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对比文件列表
2011-09-29_WO2011118801A_发明申请_WO2011118801A1 硫化物固体電解質材料、電池および硫化物固体電解質材料の製造方法_+++B_E_F+++.docx
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2012-12-12_CN102823049A_发明公开_CN102823049A 硫化物固体电解质材料、电池和硫化物固体电解质材料的制造方法_+++B_E_F+++.docx
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2013-02-06_EP2555307A_发明公开_EP2555307A1 SULFIDE SOLID ELECTROLYTE MATERIAL, BATTERY, AND METHOD FOR PRODUCING SULFIDE SOLID ELECTROLYTE MATERIAL_+++B_E_F_c+++.docx
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2013-02-14_US2013040208A_发明申请_US20130040208A1 SULFIDE SOLID ELECTROLYTE MATERIAL, BATTERY, AND METHOD FOR PRODUCING SULFIDE SOLID ELECTROLYTE MATERIAL_+++B_E_F+++.docx
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2013-08-15_WO2013118722A_发明申请_WO2013118722A1 硫化物固体電解質材料、電池および硫化物固体電解質材料の製造方法_+++B_E_F+++.docx
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2014-01-16_AU2011230239B_发明专利_AU2011230239B2 Sulfide solid electrolyte material, battery, and method for producing sulfide solid electrolyte material_+++B_E_F_c+++.docx
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2014-03-20_WO2014041823A_发明申请_WO2014041823A1 硫化物固体電解質_+++B_E_F_c+++.docx
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2014-03-27_JP2014056661A_发明专利_JP2014056661A Sulfide solid electrolyte_+++B_E_F+++.docx
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2014-04-15_US8697292B_发明授权_US08697292B2 Sulfide solid electrolyte material, battery, and method for producing sulfide solid electrolyte material_+++B_E_F+++.docx
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2014-05-15_WO2014073197A_发明申请_WO2014073197A1 固体電解質_+++E_F+++.docx
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2014-05-19_JP2014093260A_发明专利_JP2014093260A Solid electrolyte compact, process of manufacturing the same, and all solid battery_+++B_E_F+++.docx
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2014-05-19_JP2014093261A_发明专利_JP2014093261A Solid electrolyte_+++B_E_F+++.docx
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2014-05-19_JP2014093262A_发明专利_JP2014093262A Solid electrolyte_+++B_E_F+++.docx
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2014-06-18_JP5527673B_发明专利_JP5527673B2 Sulfide solid electrolyte material, manufacturing method of a battery and the sulfide solid electrolyte material_+++B_E_F_c+++.docx
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2014-10-01_CN104081577A_发明公开_CN104081577A 硫化物固体电解质材料、电池和硫化物固体电解质材料的制造方法_+++B_E_F_c+++.docx
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2014-10-01_KR1020140116158A_发明公开_KR1020140116158A 황화물 고체 전해질 재료, 전지 및 황화물 고체 전해질 재료의 제조 방법_+++B_E_F+++.docx
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2015-04-01_CN102823049B_发明授权_CN102823049B 硫化物固体电解质材料、电池和硫化物固体电解质材料的制造方法_+++B_E_F_c+++.docx
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2015-04-15_KR1020150041079A_发明公开_KR1020150041079A 황화물 고체 전해질_+++B_E_F+++.docx
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2015-05-06_CN104604013A_发明公开_CN104604013A 硫化物固体电解质_+++B_E_f+++.docx
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2015-07-22_EP2897209A_发明公开_EP2897209A1 SULFIDE SOLID ELECTROLYTE_+++E_F_b+++.docx
2026-07-03 00:57
2015-07-30_US2015214572A_发明申请_US20150214572A1 SULFIDE SOLID ELECTROLYTE_+++B_E_F+++.docx
2026-07-03 00:57
2015-09-16_EP2919313A_发明公开_EP2919313A1 SOLID ELECTROLYTE_+++E_F+++.docx
2026-07-03 00:57
2015-09-24_US2015270571A_发明申请_US20150270571A1 SOLID ELECTROLYTE_+++B_E_F+++.docx
2026-07-03 00:57
2015-12-10_WO2015187466A_发明申请_WO2015187466A1 ELECTRODE MATERIALS WITH MIXED PARTICLE SIZES_+++B_a_c_e+++.docx
2026-07-03 00:57
2014-05-19_JP2014093262A_发明专利_JP2014093262A Solid electrolyte_+++B_E_F+++.docx

