目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
对比文件名称：2001-01-30_US6180976B_发明授权_US06180976B2 Thin-film capacitors and methods for forming the same
本次调用模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：包括至少一个电感器的第一层级《未公开》 | 对比文件全文未公开“电感器”（inductor）的具体结构或形成方法，仅在背景技术部分第1段提及“inductors”作为可能形成在晶圆表面的其他器件（“various feature or devices such as resistors, inductors and the like may be formed on a surface of a wafer during device or capacitor formation.”）。 | 对比文件的核心主题是薄膜电容器的结构及其制造方法。虽然背景技术中泛泛提及“电感器等”器件可以在晶圆表面形成，但这属于对可能存在的其他器件的概括性列举，并未具体公开任何“电感器”的结构、形成方式或在电路中的作用。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出一个具体的、包含至少一个电感器的“第一层级”。因此，技术特征A未被直接公开，也未在对比文件的其他部分被隐含公开。 |
| 技术特征B：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《未公开》 | 对比文件公开了在绝缘材料中形成通孔（via）并填充导电材料以形成导电插塞（conductive plug），例如图2中的via 34，以及第5-6段、第15-18段对通孔和沟槽填充形成导电结构的描述。 | 对比文件详细描述了在绝缘层（如层18）中蚀刻形成通孔（via）和沟槽（trench），并填充导电材料以形成电容器的下极板（base plate）或互连导电插塞。这些“穿通孔”结构（如via 34, plugs 21, 22, 23, 50a, 50b）的作用是提供垂直方向的电连接，而不是作为电感元件。目标专利中的“穿基板通孔电感器”（如TGV电感器）是利用穿过基板的导电通孔结构来实现电感功能，其作用是在三维集成电路中形成高Q值电感器，这是对比文件完全没有涉及的技术目的和功能。因此，技术特征B未被公开。 |
| 技术特征C：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，《未公开》 | 对比文件详细公开了在基板上形成薄膜电容器（thin-film capacitor 10），该电容器包括下极板（base plate 12）、介电层（dielectric layer 14）和上极板（top plate 16）（参见图1及第4-8段）。 | 对比文件公开的“电容器”是固定电容器，其电容值由极板面积、介电常数和介电层厚度决定，并未公开其电容值是可变的，也未提及任何用于实现电容可变的机制（如变抗二极管、可切换电容组等）。目标专利中的“变抗器”（varactor）特指可变电容器，是用于调谐滤波器频率响应的关键元件。虽然变抗器在广义上属于电容器的一种，但对比文件公开的固定电容器在结构、功能（提供固定电容）和作用（作为集成电路中的集成电容元件）上与目标专利中用于调谐共用器的“变抗器”有本质区别。因此，技术特征C未被公开。 |
| 技术特征D：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《未公开》 | 对比文件未提及“共用器”（diplexer）或任何由电感器和可变电容器组合形成的可调谐滤波电路。 | 目标专利中的“可调谐共用器”是一个具体的射频电路结构，用于分离或组合不同频带的信号，其核心在于由电感器和变抗器（可变电容）共同构成可调谐的滤波器（如高通、低通滤波器）。对比文件仅涉及单个电容器的制造，完全没有公开任何由电感器和电容器（无论是固定还是可变）组合形成的滤波器电路，更不用说具有特定端口（如天线端口、频率端口）和滤波功能的“共用器”了。因此，技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《未公开》 | 对比文件公开了电容器可以形成在半导体晶圆上，介电材料可以是硅氧化物、氮化物等（第4段），以及使用金属作为极板材料（第5段）。未提及“玻璃上覆硅”（SOG）这一特定结构或材料组合。 | 目标专利明确限定变抗器为“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”，这是一种特定结构的高Q值可变电容器。