对比文件的名称：JP2003125295A_Description_20260712_1529
目标专利的名称：1323包装、包装载体及其制造方法、诊断设备及其制造方法CN100586253C
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：所述包装载体(55)适于封闭至少一个微电子元件(60、61)并具有用于所述包装载体(55)至另一种设备的电气连接的导电连接衬块(31) **《直接公开》** | [0035] “半导体装置21，包括アイランド221上固着半导体素子24，外部电极222用于电气连接。” | 对比文件公开了半导体装置（相当于包装载体）封闭半导体元件（微电子元件），并具有外部电极（导电连接衬块）用于与外部设备电气连接，功能与作用相同，因此直接公开。 |
| 特征B：所述方法包括以下步骤 **《直接公开》** | [0023] “本发明的半导体装置的制造方法，包括：准备导电部材，形成搭载部，形成枠状部，固着半导体素子，接着透明板，除去导电部材裏面，分离等步骤。” | 对比文件明确公开了制造方法，包含多个步骤，因此直接公开方法包括步骤这一前序特征。 |
| 特征C：提供牺牲载体(20) **《不公开》** | [0048] “先ず、導電部材である導電箔３２を用意する。” | 对比文件提供导电箔，但导电箔是永久性部件（最终保留部分作为导电图案），并非临时去除的牺牲载体，因此不公开。 |
| 特征D：所述牺牲载体(20)具有承载表面(24)和在所述承载表面(24)的导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30) **《不公开》** | [0054] “Ｃｕ箔３２の上に、ホトレジストＰＲを形成し、導電パターン２２となる領域を除いた導電箔３２が露出するようにホトレジストＰＲをパターニングする。” | 对比文件公开了导电箔表面具有导电图案，但导电箔不是牺牲载体，因此不公开。 |
| 特征E：将所述牺牲载体(20)弯曲以在所述承载表面(24)中产生升高部分(22)和凹入部分(23) **《不公开》** | 无弯曲步骤。 | 对比文件中的导电箔始终保持平坦，没有弯曲形成不同水平部分，因此不公开。 |
| 特征F：提供在所述载体(20)上具有至少一个孔(41)的覆盖构件(40) **《不公开》** | 无覆盖构件。 | 对比文件没有在载体上设置具有孔的绝缘覆盖构件（玻璃板无孔且不直接附着在载体上），因此不公开。 |
| 特征G：以使在所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)和包围所述孔(41)的所述覆盖构件(40)的顶部部分出现在所述载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的一部分上 **《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件没有升高部分，没有覆盖构件，因此不公开。 |
| 特征H：从而覆盖所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)的至少一部分 **《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件没有覆盖构件，因此不公开。 |
| 特征I：通过将材料应用于所述承载表面(24)、所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)并应用于所述覆盖构件(40)的一部分来形成体构件(45) **《不公开》** | [0060] “樹脂は矢印４１２のように枠状部２６を形成する分離溝３３１および上金型４０１の凸部間とからなる空間へ流入し、また、矢印４１３のように上金型４０１と分離溝３３２とから成る空間へ流入する。” | 对比文件模制树脂时应用于导电箔表面和图案间，但无覆盖构件，因此不公开。 |
| 特征J：而不将材料应用于所述覆盖构件(40)的顶部部分 **《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件没有覆盖构件，因此不公开。 |
| 特征K：将所述牺牲载体(20)的至少一部分除去 **《不公开》** | [0074] “導電箔３２の裏面を化学的および／または物理的に除き、導電パターン２２として分離する。” | 对比文件除去导电箔背面，但导电箔不是牺牲载体，且除去的是永久基板的一部分，因此不公开。 |
| 特征L：从而产生凹槽(47) **《不公开》** | 无凹槽。 | 对比文件除去背面后未形成凹槽（导电图案背面与树脂表面基本齐平），因此不公开。 |