对比文件的名称:2014-05-19_JP2014093262A_发明专利_JP2014093262A Solid electrolyte

目标专利的名称:1514硫化物型固体电解质、其制备方法和包含其的全固态电池CN113937350B

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:所述硫化物型固体电解质包含由Li13Sn2InS12表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物。<br>**公开性判断:未公开**对比文件全文未提及Li13Sn2InS12或具有该特定组成的化合物。目标专利的技术特征A明确限定了固体电解质的化学式为Li13Sn2InS12,这是一种不含磷元素、以锂‑锡‑铟‑硫为主要成分的特定LTMS型化合物。对比文件公开的固体电解质均以Li、P、S和卤素为必需元素(式(1)中c=1,P为必须),M元素(如Sn、In等)仅为可选的少量掺杂(0≤b≤0.2),且不包含目标专利中M=In且无P的特定组成。本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得到Li13Sn2InS12,因此该特征未被直接或隐含公开。
**技术特征B**:所述硫化物型固体电解质用于形成全固态电池的固体电解质层。<br>**公开性判断:直接公开**“本发明的固体电解质可用于锂电池的固体电解质层、电极(正极和/或负极)。”(段落[2])对比文件明确记载其固体电解质适用于锂电池的固体电解质层。目标专利的技术特征B限定了固体电解质用于形成全固态电池的固体电解质层,两者用途完全相同。该特征在对比文件中以直接且明确的方式公开,本领域技术人员可以直接得知。
**技术特征C**:所述方法包括如下步骤:i)将锂硫化物、锡硫化物和含M的硫化物混合,其中M是In。<br>**公开性判断:未公开**对比文件原料中提及硫化锂、五硫化二磷、卤化物以及可选的其他硫化物(如Al2S3、GeS2等),但未同时公开锡硫化物和含In的硫化物作为必需原料。目标专利的步骤i)特定要求使用锡硫化物(如SnS2)和含M的硫化物(M=In,如In2S3)与锂硫化物混合。对比文件虽列出多种可用的硫化物原料(包括Sn、In的硫化物作为可能选项),但从未以“必需”方式同时公开这两种组分,且其核心体系为Li‑P‑S‑X,不含Sn和In的强制组合。本领域技术人员无法从对比文件中直接获取采用锡硫化物和In硫化物作为混合原料的技术方案,因此该特征未被公开。
**技术特征E**:ii)对混合物进行热处理。<br>**公开性判断:直接公开**“(d)固相法……具体而言,将规定量的P2S5和Li2S和含卤素的化合物在研钵中混合,在100~900℃的温度下加热,得到固体电解质。”(段落[2])对比文件明确记载了将混合后的原料进行加热(热处理)的步骤,固相法即是混合后直接加热。目标专利的步骤ii)为“对混合物进行热处理”,未限定混合物的具体成分或热处理的特定条件,因此对比文件中混合后直接加热的步骤直接对应了该技术特征。本领域技术人员能够毫无疑义地确定该步骤,故被直接公开。
**技术特征F**:所述热处理在400℃至850℃下进行一次或多次。<br>**公开性判断:直接公开**同上固相法描述:“在100~900℃的温度下加热”。(段落[2])对比文件固相法中的加热温度范围100~900℃完全覆盖了目标专利特征F所限定的400~850℃。虽然对比文件中未明确提及“一次或多次”,但热处理通常可进行多次,且温度范围已明确包含子区间。本领域技术人员可以直接得出在400~850℃进行热处理的方案,因此该特征被直接公开。

注:技术特征D在目标专利权利要求中无具体内容,故未列入比对。

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