对比文件虽然公开了在硅基板上形成电容器，并提及了多种介电材料和电极材料（如金属、多晶硅），但并未具体公开或暗示使用“玻璃”作为衬底或绝缘层来形成可变电容器（SOG变抗器）。因此，技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《未公开》 | 对比文件公开了在绝缘材料（如氧化硅）中形成通孔并填充金属（第5-6段，图2-4）。未提及使用“玻璃”作为通孔穿过的基板材料。 | 目标专利明确限定“穿基板通孔电感器”为“穿玻通孔(TGV)电感器”，强调了使用玻璃基板以实现高Q值。对比文件描述的通孔是形成在沉积的绝缘层（如层18）或层间介质中，其基板通常是半导体晶圆（如硅），而非玻璃基板。因此，技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《未公开》 | 对比文件未提及任何“低通(LP)滤波器”或由电感器和电容器构成的滤波电路。 | 形成“低通滤波器”是目标专利中可调谐共用器的具体功能特征。这需要电感器和变抗器以特定的电路拓扑连接（如串联电感、并联电容等）来实现滤波功能。对比文件仅公开了独立的电容器元件，完全没有公开任何滤波器的电路结构或功能。因此，技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《未公开》 | 对比文件未公开任何“第二变抗器”与“多个第二电感器”耦合的结构，也未公开任何LP滤波器。 | 技术特征H描述了共用器中LP滤波器的更具体构成，涉及多个电感器与变抗器的层级间耦合关系。对比文件既未公开多个电感器，也未公开多个可变电容器（变抗器），更未公开它们之间以形成LP滤波器为目的的耦合关系。因此，技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《未公开》 | 对比文件未提及电容器的“调节”功能，也未提及“陷波频率”。其电容器用于提供固定的电容值。 | 目标专利中变抗器的作用是通过改变电容值来“调节滤波器的陷波频率”，这是实现共用器可调谐性能的核心。对比文件中的电容器是作为提供固定电容值的被动元件，不具备可调谐特性，也未描述其用于调节任何电路的频率响应。因此，技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《未公开》 | 对比文件未提及“电感器”控制“截止频率”的功能。 | 目标专利中穿基板通孔电感器（如TGV电感器）在电路中的作用之一是“控制滤波器的截止频率”。对比文件即使隐含了可能存在电感器（见特征A论述），也完全没有描述或暗示该电感器在何种电路（如滤波器）中起到控制截止频率的作用。因此，技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《隐含公开》 | 对比文件全文描述在半导体晶圆（semiconductor wafer）上制造薄膜电容器（参见第4段：“the present invention is conveniently described in connection with the surface of a semiconductor wafer”），并最终形成包含电容器的集成电路器件。 | 目标专利的“三维集成电路”最终是集成到“半导体管芯”中。对比文件详细描述了在半导体晶圆上进行薄膜电容器的制造工艺，这些工艺是标准集成电路制造流程的一部分，最终形成的电容器是集成电路的组成部分。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，按照对比文件方法制造的包含电容器的器件，可以集成到半导体管芯中。因此，技术特征K被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《隐含公开》 | 对比文件背景技术第1段提到，电容器可用于“mixed signal, radio frequency, and other circuits or devices”（混合信号、射频和其他电路或设备）。第5段提到“Capacitors with large Q factors may be particularly beneficial for use in RF circuits.”（具有高Q因子的电容器对于RF电路的使用可能特别有益）。 | 目标专利列举了多种具体的电子设备。对比文件指出其电容器可用于“射频（RF）电路”以及“混合信号”等电路中。本领域技术人员公知，RF电路、混合信号电路是构成通信设备（如移动电话）、娱乐单元（如音乐播放器）、计算机等众多电子设备的核心部件。因此，从对比文件公开的“电容器可用于RF电路”这一信息出发，本领域技术人员能够合理推断出，包含该电容器的集成电路可以被集成到使用RF电路的设备中，例如目标专利列举的通信设备、移动电话、音乐播放器等。因此，技术特征L被对比文件隐含公开。 |
<<<k>>><<<l>>>