本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型。
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：包括至少一个电感器的第一层级《未公开》 | 说明书第[0038]段：“电子部件1具备用于使电子部件1的构成要素整体化的层叠基板20。在后面将会详细说明，层叠基板20包含层叠的多个电介质层和多个导体层。电感器11、13分别是使用层叠基板20内的一个以上的通孔(through-hole)构成的通孔型电感器。” | 目标专利中的“第一层级”是三维集成电路（3DIC）中一个独立的、功能性的层级，专门用于布置电感器，并与包含变抗器的第二层级堆叠。对比文件中的“层叠基板20”是一个包含多个电介质层和导体层的整体结构，其中电感器（如电感器11、13）是集成在该基板内部的元件。虽然对比文件公开了存在电感器，但并未将其明确划分为一个独立的、与其他功能层（如变抗器层）堆叠的“第一层级”。本领域技术人员从对比文件中无法毫无疑义地得出一个专门且独立的电感器层。因此，技术特征A未被对比文件公开。 |
| 技术特征B：其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《直接公开》 | 说明书第[0038]段：“电感器11、13分别是使用层叠基板20内的一个以上的通孔(through-hole)构成的通孔型电感器。” | 对比文件明确公开了“通孔型电感器”，并且其是通过在层叠基板20内形成通孔列（如通孔列110、130）构成的。穿基板通孔电感器是通孔型电感器的一种具体实现形式。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，对比文件中的“通孔型电感器”即属于“穿基板通孔电感器”。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| 技术特征C：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，《未公开》 | 无 | 目标专利的核心发明点之一是在第二层级设置“变抗器”（可变电容器）以实现可调谐性。对比文件中仅公开了由导体层和电介质层构成的固定电容器（如电容器14-19），例如说明书第[0053]段描述“导体层331、341和电介质层33构成谐振器4的电容器14”。对比文件全文未提及任何具有可变电容特性的“变抗器”。因此，技术特征C未被对比文件公开。 |
| 技术特征D：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《未公开》 | 无 | 目标专利的“可调谐共用器”是一个具有可调谐滤波功能的双工器/复用器，其核心在于通过变抗器调谐陷波频率。对比文件公开的是一个固定的“带通滤波器”（如说明书第[0031]段），其电路由固定的电感器和电容器构成，不具备任何可调谐元件（如变抗器），因此无法形成“可调谐共用器”。两者在功能、结构和目的上均不相同。因此，技术特征D未被对比文件公开。 |
| 技术特征E：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《未公开》 | 无 | 如上所述，对比文件未公开任何“变抗器”，更不可能公开特定类型的“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”。因此，技术特征E未被对比文件公开。 |
| 技术特征F：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《未公开》 | 说明书第[0037]段：“再有，在本实施方式中，作为层叠基板20，能够使用各种基板，例如使用树脂、陶瓷或复合两者的材料作为电介质层的材料的基板等。” | 对比文件公开了穿基板通孔电感器（技术特征B），但其基板材料可以是树脂、陶瓷等，并未限定或提及“玻璃”基板。目标专利的“穿玻通孔(TGV)电感器”是穿基板通孔电感器在特定玻璃基板材料上的具体应用。本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地或隐含地得出其通孔型电感器一定是穿玻璃通孔构成的。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《未公开》 | 说明书第[0031]段：“电子部件1具有带通滤波器的功能。” | 目标专利的“低通(LP)滤波器”是可调谐共用器的一部分。对比文件公开的电子部件整体上是一个“带通滤波器”，其内部谐振电路虽然包含电感器和电容器，但电路结构和功能目标是实现带通滤波，而非从共用器中分离出独立的低通滤波器。两者滤波器的类型和功能不同。因此，技术特征G未被对比文件公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《未公开》 | 无 | 该技术特征进一步限定了包含多个电感器和第二变抗器的LP滤波器结构。对比文件既未公开“第二层级”，也未公开任何“变抗器”，更未公开由变抗器和多个电感器形成的LP滤波器。因此，技术特征H未被对比文件公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《未公开》 | 无 | 该技术特征限定了变抗器的功能——调节陷波频率。对比文件未公开任何变抗器，其滤波器的频率特性（包括陷波）由固定的电感器和电容器决定，不具备可调谐性。因此，技术特征I未被对比文件公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《未公开》 | 说明书第[0031]段：“电子部件1具有带通滤波器的功能。” 图4及相关描述说明了电感器11、12、13是谐振器的一部分。 | 目标专利中，穿基板通孔电感器在可调谐共用器中与变抗器配合，用于控制滤波器的截止频率。对比文件中的穿基板通孔电感器（如电感器11、13）是固定谐振器的一部分，用于与固定电容器共同确定带通滤波器的中心频率和带宽，其本身并不单独承担“控制截止频率”这一特定功能，且在整个固定的滤波器电路中，其参数不可变以实现“控制”。本领域技术人员无法从对比文件中得出该电感器被配置用于“控制截止频率”。因此，技术特征J未被对比文件公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《未公开》 | 说明书第[0037]段：“作为层叠基板20，能够使用各种基板，例如使用树脂、陶瓷或复合两者的材料作为电介质层的材料的基板等。但是，作为层叠基板20，特别优选使用高频特性优越的低温同时烧成陶瓷多层基板。” | 目标专利要求保护的是“三维集成电路(3DIC)”，并限定其集成到“半导体管芯”中。对比文件公开的是一种“电子部件”，其采用“层叠基板”技术，优选“低温共烧陶瓷(LTCC)”多层基板。LTCC技术属于封装或集成无源器件技术，与在半导体晶圆上制造的“三维集成电路(3DIC)”以及“半导体管芯”在材料、工艺和集成度上存在本质区别。本领域技术人员不会将对比文件的层叠基板结构视为“集成到半导体管芯中”的3DIC。因此，技术特征K未被对比文件公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《未公开》 | 说明书第[0104]段：“本发明的电子部件作为在蓝牙标准的通信装置或无线LAN用的通信装置中使用的滤波器、特别是带通滤波器非常有用。” | 目标专利限定了3DIC所集成的具体设备类型列表。对比文件仅泛泛提及该电子部件（带通滤波器）可用于“蓝牙标准的通信装置或无线LAN用的通信装置”。该应用领域与目标专利列举的广泛设备列表（如计算机、电视、音乐播放器等）虽有部分重叠（如通信设备），但对比文件并未明确、直接或隐含地公开将该具体结构集成到所列出的每一个特定设备中。因此，技术特征L未被对比文件公开。 |
<<<B>>>