对比文件名称：2005-04-21_US2005082648A_发明申请_US20050082648A1 Ceramic package and chip resistor, and method for manufacture thereof
目标专利名称：1323包装、包装载体及其制造方法、诊断设备及其制造方法CN100586253C
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述包装载体(55)适于封闭至少一个微电子元件(60、61)并具有用于所述包装载体(55)至另一种设备的电气连接的导电连接衬块(31) **《直接公开》** | [0001]“本发明涉及一种陶瓷封装，用于存储电子元件的器件”<br>[0055]“陶瓷封装单元可用作电子组件设备的容器，存储电子组件。此外，陶瓷封装单元存储电子组件等可用作无引线表面安装电子组件设备。”<br>导体层（电极）形成在陶瓷封装上，用于电气连接（参见[0074]“导体图案…形成电极用导体层”）。 | 对比文件公开了一种陶瓷封装，用于存储电子元件（相当于微电子元件），并具有导体层（即导电连接衬块）用于电气连接至其他设备。因此，对比文件直接公开了包装载体适于封闭微电子元件并具有导电连接衬块的特征。 |
| **技术特征B**：所述方法包括以下步骤 **《直接公开》** | [0007]“根据本发明，提供一种陶瓷封装…制造方法包括以下步骤：在塑性陶瓷生坯片上形成导体层；压制成型；烧结。”<br>全文描述了一系列制造步骤。 | 对比文件明确记载了制造陶瓷封装的方法包括多个步骤，因此直接公开了“方法包括以下步骤”这一特征。 |
| **技术特征C**：提供牺牲载体(20) **《未公开》** | [0069]“将塑性绿色片切割成18cm×16cm，粘贴在带孔不锈钢框架上。”<br>对比文件提供的是陶瓷生坯片，该生坯片在烧结后成为陶瓷封装的一部分，不被除去。 | 对比文件未提供牺牲载体。其提供的陶瓷生坯片是永久性基板，并非临时承载导电图案随后被除去的牺牲载体。因此未公开。 |
| **技术特征D**：所述牺牲载体(20)具有承载表面(24)和在所述承载表面(24)的导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30) **《未公开》** | [0071]“将塑性导电浆料印刷在塑性陶瓷绿色片上，形成导体层。”<br>导体层形成在生坯片表面，但生坯片不是牺牲载体。 | 由于对比文件未公开牺牲载体，故特征D不成立。即使其公开了在生坯片上形成导电图案，但载体性质不同，因此未公开。 |
| **技术特征E**：将所述牺牲载体(20)弯曲以在所述承载表面(24)中产生升高部分(22) and 凹入部分(23) **《未公开》** | [0073]“使用成型模具来成型凹腔…压制成型以形成底部、开口和开口周缘。”<br>对比文件通过压制成型形成凹部，而非弯曲。 | 对比文件未涉及弯曲步骤，也未公开通过弯曲产生升高部分和凹入部分。其采用压制成型使生坯片局部变形，但并未明确形成升高部分的概念。因此未公开。 |
| **技术特征F**：提供在所述载体(20)上具有至少一个孔(41)的覆盖构件(40) **《未公开》** | [0059]“保护层不限于覆盖玻璃，也可以使用环氧树脂等。”<br>保护层用于覆盖电阻，但未公开具有孔。 | 对比文件未公开具有孔的覆盖构件。其保护层通常覆盖整个电阻区域，不形成孔，且未起到目标专利中覆盖构件的作用。因此未公开。 |
| **技术特征G**：以使在所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)和包围所述孔(41)的所述覆盖构件(40)的顶部部分出现在所述载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的一部分上 **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开覆盖构件和升高部分，因此无法公开该特征。 |
| **技术特征H**：从而覆盖所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)的至少一部分 **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开覆盖构件，因此未公开覆盖导电图案。 |
| **技术特征I**：通过将材料应用于所述承载表面(24)、所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)并应用于所述覆盖构件(40)的一部分来形成体构件(45) **《未公开》** | [0073]-[0074]通过压制成型并烧结形成陶瓷体，未应用额外材料。 | 对比文件未采用将材料涂覆于承载表面和图案的方式形成体构件，而是通过压制成型使生坯片直接成型。因此未公开。 |
| **技术特征J**：而不将材料应用于所述覆盖构件(40)的顶部部分 **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开覆盖构件，因此未公开。 |
| **技术特征K**：将所述牺牲载体(20)的至少一部分除去 **《未公开》** | [0076]“将陶瓷绿色片背面的支撑膜剥离。”<br>支撑膜是临时载体，但上面未形成导电图案，且被剥离的支撑膜不是牺牲载体。 | 对比文件未公开除去牺牲载体。其剥离的支撑膜不承载导电图案，与目标专利的牺牲载体不同。因此未公开。 |
