对比文件名称：2002-04-30_US6379988B_发明授权_US06379988B1 Pre-release plastic packaging of MEMS and IMEMS devices
目标专利名称：1323包装、包装载体及其制造方法、诊断设备及其制造方法CN100586253C
模型名称：本报告基于专利创造性评估分析模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **特征A**：所述包装载体(55)适于封闭至少一个微电子元件(60、61)并具有用于所述包装载体(55)至另一种设备的电气连接的导电连接衬块(31) **《直接公开》** | 详细描述部分结合图2A：“an unreleased MEMS device 10 that has been die-attached to a paddle 18, wirebonded 22 to a lead frame 20, and encapsulated in a plastic package 14”。（翻译：未释放的MEMS器件10被管芯附着到桨片18，通过引线键合22连接到引线框架20，并封装在塑料封装体14中。） | 对比文件明确公开了塑料封装体（相当于包装载体）封闭微电子元件（MEMS器件），并具有引线框架（lead frame）作为导电连接衬块，用于与外部设备电气连接。该特征的功能与目标专利完全相同，因此直接公开。 |
| **特征B**：所述方法包括以下步骤 **《直接公开》** | 详细描述部分第一段：“The present invention relates to a method for activating at least one sensitive area of a microelectronic device, comprising the steps of providing microelectronic device... and perforating the insulating material...”。（翻译：本发明涉及一种用于激活微电子器件的至少一个敏感区域的方法，包括以下步骤：提供微电子器件……以及穿孔该绝缘材料……。） | 对比文件公开的方法包括多个步骤，如提供器件、覆盖绝缘材料、模塑、穿孔等，属于“方法包括以下步骤”的范畴，因此直接公开。 |
| **特征C**：提供牺牲载体(20) **《未公开》** | 对比文件全文未提及牺牲载体。最接近的载体为引线框架（lead frame）和桨片（paddle），但引线框架是永久性结构，并非牺牲载体。 | 对比文件没有公开任何牺牲载体，也未教导通过牺牲载体临时承载导电图案，本领域技术人员无法从对比文件得出该特征，因此未公开。 |
| **特征D**：所述牺牲载体(20)具有承载表面(24)和在所述承载表面(24)的导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30) **《未公开》** | 对比文件未公开牺牲载体，其导电图案（引线框架）直接附着于芯片或封装体，而非牺牲载体表面。 | 由于牺牲载体不存在，该特征的整体方案未公开，本领域技术人员无法从对比文件推理得出。 |
| **特征E**：将所述牺牲载体(20)弯曲以在所述承载表面(24)中产生升高部分(22)和凹入部分(23) **《未公开》** | 对比文件没有弯曲牺牲载体的步骤。其引线框架和芯片通常是平坦的，未涉及弯曲以形成不同水平部分。 | 对比文件没有教导或暗示通过弯曲载体产生升高和凹入部分，该特征未公开。 |
| **特征F**：提供在所述载体(20)上具有至少一个孔(41)的覆盖构件(40) **《未公开》** | 对比文件第五实施例使用临时保护材料（temporary protective material 15）覆盖敏感区域，但该材料未设孔，且是临时性的，并非永久覆盖构件。 | 目标专利的覆盖构件是具有孔的永久性绝缘层，对比文件的临时保护材料在模塑后需完全去除，且无预制孔，因此未公开。 |
| **特征G**：以使在所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)和包围所述孔(41)的所述覆盖构件(40)的顶部部分出现在所述载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的一部分上 **《未公开》** | 对比文件无覆盖构件，无升高部分，无孔与顶部部分的位置特征。 | 前提特征均未公开，该特征无法从对比文件得出。 |
| **特征H**：从而覆盖所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)的至少一部分 **《未公开》** | 对比文件未公开覆盖构件覆盖导电图案。其临时保护材料仅覆盖敏感区域，不覆盖导电图案。 | 目标专利中覆盖构件覆盖导电图案，对比文件无此结构，未公开。 |
| **特征I**：通过将材料应用于所述承载表面(24)、所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)并应用于所述覆盖构件(40)的一部分来形成体构件(45) **《未公开》** | 对比文件通过模塑将材料应用于整个器件，包括芯片、引线框架和临时保护材料，但未涉及专门的覆盖构件。 | 目标专利的体构件形成方式要求材料应用于承载表面、导电图案及覆盖构件的一部分，对比文件无此对应过程，未公开。 |
| **特征J**：而不将材料应用于所述覆盖构件(40)的顶部部分 **《未公开》** | 对比文件模塑时，临时保护材料被完全包裹在绝缘材料中，其顶部被覆盖，并非不覆盖。 | 目标专利明确不覆盖覆盖构件顶部，对比文件相反，未公开。 |
