对比文件名称：2012-11-14_CN101821943B_发明授权_CN101821943B 层叠型电子元器件及其制造方法
目标专利名称：271三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
本次调用的模型名称：深度思考模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级 <br> **《直接公开》** | 【0043】在绝缘体层30a至30g，分别形成有通孔导体54a至54g、56a至56g...通过层叠绝缘体层28、30a至30g，通孔导体51、54a至54g...起到作为电感器L1A的作用...通孔导体53、56a至56g...起到作为电感器L2A的作用。【0047】在绝缘体层34a至34f，分别形成有通孔导体62a至62f、64a至64f...起到作为电感器L1C的作用...起到作为电感器L2C的作用。【0055】...电感器L1A、L1C与电感器L2A、L2C... | 对比文件公开了一种层叠型电子元器件，其层叠体由多个绝缘体层（如30a-g, 34a-f等）堆叠而成，构成了三维结构。在这些绝缘体层中形成有通孔导体（如54a-g, 56a-g, 62a-f, 64a-f），这些通孔导体在层叠方向上延伸并起到电感器（L1A, L2A, L1C, L2C）的作用。因此，对比文件直接公开了“第一层级”（即层叠体中的一部分绝缘体层）包括“至少一个电感器”（即由通孔导体形成的电感器）。 |
| **技术特征B**：其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器 <br> **《直接公开》** | 【0043】在绝缘体层30a至30g，分别形成有通孔导体54a至54g、56a至56g...【0047】在绝缘体层34a至34f，分别形成有通孔导体62a至62f、64a至64f...【0060】对陶瓷生片使用激光束等来形成贯穿孔，通过对该贯穿孔利用印刷涂布等方法填充...导电糊料，形成通孔导体... | 对比文件中明确记载了在绝缘体层（如陶瓷生片）上形成贯穿孔并填充导电材料以形成“通孔导体”（如54a-g, 56a-g）。这些通孔导体在层叠方向上贯穿绝缘体层，并起到电感器的作用（见特征A的引用）。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，这种“通孔导体”形成的电感器即为“穿基板通孔电感器”（基板在此为绝缘体层）。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级 <br> **《未公开》** | 【0033】...层叠体12内，形成有多个电容器(未图示)及电感器(未图示)。【0042】...起到作为电容器C1、C2的一个电极作用...起到作为电容器C1的另一电极的作用...起到作为电容器C2的另一电极的作用... | 对比文件公开了在层叠体中形成有电容器（如C1， C2， C3），这些电容器与电感器（如L1A， L2A）连接共同构成谐振电路或滤波器（见【0055】）。然而，对比文件中的电容器是固定电容值的电容器，并非“变抗器”（即可变电容器）。目标专利中的“变抗器”是实现可调谐功能的关键元件。对比文件全文未提及任何具有可变电容特性的元件。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开“变抗器”。相应地，“包括...至少一个变抗器的第二层级”这一特征未被公开。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器 <br> **《未公开》** | 【0055】层叠型电子元器件10的等效电路包括电容器C1、C2、C3、电感器L1A、L1B、L1C、L2A、L2B、L2C、L3...构成带通滤波器。 | 对比文件公开了由电感器和电容器（非变抗器）形成的带通滤波器。目标专利的“可调谐共用器”是一种特殊类型的双工器/滤波器，其核心特征在于通过变抗器（或可变电感器）实现频率特性的可调谐。由于对比文件未公开“变抗器”，且其公开的滤波器是固定频率的带通滤波器而非可调谐共用器，因此该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器 <br> **《未公开》** | （无相关内容） | 对比文件中未提及任何“变抗器”，更未提及“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”这一具体类型的变抗器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器 <br> **《未公开》** | 【0059】...制作作为绝缘体层...使用的陶瓷生片。例如，称量适当比率的氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)... | 对比文件明确记载其绝缘体层（基板）材料为“陶瓷”（如氧化铝等），其通孔导体是穿过陶瓷生片的“通孔导体”。目标专利的“穿玻通孔(TGV)电感器”特指穿过玻璃基板的电感器。两者的基板材料（陶瓷 vs. 玻璃）不同。因此，对比文件未公开“穿玻通孔(TGV)电感器”。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器 <br> **《未公开》** | 【0055】...构成带通滤波器。 | 对比文件公开的等效电路（图3）和明确文字描述（【0055】）均指出其构成的是“带通滤波器”，而非“低通(LP)滤波器”。目标专利的权利要求中明确限定滤波器类型为LP滤波器。两者滤波器的类型和功能不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器 <br> **《未公开》** | 【0055】...构成带通滤波器。 | 该技术特征包含多个限定：存在“第二层级”、“第二变抗器”、“多个第二电感器”以及它们合形成“LP滤波器”。对比文件既未公开“变抗器”（无论是第一还是第二），其公开的滤波器也是带通滤波器而非LP滤波器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率 <br> **《未公开》** | （无相关内容） | 该技术特征描述了变抗器的功能——调节陷波频率。由于对比文件根本未公开“变抗器”这一元件，因此其调节陷波频率的功能自然也未被公开。对比文件中通过调整电感器间距离或层数来调整耦合度和滤波器特性（如带宽，见【0072】-【0078】），但这是通过改变结构实现的固定特性调整，而非通过电控元件（如变抗器）实现的实时、可调谐功能。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率 <br> **《未公开》** | 【0055】电容器C1与电感器L1A、L1B、L1C并联连接，形成谐振电路LC1。电容器C2与电感器L2A、L2B、L2C并联连接，形成谐振电路LC2。 | 该技术特征描述了穿基板通孔电感器的功能——控制滤波器的截止频率。在对比文件中，穿基板通孔电感器（即通孔导体形成的电感器）是谐振电路（LC1， LC2）的组成部分，其电感值会影响谐振频率，进而影响带通滤波器的通带频率。然而，对比文件的说明书并未明确描述这些电感器用于“控制截止频率”。在目标专利的语境下，“控制截止频率”与可调谐共用器中特定滤波器（如LP或HP）的边界特性相关，而对比文件涉及的是带通滤波器的中心频率和带宽调整。两者技术目的和效果不同。因此，对比文件未直接公开该功能特征。虽然电感器是影响任何滤波器频率响应的基本元件，但将其具体功能限定为“控制截止频率”在对比文件中没有依据。因此，判断为未公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中 <br> **《未公开》** | 【0059】...制作作为绝缘体层...使用的陶瓷生片...【0067】...完成图1所示的层叠型电子元器件10。 | 对比文件公开的“层叠型电子元器件”是一种基于陶瓷生片（绝缘体）层叠工艺制造的无源器件（主要包含电感、电容），其制造工艺（如丝网印刷、填充导电糊料、共烧）与半导体管芯（通常指在半导体衬底上通过光刻、掺杂等工艺制造的有源/无源器件集合）的制造工艺有本质区别。对比文件全文未提及“半导体管芯”或类似的半导体集成概念。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元... <br> **《未公开》** | （无相关内容） | 对比文件仅描述了一种层叠型电子元器件（如带通滤波器）本身的结构和制造方法，并未提及将该元器件集成到任何具体的终端设备中，更未列举目标专利权利要求中所述的具体设备列表。因此，该技术特征未被公开。 |
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