**对比文件名称：** 2014-04-15_US8697292B_发明授权_US08697292B2 Sulfide solid electrolyte material, battery, and method for producing sulfide solid electrolyte material
**目标专利名称：** 1514硫化物型固体电解质、其制备方法和包含其的全固态电池CN113937350B
**模型名称：** DeepSeek
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其特征在于，所述硫化物型固体电解质包含由Li₁₃Sn₂InS₁₂表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物。<br>**公开性判断：未公开（既非直接公开也非隐含公开）** | 对比文件[0064]记载：“另一方面，上述M2优选是三价、四价或五价元素。M2的实例包括选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V和Nb中的至少一种。” 但对比文件全文未公开Li₁₃Sn₂InS₁₂这一具体化合物，也未给出任何包含Sn和In的特定硫化物固体电解质的制备示例。对比文件核心是LiGePS体系，其实施例均基于P和Ge。 | 目标专利的技术特征A限定了具体的化合物Li₁₃Sn₂InS₁₂，该化合物不含P，且为特定的LTMS型。对比文件虽然将Sn和In列为M2的可选元素，但从未公开或教导将Sn和In组合使用并形成该特定组成的化合物。对比文件所有实施例均包含P和Ge，且强调其优选为P和Ge。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出该具体化合物，也无法合理推断出该化合物。因此，对比文件未公开技术特征A。 |
| **技术特征B**：所述硫化物型固体电解质用于形成全固态电池的固体电解质层。<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件[0019]记载：“本发明提供一种电池，包含：正极活性材料层、负极活性材料层和形成于其间的电解质层，其特征在于，上述正极活性材料层、上述负极活性材料层和上述电解质层中的至少一个含有上述硫化物固体电解质材料。” 对比文件[0021]记载：“在本发明中，上述电解质层优选是含有上述硫化物固体电解质材料的固体电解质层。” | 对比文件明确公开了其硫化物固体电解质材料可用于形成全固态电池的固体电解质层（电解质层优选为固体电解质层）。该作用与目标专利完全相同，即作为全固态电池的固体电解质。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：其特征在于，所述方法包括如下步骤：i)将锂硫化物、锡硫化物和含M的硫化物混合，其中M是In。<br>**公开性判断：未公开（既非直接公开也非隐含公开）** | 对比文件[0022]等方法实施例中公开了使用原料组合物，但原料组合物通常为Li₂S、P₂S₅、GeS₂等，从未使用锡硫化物（如SnS₂）和含In硫化物（如In₂S₃）作为原料。对比文件[0064]虽将Sn和In列为M2的可选元素，但在整个说明书中从未给出将锂硫化物、锡硫化物和含In硫化物混合的教导或示例。 | 对比文件的方法核心在于通过机械研磨和热处理获得具有特定XRD峰的硫化物固体电解质，其原料组合物以Li₂S、P₂S₅、GeS₂为主（实施例均含P）。虽然M2可选Sn和In，但对比文件未提供任何具体实施方式或启示来使用这些原料制备目标化合物。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出需要将锂硫化物、锡硫化物和含In硫化物混合，且目标专利方法不含P，而对比文件方法均含P。因此，技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D**：（无具体技术内容） | — | 技术特征D未提供具体描述，无法进行公开性比对，视为无技术特征。 |
| **技术特征E**：ii)对混合物进行热处理。<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件[0022]记载：“一种制备硫化物固体电解质材料的方法，包括：离子导电材料合成步骤，通过使用含有M1元素、M2元素和S元素的原料组合物合成结晶离子导电材料；结晶度降低步骤，通过机械研磨降低上述离子导电材料的结晶度；以及加热步骤，对降低结晶度的上述离子导电材料进行加热，以获得在CuKα射线X射线衍射测量中在2θ=29.58°±0.50°位置具有峰且IB/IA值小于0.50的硫化物固体电解质材料。” 对比文件[0026]记载了第二实施方式，包括通过机械研磨合成非晶离子导电材料，然后加热步骤。对比文件[0108]记载了通过固相法加热合成结晶离子导电材料（即对原料混合物直接加热）。 | 对比文件公开了对原料混合物或离子导电材料进行热处理（加热）的步骤，其作用是通过热处理使材料结晶或改善结晶度，获得具有高离子电导率的硫化物固体电解质。这与目标专利的对混合物进行热处理步骤实质相同。因此，技术特征E被对比文件直接公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述热处理在400℃至850℃下进行一次或多次。<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件[0116]记载：“加热温度优选为300℃以上，更优选350℃以上，进一步优选400℃以上，特别优选450℃以上。另一方面，加热温度优选为1000℃以下，更优选700℃以下，进一步优选650℃以下，特别优选600℃以下。” 实施例1中，结晶离子导电材料合成在700℃进行8小时，加热步骤在550℃进行8小时。对比文件第一实施方式包括两次加热（合成和加热），第二实施方式包括一次加热。 | 对比文件明确公开了在400℃以上（优选400-700℃）的温度进行热处理，且其实施例中加热温度涵盖550℃和700℃，均在400-850℃范围内。同时，对比文件明确公开了热处理可以进行一次（第二实施方式）或多次（第一实施方式两次加热）。因此，技术特征F被对比文件直接公开。 |
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