对比文件名称：2008-07-17_DE102008003952A_发明专利_DE102008003952A1 Microminiature inverter
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法 CN105191123B
模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（已翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：包括至少一个电感器的第一层级 《直接公开》 | 说明书第[0035]段：“Spulenleiter 16a, 16b ... werden auf einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche des magnetischen, isolierenden Substrats 11 gebildet. Die Spulenleiter 16a und 16b werden durch den in dem Durchgangsloch 13a gebildeten Verbindungsleiter 13b verbunden ... um eine Magnetspule zu bilden.”（线圈导体16a、16b...形成在磁性绝缘基板11的第一主表面和第二主表面上。线圈导体16a和16b通过形成在通孔13a中的连接导体13b连接...以形成磁线圈。） | 对比文件明确公开了在磁性绝缘基板（相当于第一层级）上形成的线圈（即电感器）。该线圈是构成微型逆变器的必要组成部分，用于实现电感功能，这与目标专利中电感器作为共用器基本元件的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出对比文件公开了“包括至少一个电感器的第一层级”。 |
| 技术特征B：其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器 《直接公开》 | 说明书第[0035]段：“Die Spulenleiter 16a und 16b werden durch den in dem Durchgangsloch 13a gebildeten Verbindungsleiter 13b verbunden”（线圈导体16a和16b通过形成在通孔13a中的连接导体13b连接）。 第[0031]段：“Das dünne Magnetinduktionselement 100 ... schließt ... eine in dem Zentralbereich des magnetischen, isolierenden Substrats 11 gebildete Spule und Elektroden ... ein. Die Spule ... in der ein erster Leiter, der auf der ersten Hauptfläche ... gebildet ist, ein zweiter Leiter, der auf der zweiten Hauptfläche ... gebildet ist, und ein Verbindungsleiter, der in dem durch das isolierende, magnetische Substrat führenden Durchgangsloch gebildet ist, verbunden sind.”（薄磁感应元件100...包括...形成在磁性绝缘基板11中心区域的线圈和电极...该线圈...其中形成在第一主表面上的第一导体、形成在第二主表面上的第二导体以及形成在穿过绝缘磁性基板的通孔中的连接导体被连接在一起。） | 对比文件明确公开了线圈的结构：在基板两侧表面有导体，并通过穿过基板的通孔（Durchgangsloch）内的连接导体实现电连接。这种结构正是“穿基板通孔电感器”的典型构造（例如目标专利说明书中提及的TSV电感器）。该电感器在对比文件中作为磁能存储和转换元件，是微型逆变器的核心部件。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征C：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级， 《未公开》 | 说明书第[0035]段及图2(b)：公开了“Halbleiterelement 21”（半导体元件21）通过布线14和凸块22连接到电感器的电极15a。 第[0017]段描述该半导体元件为“Stromversorgungs-IC, der ein Stromversorgungs-Steuerungsteil integriert”（集成了电源控制部分的电源IC）。 | 对比文件公开了第二层级（布线14及之上的半导体元件21）耦合到第一层级的电感器。然而，目标专利的“变抗器”是特指提供可变电容的元件（如说明书[0044]段所述），用于调谐滤波器频率响应。对比文件中的“Halbleiterelement 21”是电源控制IC，其功能是实现电源的开关和控制，并非提供可变电容。本领域技术人员阅读对比文件后，无法毫无疑义地得出或合理推断出该半导体元件是用于提供可变电容的“变抗器”。两者功能和作用不同。 |
| 技术特征D：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。 《未公开》 | 对比文件全文涉及的是“Mikrominiatur-Umrichter”（微型逆变器），例如DC-DC转换器（见第[0002]段）。其由电感（线圈）、电容和半导体开关/控制IC组成，功能是进行电源电压的转换（如升压/降压）。 | 目标专利的“可调谐共用器”是一种用于射频前端、对特定频带信号进行分离或合并的双工器/滤波器，其核心功能是频率复用和滤波（参见说明书[0010], [0038]段）。对比文件的“微型逆变器”功能是功率转换，两者属于完全不同的电子器件类别，解决的技术问题（载波聚集系统的谐波干扰 vs. 电源转换和小型化）和达到的技术效果不同。因此，即使对比文件有电感和半导体元件，它们组合形成的是逆变器，而非共用器。该技术特征未被公开。 |
