对比文件名称：2001-09-05_EP1130646A_发明公开_EP1130646A1 Chip-mounted enclosure
目标专利名称：1323包装、包装载体及其制造方法、诊断设备及其制造方法CN100586253C
本次调用的模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：所述包装载体(55)适于封闭至少一个微电子元件(60、61)并具有用于所述包装载体(55)至另一种设备的电气连接的导电连接衬块(31) **[直接公开]** | 对比文件[0010]：“一种芯片安装的封装（CME）包括由集成电路芯片形成的基底，设置在基底上的换能器元件，围绕换能器元件并连接到基底的侧壁，以及连接到侧壁的顶部。”<br>对比文件[0023]：“可以通过IC芯片中的布线从换能器到外部端子提供电连接。” | 对比文件公开的CME封闭至少一个微电子元件（换能器元件），且通过IC芯片上的外部端子（相当于导电连接衬块）实现与其他设备的电气连接。因此，技术特征A被直接公开。 |
| 特征B：所述方法包括以下步骤 **[不判断]** | 无 | 该特征为方法步骤的引出，无具体技术内容，不判断公开性。 |
| 特征C：提供牺牲载体(20) **[无公开]** | 对比文件未提及提供牺牲载体。 | 对比文件中的IC芯片是永久部件，并非牺牲载体。本领域技术人员无法从对比文件得出提供牺牲载体的步骤，因此未公开。 |
| 特征D：所述牺牲载体(20)具有承载表面(24)和在所述承载表面(24)的导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30) **[无公开]** | 对比文件未提及牺牲载体上的导电图案。 | 对比文件虽有IC芯片表面的金属焊盘，但IC芯片不是牺牲载体，其表面图案不属于牺牲载体上的图案。因此未公开。 |
| 特征E：将所述牺牲载体(20)弯曲以在所述承载表面(24)中产生升高部分(22) and 凹入部分(23) **[无公开]** | 对比文件未提及弯曲步骤。 | 对比文件没有公开任何弯曲载体的步骤，也没有形成不同水平部分。因此未公开。 |
| 特征F：提供在所述载体(20)上具有至少一个孔(41)的覆盖构件(40) **[无公开]** | 对比文件[0030]提到“由单独透明光学元件26覆盖的孔25”，但该孔位于侧壁，并非覆盖构件。 | 对比文件中的孔位于侧壁用于光学元件，并非位于载体上的覆盖构件（绝缘材料层）。覆盖构件的概念未公开。因此未公开。 |
| 特征G：以使在所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)和包围所述孔(41)的所述覆盖构件(40)的顶部部分出现在所述载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的一部分上 **[无公开]** | 对比文件未公开相关内容。 | 由于缺乏弯曲步骤和覆盖构件，该特征无法从对比文件得出。因此未公开。 |
| 特征H：从而覆盖所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)的至少一部分 **[无公开]** | 对比文件未公开覆盖构件覆盖导电图案。 | 对比文件中的侧壁和顶部并不覆盖导电图案，而是形成封闭腔体。因此未公开。 |
| 特征I：通过将材料应用于所述承载表面(24)、所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)并应用于所述覆盖构件(40)的一部分来形成体构件(45) **[无公开]** | 对比文件未公开通过应用材料形成体构件。 | 对比文件中的侧壁和顶部是预制的或通过微机械加工形成，并非通过将材料应用于表面形成。因此未公开。 |
| 特征J：而不将材料应用于所述覆盖构件(40)的顶部部分 **[无公开]** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件没有覆盖构件，也没有选择性避免材料应用的步骤。因此未公开。 |
| 特征K：将所述牺牲载体(20)的至少一部分除去 **[无公开]** | 对比文件未公开除去牺牲载体。 | 对比文件没有牺牲载体，也没有除去步骤。因此未公开。 |
| 特征L：从而产生凹槽(47) **[无公开]** | 对比文件未公开通过除去牺牲载体产生凹槽。 | 对比文件中的腔体是通过侧壁和顶部形成的，并非通过除去牺牲载体。因此未公开。 |
| 特征M：所述凹槽(47)在所述牺牲载体(20)的除去部分曾经所处的所述体构件(45)的侧面并位于所述牺牲载体(20)的所述升高部分(22)曾经所处的位置 **[无公开]** | 对比文件未公开相关内容。 | 由于无牺牲载体除去和升高部分，该特征无法从对比文件得出。因此未公开。 |
| 特征N：暴露所述图案(30)的所述导电连接衬块(31)中的至少一个 **[无公开]** | 对比文件未公开通过除去牺牲载体暴露衬块。 | 对比文件中IC芯片的焊盘暴露在表面，但并非通过除去牺牲载体，且不在凹槽中。因此未公开。 |
| 特征O：所述图案(30)的所述至少一个导电连接衬块(31)适于电气耦接到在所述体构件(45)的所述侧面的微电子元件(60) **[无公开]** | 对比文件[0023]提到换能器通过IC芯片布线连接到外部端子，但换能器安装在IC芯片表面，不在体构件侧面。 | 对比文件中的微电子元件（换能器）安装在IC芯片表面，而非体构件侧面的凹槽中，且没有凹槽结构。因此未公开。 |
| 特征P：所述凹槽(47)延伸到所述覆盖构件(40)中的所述孔(41) **[无公开]** | 对比文件未公开凹槽延伸至覆盖构件的孔。 | 对比文件没有覆盖构件和对应的凹槽结构。因此未公开。 |
| 特征Q：其特征在于，为了形成所述体构件(45)而使用模具(11、15) **[无公开]** | 对比文件[0044]提到侧壁结构可通过模塑制造，但未明确用于形成体构件。 | 对比文件仅提到侧壁结构可通过模塑制造，但该侧壁是单独部件，且未涉及使用模具与牺牲载体配合形成体构件。因此未公开。 |
| 特征R：其中 **[无公开]** | 无 | 连接词，不判断。 |
| 特征S：通过将所述模具(15)和所述牺牲载体(20)置于相互之间的预定位置产生用于容纳材料的空间(19) **[无公开]** | 对比文件未公开。 | 对比文件没有牺牲载体，也没有模具与牺牲载体定位形成空间。因此未公开。 |
| 特征T：所述材料用于形成所述体构件(45) **[无公开]** | 对比文件未公开。 | 同上。 |
| 特征U：所述模具(15)包括用于避免所述材料覆盖所述覆盖构件(40)的至少一部分的突出件(17) **[无公开]** | 对比文件未公开。 | 对比文件没有覆盖构件，也没有模具突出件。因此未公开。 |
| 特征V：其特征在于，所述模具(15)的所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) **[无公开]** | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开任何模具突出件形成槽形凹槽。因此未公开。 |
| 特征W：所述槽形凹槽(46)从所述体构件(45)的一个侧面延伸到所述体构件(45)的相对侧面 **[无公开]** | 对比文件未公开。 | 对比文件没有槽形凹槽从体构件一个侧面延伸到相对侧面。因此未公开。 |
| 特征X：其特征在于，在将所述模具(15)与所述牺牲载体(20)相对于彼此之间定位的所述步骤期间 **[无公开]** | 对比文件未公开。 | 对比文件没有模具与牺牲载体定位步骤。因此未公开。 |
| 特征Y：以相对于所述牺牲载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的纵向轴(221)成直角的方式来放置所述模具(15)的所述突出件(17)的纵向轴(171) **[无公开]** | 对比文件未公开。 | 对比文件没有升高部分，也没有模具突出件纵向轴成角度放置。因此未公开。 |
| 特征Z：所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) **[无公开]** | 对比文件未公开。 | 与特征V类似，未公开。 |
<<<A>>>