**本次调用的模型名称**：DeepSeek-R1
**对比文件名称**：2010-11-18_US2010289126A_发明申请_US20100289126A1 Semiconductor Device and Method of Forming a 3D Inductor from Prefabricated Pillar Frame
**目标专利名称**：271三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
## 特征比对表格
| 技术特征描述与公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：包括至少一个电感器的第一层级《隐含公开》** | [0053] “The IPDs in semiconductor device 168, including the 3D inductor, provide the electrical characteristics needed for high frequency applications, such as resonators, high-pass filters, low-pass filters, band-pass filters...” (第0053段) <br> [0034] “...inductor core 128...Bodies 134b, 134c, 134e, and 134f are inductor pillars around inductor core 128.” (第0034段) | 对比文件公开了一种3D电感器的制造方法，该电感器由电感器核心（inductor core 128）和围绕其形成的电感器支柱（inductor pillars 134b等）构成。这些电感器支柱是导电体，围绕铁磁芯，构成了电感器。该电感器形成在半导体器件的一个层级中（例如，在封装基板或载体之上）。虽然对比文件未明确使用“第一层级”这一表述，但本领域技术人员能够理解，其描述的电感器结构是位于半导体器件的一个特定结构层级中。因此，对比文件隐含公开了“包括至少一个电感器的第一层级”这一特征。 |
| **B：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《隐含公开》** | [0034] “Bodies 134a-134f are sufficiently thick to extend down to carrier 120...” (第0034段) <br> [0036] “The encapsulation process disperses encapsulant 146 through openings 140 into cavities 136 below pillar frame 130.” (第0036段) <br> [0037] “...interconnect pillars 134a and 134d for vertical z-direction interconnection, and inductor pillars 134b, 134c, 134e, and 134f for RF signal processing.” (第0037段) | 对比文件中的电感器由穿过封装体（encapsulant 146）的导电支柱（bodies/pillars）构成，这些支柱从载体（carrier 120）一侧延伸至另一侧，用于垂直（z方向）互连和形成电感。这种垂直延伸穿过封装基板（或模塑料）的导电柱结构，在本领域通常可被理解为一种“穿基板通孔”结构，例如穿模通孔（TMV）。虽然目标专利中“穿基板通孔电感器”特指穿玻通孔（TGV），但对比文件公开的通过预制柱框形成的垂直电感支柱，在广义上也属于“穿基板通孔电感器”的一种实现方式。因此，对比文件隐含公开了该特征。 |
| **C：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，《未公开》** | [0034] “Semiconductor die 122 may also contain IPD, such as inductors, capacitors, and resistors, for RF signal processing.” (第0034段) <br> [0044] “A thin film capacitor 222 is formed in build-up interconnect layer 149...” (第0044段，图9) | 对比文件公开了在同一半导体器件中可以包含电容器（例如薄膜电容器222）作为无源器件（IPD）。然而，目标专利的“变抗器”特指可变电容器，用于调谐。对比文件未提及任何具有可变电容特性的电容器（即变抗器）。此外，目标专利要求变抗器位于“第二层级”并与第一层级的电感器耦合以形成共用器。对比文件中的电容器（222）虽然位于互连层（149），但并未描述其与所述3D电感器（128， 134b等）进行特定耦合以构成一个功能电路（如共用器），也未提及任何调谐功能。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开该特征。 |
| **D：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《未公开》** | [0053] “The IPDs in semiconductor device 168, including the 3D inductor, provide the electrical characteristics needed for high frequency applications, such as resonators, high-pass filters, low-pass filters, band-pass filters...” (第0053段) | 对比文件公开了其3D电感器可用于构成滤波器（如低通、高通、带通滤波器）。然而，“共用器”是一种特定类型的双工器，用于将两个不同频段的信号组合/分离。目标专利的“可调谐共用器”进一步要求通过变抗器实现频率调谐功能。对比文件完全没有提及“共用器（diplexer）”这一概念，更没有描述由电感器和变抗器结合形成的、具有可调谐特性的共用器电路结构。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **E：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件全文未提及“变抗器（varactor）”，更未提及特定类型的“玻璃上覆硅（SOG）变抗器”。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **F：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件描述的电感器支柱是通过预制金属柱框（prefabricated pillar frame）在封装体中形成的，其基板或载体材料可以是多种（如聚合物、陶瓷、玻璃环氧树脂等，见[0040]），但并未具体限定为“玻璃”基板，也未使用“穿玻通孔（TGV）”这一术语。因此，对比文件未公开“穿玻通孔(TGV)电感器”这一特定类型。 |