| 技术特征E：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。 《未公开》 | 对比文件未提及“变抗器”（Varactor），更未提及“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”。半导体元件21被描述为电源IC。 | 由于技术特征C中的“变抗器”未被公开，且对比文件中没有任何关于变抗器类型或SOG结构的记载或暗示，因此该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| 技术特征F：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。 《未公开》 | 说明书第[0031]段：“Das magnetische, isolierende Substrat kann aus einem beliebigen Material gebildet werden, solange es ein isolierender und magnetischer Stoff ist. Das Ferritsubstrat 11 wurde in dieser Ausführungsform verwendet...”（磁性绝缘基板可以由任何材料形成，只要它是绝缘和磁性材料。在该实施例中使用了铁氧体基板11...） | 目标专利的“穿玻通孔(TGV)电感器”特指在玻璃基板中形成的通孔电感器。对比文件明确其基板材料是铁氧体（Ferritsubstrat），一种磁性陶瓷材料，并非玻璃。虽然两者都是“穿基板通孔”结构，但基板材料不同，且目标专利强调玻璃基板能提供更高的Q值（见说明书[0044]段）。本领域技术人员无法从对比文件的铁氧体基板通孔电感器推断出玻璃基板通孔电感器。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。 《未公开》 | 对比文件中的电感线圈和半导体元件等构成的是完整的DC-DC转换器（逆变器）拓扑电路，其功能并非作为一个独立的“低通滤波器”来滤除高频信号。说明书未提及由这些元件构成具有特定频率选择特性的LP滤波器。 | 目标专利中的LP滤波器是共用器的一部分，用于在特定端口间通过低频带信号（见说明书[0037]段）。对比文件中的电路不具备这种频率选择性的滤波功能，其半导体元件（非变抗器）也不用于调节滤波特性。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。 《未公开》 | 对比文件图14展示了在布线14上安装一个半导体元件21和多个电容器41的实施例。这些电容器是无源固定电容器，并非“变抗器”。 | 该技术特征包含多个限定：第二变抗器、多个第二电感器、以及它们形成LP滤波器。对比文件虽然公开了多个无源元件（电容）的安装，但既未公开“变抗器”，也未公开这些元件与电感器（对比文件中仅有一个线圈）组合形成“LP滤波器”。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。 《未公开》 | 对比文件未公开“变抗器”，因此自然也谈不上其用于调节陷波频率。半导体元件21用于电源控制。 | 目标专利中变抗器调谐陷波频率是实现共用器可调谐、适配不同运营商频带的关键（见说明书[0034],[0046]段）。对比文件的电路无需此功能。该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。 《未公开》 | 对比文件中的电感线圈在逆变器电路中主要起储能和滤波（平滑电流）作用，其电感值影响电源转换性能，但并未被描述为用于控制一个频率选择性滤波器的“截止频率”。说明书未提及任何关于滤波器截止频率控制的内容。 | 目标专利中电感器与变抗器配合，用于控制通带截止频率的陡度（见说明书[0036],[0037]段），这是共用器滤波器的设计参数。对比文件中电感器的作用不同，且没有与变抗器配合实现此功能。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。 《隐含公开》 | 说明书第[0035]段及图2(b)：公开了“Halbleiterelement 21”（半导体元件21，即IC芯片）通过凸块22倒装焊接到薄磁感应元件100的布线14上，并用底部填充胶23密封，形成一个集成模块。 第[0002]段指出微型逆变器由“Halbleiterelement (einer elektronischen Komponente), wie zum Beispiel einem Halbleiterschaltkreis (nachstehend als IC bezeichnet), und passiven Komponenten”（半导体元件（电子部件），例如半导体集成电路（以下称为IC），和无源部件）形成。 | 对比文件公开了一种多层堆叠结构：第一层级（磁性基板及集成于其中的电感）、第二层级（布线及安装其上的IC芯片）。这实质上构成了一个三维集成的模块。虽然对比文件未明确使用“集成到半导体管芯中”的表述，但将IC芯片（半导体管芯）通过先进封装技术（倒装焊）集成到包含无源元件的基板上，是本领域实现3D集成和系统级封装的常见方式。本领域技术人员可以合理推断，这种集成模块可以被视为一个整体的“三维集成电路”并包含半导体管芯。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。 《隐含公开》 | 说明书第[0003]段：“In letzter Zeit sind elektronische Informationsgeräte, insbesondere verschiedene Arten von mobilen elektronischen Informationsgeräten, außergewöhnlich weit verbreitet.”（近来，电子信息设备，特别是各种移动电子信息设备，已异常普及。） 第[0002]段指出该发明涉及用于例如DC-DC转换器的微型逆变器。 | 对比文件明确其发明的微型逆变器可用于广泛普及的“电子信息技术设备”和“移动电子信息设备”。目标专利权利要求L中列举的设备（如移动电话、计算机、音乐播放器等）均属于广义的“电子信息技术设备”范畴。虽然对比文件未逐一列举所有具体设备类型，但本领域技术人员根据其明确指出的应用领域（移动电子设备），可以合理推断出该微型逆变器（即其公开的3D集成结构）能够被集成到这些具体的设备中。因此，该技术特征被隐含公开。 |
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