对比文件名称：2002-06-25_US6411178B_发明授权_US06411178B1 Multi-layer composite electronic component
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法 CN105191123B
模型名称：本次评估由专利代理师基于专业知识和对比文件内容完成。
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级《隐含公开》 | “The via-holes 60a to 60h ... are joined and connected in the thickness directions of the sheets 43 to 50 so as to define an inductor L1. ... Similarly, the via-holes 61a to 61h, 62a to 62h ... so as to define inductors L2 and L3... The axes of the inductors L1 to L3 are substantially parallel to a stacking direction of the insulating sheets 43 to 50.” (说明书第[0068]段) | 对比文件公开的多层体（multi-layer body）100由多个绝缘片（sheets 42 to 54）层叠构成（说明书第[0067]段）。其中，电感器L1至L3由通孔（via-holes）形成，这些通孔在绝缘片43至50的厚度方向上连接。这些电感器所在的一组绝缘片（例如包含绝缘片43-50的层叠区域）可以被视为多层体中的一个层级（第一层级），该层级包含了至少一个电感器（L1, L2, L3）。虽然对比文件没有明确使用“第一层级”的表述，但其多层结构必然包含由特定绝缘片和导体构成的层级，且该层级中设置有电感器。本领域技术人员能够从对比文件的层叠结构毫无疑义地得出存在包含电感器的层级这一技术方案。因此，技术特征A被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B**：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《隐含公开》 | “The via-holes 60a to 60h ... are joined and connected in the thickness directions of the sheets 43 to 50 so as to define an inductor L1. ... The axes of the inductors L1 to L3 are substantially parallel to a stacking direction of the insulating sheets 43 to 50.” (说明书第[0068]段) “In addition, the via-holes ... are formed by filling the conductive paste ... in holes provided beforehand in the insulating sheets 43 to 50.” (说明书第[0067]段) | 对比文件公开的电感器L1-L3由贯穿多个绝缘片（sheets 43-50）的通孔（via-holes）连接而成，其轴线平行于层叠方向。这些通孔是预先在绝缘片上打孔并填充导电浆料形成的。这实质上是穿过绝缘基板（陶瓷片）的垂直互连结构，构成了穿基板通孔（Through Substrate Via）电感器。虽然目标专利说明书强调了穿玻通孔（TGV）或穿硅通孔（TSV）的具体应用场景，但其核心结构特征“穿基板通孔电感器”已被对比文件公开的通过通孔形成的垂直电感器所涵盖。本领域技术人员能够合理推断出对比文件中的通孔电感器即属于穿基板通孔电感器的一种实现方式。因此，技术特征B被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，《未公开》 | “The capacitor patterns 71a to 73a and 71b to 73b are located substantially in the left-half region of the insulating sheets 51 and 53. ... The capacitor patterns 71a and 71b defines a capacitor C1, and the capacitor C1 and the inductor L1 constitute the LC parallel resonator Q1.” (说明书第[0069]段) | 对比文件公开了电容器（如C1）与电感器（如L1）耦合形成LC谐振器（如Q1）。电容器由设置在绝缘片（如51、53）上的电容图案构成。这些包含电容图案的绝缘片（例如51、53）可以视为另一个层级（第二层级）。然而，目标专利中的“变抗器”特指电容值可变的器件，用于调谐。对比文件中的电容器是固定电容器，其电容值通过在制造时改变图案面积来设定（说明书第[0079]段：“the capacitance of each of the capacitors C1 to C3 is altered by changing the areas of the capacitor patterns”），并非电学上可实时或可编程调节的变抗器。两者在结构、功能和作用上存在本质区别。因此，对比文件没有公开“变抗器”，技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《未公开》 | “FIG. 3 is an electrically equivalent circuit diagram of the multi-layer duplexer 41... includes a combination of a three-stage band pass filter BPF1 ... and a three-stage band pass filter BPF2...” (说明书第[0072]段) | 对比文件公开的电感器和电容器（非变抗器）合起来形成的是带通滤波器（BPF1和BPF2），这些滤波器组合构成一个双工器（duplexer），如附图3所示。目标专利要求保护的是“可调谐共用器”，其核心特征在于包含变抗器或可变电感器以实现频率响应的调谐。对比文件的双工器由固定LC元件构成，不具备可调谐功能。两者属于功能不同的器件。