| **特征K**：将所述牺牲载体(20)的至少一部分除去 **《未公开》** | 对比文件无牺牲载体，其去除步骤为去除临时保护材料（temporary protective material），而非牺牲载体。 | 牺牲载体概念不同，且对比文件未公开去除临时承载导电图案的载体，未公开。 |
| **特征L**：从而产生凹槽(47) **《未公开》** | 对比文件通过去除临时保护材料产生开口（opening），但该开口是贯穿绝缘层的孔，并非体构件中的凹槽。 | 目标专利的凹槽是体构件内由牺牲载体去除形成的槽，对比文件的开口形成方式不同，结构不同，未公开。 |
| **特征M**：所述凹槽(47)在所述牺牲载体(20)的除去部分曾经所处的所述体构件(45)的侧面并位于所述牺牲载体(20)的所述升高部分(22)曾经所处的位置 **《未公开》** | 对比文件无牺牲载体，无升高部分，无对应位置关系。 | 前提特征不存在，未公开。 |
| **特征N**：暴露所述图案(30)的所述导电连接衬块(31)中的至少一个 **《未公开》** | 对比文件暴露的是敏感区域（sensitive area），而非导电连接衬块。其导电连接衬块（引线框架）从封装体侧面伸出，并非通过凹槽暴露。 | 目标专利的凹槽暴露导电连接衬块用于连接微电子元件，对比文件未公开此结构，未公开。 |
| **特征O**：所述图案(30)的所述至少一个导电连接衬块(31)适于电气耦接到在所述体构件(45)的所述侧面的微电子元件(60) **《未公开》** | 对比文件的微电子元件已通过引线键合连接，但不是在体构件侧面凹槽内连接。 | 目标专利的凹槽位于体构件侧面，导电连接衬块暴露于该凹槽并耦接微电子元件，对比文件无此对应关系，未公开。 |
| **特征P**：所述凹槽(47)延伸到所述覆盖构件(40)中的所述孔(41) **《未公开》** | 对比文件无覆盖构件孔，无凹槽延伸到孔的结构。 | 前提特征未公开，未公开。 |
| **特征Q**：其特征在于，为了形成所述体构件(45)而使用模具(11、15) **《直接公开》** | 详细描述部分结合图4B：“device 10 has been placed inside of a two-piece mold assembly 47”，图4C显示转移模塑成型。 | 对比文件明确使用两件式模具进行转移模塑以形成封装体（相当于体构件），因此直接公开。 |
| **特征R**：其中 **《未公开》** | 对比文件在描述模具使用时使用了“wherein”等连接词，但“其中”本身无技术限定，且对比文件未公开后续特征S-U。 | 特征R为连接词，无独立技术内容，且后续特征S-U未公开，因此不认为被公开。 |
| **特征S**：通过将所述模具(15)和所述牺牲载体(20)置于相互之间的预定位置产生用于容纳材料的空间(19) **《未公开》** | 对比文件将模具和器件（含引线框架）定位产生空间，但牺牲载体不存。 | 特征指定“牺牲载体”，对比文件无此对象，因此未公开。 |
| **特征T**：所述材料用于形成所述体构件(45) **《直接公开》** | 图4C等描述：“encapsulated with a flowable plastic encapsulant 14”，形成塑料封装体。 | 对比文件模塑料用于形成封装体，即体构件，直接公开。 |
| **特征U**：所述模具(15)包括用于避免所述材料覆盖所述覆盖构件(40)的至少一部分的突出件(17) **《未公开》** | 图4B描述：“upper part 48 has an integral, inwardly extending protrusion 54 that does not touch the top surface of the MEMS device 10. This creates a positive gap 52 for plastic encapsulant 14 to flow into.”（翻译：上部48具有一体的向内延伸的突出件54，其不接触MEMS器件10的顶面，这一间隙52供塑料模塑料流入。） | 对比文件的突出件不接触器件，允许材料流入间隙，形成薄层，而非避免覆盖。且无覆盖构件。因此未公开。 |
| **特征V**：其特征在于，所述模具(15)的所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) **《未公开》** | 图4E显示，模塑后突出件对应形成局部薄区（partial perforation 16'），并非槽形凹槽，且该薄区需后续蚀刻去除。 | 目标专利的突出件直接形成槽形凹槽（贯穿的沟槽），对比文件突出件仅形成薄区，未形成槽形凹槽，未公开。 |
| **特征W**：所述槽形凹槽(46)从所述体构件(45)的一个侧面延伸到所述体构件(45)的相对侧面 **《未公开》** | 对比文件无槽形凹槽，其薄区未从体构件一侧延伸到相对侧。 | 未公开。 |
| **特征X**：其特征在于，在将所述模具(15)与所述牺牲载体(20)相对于彼此之间定位的所述步骤期间 **《未公开》** | 对比文件有定位步骤，但涉及的是模具与器件（含引线框架），非牺牲载体。 | 未公开。 |
| **特征Y**：以相对于所述牺牲载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的纵向轴(221)成直角的方式来放置所述模具(15)的所述突出件(17)的纵向轴(171) **《未公开》** | 对比文件未描述突出件纵向轴，未提及成直角关系，且无升高部分。 | 未公开。 |
| **特征Z**：所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) **《未公开》** | 同特征V，对比文件突出件不适合形成槽形凹槽。 | 未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<Q>>><<<T>>>