比文件未公开超声焊接,不公开该特征。
技术特征L:其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间。<br>**未公开**同上。同上。
技术特征M:其中所述超声焊接工作于35kHz。<br>**未公开**同上。同上。
技术特征N:一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED(1)。<br>**未公开**对比文件公开了OLED器件(如第[0197]–[0215]段),但未通过权利要求1-9的方法得到。由于方法未被公开,产品也不被公开。

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