**对比文件名称**：2003-10-16_WO2003085732A_发明申请_WO2003085732A1 MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS PACKAGING
**目标专利名称**：1323包装、包装载体及其制造方法、诊断设备及其制造方法 CN100586253C
**本次调用的模型名称**：GPT-4
### 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断 | 第二栏：对比文件原文引用（翻译成中文） | 第三栏：公开性论述 |
| 技术特征A：所述包装载体(55)适于封闭至少一个微电子元件(60、61)并具有用于所述包装载体(55)至另一种设备的电气连接的导电连接衬块(31) <br>《直接公开》 | [p0073] “使用球栅阵列（BGA）14安装到印刷电路板（PCB）12上。”<br>[p0074] “MTM 10是多个集成电路的集成，这些集成电路以多种不同工艺技术构建或与多种不同工艺技术一起构建。在该示例中，第一芯片16安装到衬底18的下方。”<br>[p0084] “衬底18可以具有用于连接完整MTM组件的所有组件的占位面积，并用于使用衬底互连焊盘84将MTM连接到PCB或类似设备。” | 对比文件公开了衬底（substrate）作为载体，该衬底用于封闭至少一个微电子元件（芯片），并具有导电连接衬块（BGA和互连焊盘）用于至另一种设备（如PCB）的电气连接。该作用与目标专利中包装载体的作用完全相同，即封闭微电子元件并提供电气连接。因此，技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：所述方法包括以下步骤 <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何形成包装载体的方法步骤，仅描述了最终产品的结构，未涉及步骤B所引出的后续方法流程。 |
| 技术特征C：提供牺牲载体(20) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何牺牲载体，其使用的衬底是永久性结构，不是临时支撑件。 |
| 技术特征D：所述牺牲载体(20)具有承载表面(24)和在所述承载表面(24)的导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开牺牲载体上的承载表面及导电图案，其导电图案形成于永久衬底或MEMS管芯上。 |
| 技术特征E：将所述牺牲载体(20)弯曲以在所述承载表面(24)中产生升高部分(22) and 凹入部分(23) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开弯曲牺牲载体的步骤，其结构是通过设计形成台阶状，而非通过弯曲工艺获得。 |
| 技术特征F：提供在所述载体(20)上具有至少一个孔(41)的覆盖构件(40) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开覆盖构件，其衬底上的孔（hole）用于容纳MEMS管芯顶部，而非在覆盖构件上设置孔。 |
| 技术特征G：以使在所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)和包围所述孔(41)的所述覆盖构件(40)的顶部部分出现在所述载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的一部分上 <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开覆盖构件的孔和顶部部分在升高部分上的布置，其结构不同。 |
| 技术特征H：从而覆盖所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)的至少一部分 <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开覆盖构件覆盖导电图案，其导电图案暴露于表面或通过其他方式连接。 |
| 技术特征I：通过将材料应用于所述承载表面(24)、所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)并应用于所述覆盖构件(40)的一部分来形成体构件(45) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开通过应用材料形成体构件，其衬底是预先制造的，而非模制在牺牲载体上。 |
| 技术特征J：而不将材料应用于所述覆盖构件(40)的顶部部分 <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开覆盖构件顶部部分避免材料，其无覆盖构件。 |
| 技术特征K：将所述牺牲载体(20)的至少一部分除去 <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开除去牺牲载体的步骤，其衬底保留。 |
| 技术特征L：从而产生凹槽(47) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开通过除去牺牲载体产生凹槽，其凹槽（如果有）通过其他方式形成。 |
| 技术特征M：所述凹槽(47)在所述牺牲载体(20)的除去部分曾经所处的所述体构件(45)的侧面并位于所述牺牲载体(20)的所述升高部分(22)曾经所处的位置 <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开凹槽的位置特征，其无体构件和牺牲载体。 |
| 技术特征N：暴露所述图案(30)的所述导电连接衬块(31)中的至少一个 <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开通过除去牺牲载体暴露连接衬块，其连接衬块始终暴露于衬底表面。 |
| 技术特征O：所述图案(30)的所述至少一个导电连接衬块(31)适于电气耦接到在所述体构件(45)的所述侧面的微电子元件(60) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开体构件侧面的连接衬块耦接微电子元件，其连接方式（如倒装焊、引线键合）不同且无体构件。 |
| 技术特征P：所述凹槽(47)延伸到所述覆盖构件(40)中的所述孔(41) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开凹槽延伸到覆盖构件的孔，其无覆盖构件和对应凹槽。 |
| 技术特征Q：其特征在于，为了形成所述体构件(45)而使用模具(11、15) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开使用模具形成体构件，其体构件通过模制形成，但对比文件无此步骤。 |
| 技术特征R：其中 <br>《未公开》 | 无 | 该特征仅为连接词，无技术内容，对比文件未公开后续关联结构。 |
| 技术特征S：通过将所述模具(15)和所述牺牲载体(20)置于相互之间的预定位置产生用于容纳材料的空间(19) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开模具与牺牲载体的定位，其无模具和牺牲载体。 |
| 技术特征T：所述材料用于形成所述体构件(45) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开形成体构件的材料，其体构件通过其他方式形成。 |
| 技术特征U：所述模具(15)包括用于避免所述材料覆盖所述覆盖构件(40)的至少一部分的突出件(17) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开模具突出件，其无覆盖构件和模具。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述模具(15)的所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开槽形凹槽，其无突出件。 |
| 技术特征W：所述槽形凹槽(46)从所述体构件(45)的一个侧面延伸到所述体构件(45)的相对侧面 <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开槽形凹槽的延伸，其无体构件。 |
| 技术特征X：其特征在于，在将所述模具(15)与所述牺牲载体(20)相对于彼此之间定位的所述步骤期间 <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开定位步骤，其无模具和牺牲载体。 |
| 技术特征Y：以相对于所述牺牲载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的纵向轴(221)成直角的方式来放置所述模具(15)的所述突出件(17)的纵向轴(171) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开突出件纵向轴与升高部分纵向轴成直角，其无升高部分和突出件。 |
| 技术特征Z：所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) <br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开突出件形成槽形凹槽，其无突出件和体构件。 |
### 结论
根据上述特征比对，对比文件仅直接公开了技术特征A，其余技术特征均未直接或隐含公开。因此，在回答结尾仅插入对应直接公开的代码。
<<<A>>>