| **G：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《未公开》** | [0053] “...such as resonators, high-pass filters, **low-pass filters**, band-pass filters...” (第0053段) | 对比文件确实提到其3D电感器可用于构成“低通滤波器（low-pass filters）”。但是，该陈述是泛泛列举3D电感器的可能应用，并未具体描述一个由“电感器和变抗器”共同构成的低通滤波器电路，更未将其描述为“可调谐共用器内的”一个组成部分。由于特征C（变抗器）和特征D（可调谐共用器）均未被公开，因此，将电感和变抗器组合形成可调谐共用器内的LP滤波器这一具体技术方案，无法从对比文件中得出。该特征未被公开。 |
| **H：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《未公开》** | [0043] “The inductor pillars 180a and 180b are formed around inductor core 182, and inductor pillars 180c and 180d are formed around inductor core 184...” (第0043段，图5) | 对比文件图5和相应描述公开了可以在同一器件中形成多个3D电感器（如180a/b和180c/d）。然而，如前所述，对比文件未公开“变抗器”，也未公开这些电感器需要与变抗器耦合，更未公开这样的组合用于形成“可调谐共用器的LP滤波器”。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **I：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未提及“变抗器”，因此也不可能公开其用于“调节可调谐共用器内的滤波器的陷波频率”这一功能和目的。该特征未被公开。 |
| **J：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《未公开》** | [0053] “The IPDs in semiconductor device 168, including the 3D inductor, provide the electrical characteristics needed for high frequency applications, such as resonators, high-pass filters, low-pass filters...” (第0053段) | 对比文件公开了其3D电感器可用于构成滤波器，而电感器是决定滤波器截止频率的关键元件之一，这属于本领域公知常识。但是，目标专利该特征明确限定了“控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率”。由于“可调谐共用器”这一整体装置未被对比文件公开（特征D），因此，其中电感器的这一特定配置目的（作为可调谐共用器的一部分来控制截止频率）也无法被认定已公开。该特征未被公开。 |
| **K：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《直接公开》** | [0034] “Semiconductor die 122 each include an active region 126 containing analog or digital circuits...Semiconductor die 122 may also contain IPD, such as inductors, capacitors, and resistors...” (第0034段) <br> [0053] “The IPDs in semiconductor device 168, including the 3D inductor...” (第0053段) | 对比文件明确描述了其制造的半导体器件（168）包含半导体管芯（122）和集成无源器件（IPD，如3D电感器）。整个器件结构（包括管芯和3D电感器）通过堆叠、封装等工艺集成为一个整体，即三维集成电路（3DIC）。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，对比文件公开的半导体器件是一种三维集成电路，并且其中集成了半导体管芯。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **L：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《隐含公开》** | [0002] “Semiconductor devices are found in the fields of entertainment, communications, power conversion, networks, computers, and consumer products.” (第0002段) <br> [0003] “Semiconductor devices are also found in military applications, aviation, automotive, industrial controllers, and office equipment.” (第0003段) <br> [0031] “Electronic device 50 may be a stand-alone system that uses the semiconductor packages to perform one or more electrical functions. Alternatively, electronic device 50 may be a subcomponent of a larger system. For example, electronic device 50 may be a graphics card, network interface card, or other signal processing card that can be inserted into a computer.” (第0031段) | 对比文件明确指出其半导体器件（包含所制造的3D电感器）可广泛应用于娱乐、通信、计算机、消费产品等领域，并可作为更大系统（如计算机中的图形卡、网卡）的子组件。本领域技术人员知晓，这些领域和系统具体涵盖了诸如移动电话、计算机、音乐/视频播放器等设备。虽然对比文件未逐一列举目标专利权利要求中的全部具体设备名称，但其描述的应用范围与本领域技术人员对上述设备类别的理解完全重合。因此，可以合理推断出对比文件公开的半导体器件能够集成到目标专利所列的这类设备中。该特征被对比文件隐含公开。 |
## 结论
根据以上比对分析：
- 特征A被对比文件**隐含公开**。
- 特征B被对比文件**隐含公开**。
- 特征K被对比文件**直接公开**。
- 特征L被对比文件**隐含公开**。
- 特征C、D、E、F、G、H、I、J均未被对比文件公开（既非直接公开也非隐含公开）。
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