| **技术特征L**：从而产生凹槽(47) **《直接公开》** | [0073]“压制成型以形成底部、开口和开口周缘。”<br>即形成凹腔（凹槽），用于容纳电子元件。 | 对比文件通过压制成型产生了凹槽（凹腔），该凹槽用于容纳电子元件，与目标专利的凹槽功能相同。因此直接公开了产生凹槽的结果。 |
| **技术特征M**：所述凹槽(47)在所述牺牲载体(20)的除去部分曾经所处的所述体构件(45)的侧面并位于所述牺牲载体(20)的所述升高部分(22)曾经所处的位置 **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开牺牲载体和升高部分，因此未公开凹槽的位置关系。 |
| **技术特征N**：暴露所述图案(30)的所述导电连接衬块(31)中的至少一个 **《直接公开》** | [0074]“导体图案完整地跟随变形，形成电极用导体层。”<br>该导体层位于凹腔底部，即暴露在凹槽中。 | 对比文件在压制成型后，凹腔底部暴露了导体层（相当于导电连接衬块），因此直接公开了暴露导电衬块的特征。 |
| **技术特征O**：所述图案(30)的所述至少一个导电连接衬块(31)适于电气耦接到在所述体构件(45)的所述侧面的微电子元件(60) **《直接公开》** | [0055]“陶瓷封装单元存储电子组件。”<br>电极用于与电子组件电气连接。 | 对比文件的陶瓷封装用于存储电子元件，其电极（导体层）用于与电子元件耦接，因此直接公开了导电衬块适于耦接微电子元件。 |
| **技术特征P**：所述凹槽(47)延伸到所述覆盖构件(40)中的所述孔(41) **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开覆盖构件和孔，因此未公开凹槽延伸到孔。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，为了形成所述体构件(45)而使用模具(11、15) **《直接公开》** | [0073]“使用成型模具来成型凹腔…模具由超硬材料制成。”<br>模具用于压制成型形成陶瓷封装体。 | 对比文件明确使用模具进行压制成型以形成陶瓷封装体（相当于体构件），因此直接公开了使用模具形成体构件。 |
| **技术特征R**：其中 **《直接公开》** | 对比文件方法描述中自然包含“其中”等过渡词，例如[0007]“包括以下步骤”。 | 直接公开，因为对比文件的方法步骤中必然包含此类过渡性词语。 |
| **技术特征S**：通过将所述模具(15)和所述牺牲载体(20)置于相互之间的预定位置产生用于容纳材料的空间(19) **《未公开》** | [0073]“将模具与生坯片定位并压制成型。”<br>模具与生坯片接触，未产生容纳材料的空间。 | 对比文件未公开牺牲载体，且压制成型时模具与生坯片直接接触，不产生用于容纳材料的空间。因此未公开。 |
| **技术特征T**：所述材料用于形成所述体构件(45) **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未使用额外材料形成体构件，因此未公开。 |
| **技术特征U**：所述模具(15)包括用于避免所述材料覆盖所述覆盖构件(40)的至少一部分的突出件(17) **《未公开》** | [0073]“模具形成有多个凸起对应凹腔。”<br>凸起用于形成凹腔，而非避免材料覆盖覆盖构件。 | 对比文件未公开覆盖构件，且模具凸起的作用是成型凹腔，不同于目标专利中避免材料覆盖覆盖构件的突出件。因此未公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述模具(15)的所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) **《未公开》** | [0073]“模具凸起形成凹腔。”<br>凹腔是封闭的，非槽形凹槽。 | 对比文件形成的凹腔是封闭的腔体，并非从一侧延伸到另一侧的槽形凹槽。因此未公开。 |
| **技术特征W**：所述槽形凹槽(46)从所述体构件(45)的一个侧面延伸到所述体构件(45)的相对侧面 **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何槽形凹槽，因此未公开。 |
| **技术特征X**：其特征在于，在将所述模具(15)与所述牺牲载体(20)相对于彼此之间定位的所述步骤期间 **《未公开》** | [0073]“将模具与生坯片定位。”<br>但生坯片不是牺牲载体。 | 对比文件未公开牺牲载体，因此未公开该定位步骤。 |
| **技术特征Y**：以相对于所述牺牲载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的纵向轴(221)成直角的方式来放置所述模具(15)的所述突出件(17)的纵向轴(171) **《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开升高部分和纵向轴成直角的关系，因此未公开。 |
| **技术特征Z**：所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) **《未公开》** | 同V，未公开槽形凹槽。 | 同V，未公开。 |
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