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《未公开》 | 对比文件全文未提及“玻璃上覆硅(SOG)”、“变抗器(varactor)”或任何可变电容元件。 | 对比文件中的电容元件均为由印刷在陶瓷绝缘片上的电极图案构成的固定电容器。目标专利明确限定了变抗器为“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”，这是一种基于半导体工艺的特定可变电容器件。对比文件完全没有公开任何可变电容元件，更未提及SOG结构。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《未公开》 | “The insulating sheets 42 to 54 are preferably made from the mixture of a dielectric powder, a magnetic powder, a binding agent and other suitable materials.” (说明书第[0067]段) | 对比文件公开的绝缘片（如42-54）是陶瓷材料（由介电粉末、磁性粉末等混合物制成）。其中形成的通孔电感器是穿陶瓷通孔结构。目标专利明确限定了“穿玻通孔(TGV)电感器”，其基板材料为玻璃。陶瓷和玻璃是性质不同的基板材料，对比文件未提及使用玻璃基板或形成穿玻通孔。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《未公开》 | “FIG. 3 is an electrically equivalent circuit diagram of the multi-layer duplexer 41... includes a combination of a three-stage band pass filter BPF1 ... and a three-stage band pass filter BPF2...” (说明书第[0072]段) | 对比文件中的电感器和电容器形成的是带通滤波器（BPF），而非低通（LP）滤波器。目标专利的共用器中包含低通滤波器和高通滤波器（参见图2A）。滤波器类型（带通 vs 低通/高通）是电路功能和结构的重要区别。对比文件未公开低通滤波器。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《未公开》 | 参见对特征C、D、G的论述，对比文件未公开变抗器，也未公开由变抗器和电感器形成的低通滤波器。 | 该技术特征是对特征C、D、G的进一步具体化，涉及第二变抗器与多个第二电感器在特定层级组合形成LP滤波器。由于对比文件既未公开任何变抗器，也未公开LP滤波器，因此更不可能公开此更具体的组合结构。技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《未公开》 | “...the pass frequency of the band pass filter circuit BPF1 is determined by the resonant frequency of each of the resonator... Furthermore, in order to adjust the pass frequency... for example, the capacitance of each of the capacitors C1 to C3 is altered by changing the areas of the capacitor patterns...” (说明书第[0079]段) | 对比文件提到可以通过改变电容图案的面积来“调整（adjust）”带通滤波器的通带频率。但这描述的是在制造设计阶段通过物理尺寸改变固定电容值，从而设定滤波器频率特性，并非通过电学手段实时“调节（tune）”已制成器件（如共用器）的陷波频率。目标专利的变抗器作用在于电学调谐，以实现共用器对不同频带方案的适配。两者作用（制造设定 vs 实时调谐）完全不同。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《未公开》 | 对比文件描述了电感器作为LC谐振器的一部分，其与电容器共同决定谐振频率（决定带通滤波器的中心频率），例如“The capacitor C1 and the inductor L1 constitute the LC parallel resonator Q1”（第[0069]段）。但未明确描述电感器用于“控制滤波器的截止频率”。 | 在目标专利中，特定电感器（如图2A中的HP电感器110、第三LP电感器116）被描述为帮助定义通带截止频率的陡度（说明书第[0036]、[0037]段）。这是目标专利特定电路设计中的功能分配。对比文件虽然公开了电感器是滤波器的重要组成部分，但其具体公开的电路（带通滤波器）和描述中，并未指出或暗示其穿基板通孔电感器被配置用于“控制截止频率”这一特定功能。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出该特定技术特征。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《未公开》 | “The sheets 42 to 54 having the above arrangements... are sequentially laminated to be integrally fired to constitute a multi-layer body 100”（说明书第[0072]段） | 对比文件公开的“多层复合电子组件”是通过层叠并共烧陶瓷绝缘片而形成的多层陶瓷体（multi-layer body）。其制造工艺和材料体系（陶瓷厚膜技术）与目标专利的“三维集成电路（3DIC）”以及“半导体管芯”的制造工艺（半导体平面工艺、基板转移、管芯堆叠等）和材料体系（硅、玻璃上半导体等）有本质区别。对比文件未提及任何半导体管芯或3DIC集成。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《未公开》 | 对比文件未提及其公开的多层复合电子组件（如双工器41）具体集成到何种终端设备中。 | 虽然对比文件的双工器可用于微波频段（说明书第[0001]段），理论上可以应用于通信设备，但目标专利权利要求明确列举了一系列具体的设备类型作为限定特征。对比文件说明书没有公开任何将所述组件集成到这些具体设备中的内容。该技术特征未被对比文件公开。 |
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