| 特征M：所述凹槽(47)在所述牺牲载体(20)的除去部分曾经所处的所述体构件(45)的侧面并位于所述牺牲载体(20)的所述升高部分(22)曾经所处的位置 **《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件没有升高部分，没有凹槽，因此不公开。 |
| 特征N：暴露所述图案(30)的所述导电连接衬块(31)中的至少一个 **《不公开》** | [0074] “研磨装置または研削装置により全面を３０μｍ程度削り、分離溝３３から枠状部２６、絶縁部２７の絶縁性樹脂を露出させている。” | 对比文件暴露了导电图案背面，但不是在凹槽中，且不依赖于升高部分，因此不公开。 |
| 特征O：所述图案(30)的所述至少一个导电连接衬块(31)适于电气耦接到在所述体构件(45)的所述侧面的微电子元件(60) **《不公开》** | [0035] “外部電極２２２と半導体素子２４の電極とを金属細線２５で接続。” | 对比文件公开了外部电极连接芯片，但不是在体构件侧面的凹槽中，因此不公开。 |
| 特征P：所述凹槽(47)延伸到所述覆盖构件(40)中的所述孔(41) **《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件没有凹槽，没有覆盖构件孔，因此不公开。 |
| 特征Q：其特征在于，为了形成所述体构件(45)而使用模具(11、15) **《直接公开》** | [0058] “先ず、前工程で導電パターン２２が形成された導電箔３２を下金型４０２上に位置合わせをしながら設置し、その後、上金型４０１を設置し導電箔３２を固定する。” | 对比文件明确使用上金型和下金型（模具）通过模塑形成树脂部分（体构件），因此直接公开。 |
| 特征R：其中 **《不公开》** | 无实质内容。 | 对比文件未公开“其中”这一过渡词，且无技术意义，不公开。 |
| 特征S：通过将所述模具(15)和所述牺牲载体(20)置于相互之间的预定位置产生用于容纳材料的空间(19) **《不公开》** | [0058] “導電箔３２を下金型４０２上に位置合わせをしながら設置し、その後、上金型４０１を設置し導電箔３２を固定する。” | 对比文件公开了将模具和导电箔（载体）定位产生空间，但导电箔不是牺牲载体，且对比文件未教导牺牲载体的概念，本领域技术人员不能合理推断出该特征，因此不公开。 |
| 特征T：所述材料用于形成所述体构件(45) **《直接公开》** | [0060] “樹脂は…枠状部２６を形成する…。” | 对比文件公开了注入的树脂材料用于形成枠状部和绝缘部（构成体构件），因此直接公开。 |
| 特征U：所述模具(15)包括用于避免所述材料覆盖所述覆盖构件(40)的至少一部分的突出件(17) **《不公开》** | [0058] “上金型４０１内面には導電箔３２上の各搭載部３７に対応した凸部が複数形成され、搭載部３７と金型の凸部先端面とを当接させている。” | 对比文件模具凸部避免材料覆盖导电箔的搭载部，但无覆盖构件，因此不公开。 |
| 特征V：其特征在于，所述模具(15)的所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) **《不公开》** | [0061] “搭載部３７の周囲に枠状部２６が形成される。…搭載部３７には凹部２８が形成される。” | 对比文件形成的是封闭的凹部（凹坑），不是从一侧延伸到另一侧的槽形凹槽，因此不公开。 |
| 特征W：所述槽形凹槽(46)从所述体构件(45)的一个侧面延伸到所述体构件(45)的相对侧面 **《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件没有形成槽形凹槽，因此不公开。 |
| 特征X：其特征在于，在将所述模具(15)与所述牺牲载体(20)相对于彼此之间定位的所述步骤期间 **《不公开》** | [0058] “位置合わせをしながら設置。” | 对比文件公开了定位步骤，但该特征依赖于牺牲载体，而牺牲载体未被公开，本领域技术人员不能合理推断，因此不公开。 |
| 特征Y：以相对于所述牺牲载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的纵向轴(221)成直角的方式来放置所述模具(15)的所述突出件(17)的纵向轴(171) **《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件没有升高部分，没有突出件纵向轴与升高部分纵向轴垂直的关系，因此不公开。 |
| 特征Z：所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) **《不公开》** | 同特征V。 | 不公开。 |
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