对比文件名称：2002-01-11_JP2002008942A_发明专利_JP2002008942A Capacitor device, method of manufacturing the same, and module mounted with the device
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法 CN105191123B
模型名称：DeepSeek-R1
特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级 <br> **《未公开》** | 无对应内容 | 对比文件全文仅公开了电容器装置及其制造方法，涉及在基板（如硅、玻璃）上形成通孔（スルーホール）并填充导电体以连接上下电极，从而构成电容器（コンデンサ）。对比文件未提及任何“电感器”（インダクタ）或用于电感应的结构。其通孔仅为提供电气连接的导电柱，而非形成电感值的线圈或螺旋结构。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开“包括至少一个电感器的第一层级”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器 <br> **《未公开》** | 对比文件公开了在基板（如硅基板、玻璃基板）上形成通孔（スルーホール）并填充导电体（例如图1，段落[0020]，[0036]）。 | 对比文件确实公开了“穿基板通孔”（Through Substrate Via， TSV）结构，例如在硅基板或玻璃基板中形成通孔并填充导电材料（段落[0020]，[0036]）。然而，这些通孔在对比文件中的作用是作为连接电容器上下电极的电气互连通路（段落[0021]-[0022]），即单纯的垂直互连结构（VIA）。目标专利中的“穿基板通孔电感器”特指利用穿基板通孔结构本身形成具有电感特性的元件（例如TGV电感器），用于在滤波器中提供电感值。对比文件中的通孔并未被设计或描述为具有电感功能，也未提及任何利用该结构获得电感量的意图或效果。因此，本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出“穿基板通孔电感器”的技术方案。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级 <br> **《未公开》** | 无对应内容 | 对比文件公开的电容器装置由下部电极、高介电常数膜（容量絶縁膜）和上部电极构成，形成的是固定电容器（例如图1，段落[0020]）。全文未提及“变抗器”（バラクタ）或任何电容可变的元件。变抗器是一种电压控制的可变电容器，其结构、材料和工作原理（如利用PN结电容变化）与对比文件中描述的固定介质电容器有本质区别。因此，对比文件未公开“至少一个变抗器”，更未公开其位于“第二层级”并与电感器耦合。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器 <br> **《未公开》** | 无对应内容 | “可调谐共用器”（Tunable Diplexer）是一种特定的射频元件，用于在一个天线端口和两个不同频带的端口之间进行频率复用/分离，并通过可变元件（如变抗器）调谐其滤波特性（如陷波频率）。对比文件仅涉及用于电源去耦（デカップリング）的“电容器装置”，其功能是稳定电源电压、滤除高频噪声（段落[0002]-[0003]），与用于信号路径频率选择的“共用器”在功能、结构和应用场景上完全不同。由于对比文件既未公开“电感器”也未公开“变抗器”，自然不可能公开由两者结合形成的“可调谐共用器”。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器 <br> **《未公开》** | 无对应内容 | 对比文件未公开任何“变抗器”，因此也不可能公开特定类型的“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”。虽然对比文件第2实施例（段落[0035]-[0038]）提到使用玻璃基板（ガラス基板）并在其上形成由PMN等高介电材料构成的固定电容器，但这与SOG变抗器（一种在玻璃基板上制作的可变电容半导体器件）在结构和可变特性上均不相同。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器 <br> **《未公开》** | 对比文件第2实施例公开了使用玻璃基板（ガラス基板）并形成通孔（スルーホール）（段落[0036]）。 | 对比文件第2实施例确实公开了在玻璃基板中形成“穿玻通孔”（Through Glass Via）结构。然而，如特征B论述所述，这些通孔在对比文件中仅用作电气互连的导体柱，连接电容器的电极（段落[0037]-[0038]），其本身并非被设计为或描述为“电感器”。目标专利中的“TGV电感器”特指利用穿玻通孔的几何形状和布置来获得所需电感值的元件。对比文件未提供任何将穿玻通孔用作电感器的教导或启示。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器 <br> **《未公开》** | 无对应内容 | 低通（LP）滤波器是由电感（L）和电容（C）元件构成的特定电路网络。对比文件未公开电感器（L）和变抗器（可变C），因此不可能公开由它们构成的低通滤波器，更不可能公开该滤波器是可调谐共用器的一部分。对比文件中的电容器是用于电源去耦的独立器件，不构成信号滤波网络。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器 <br> **《未公开》** | 无对应内容 | 该特征是对可调谐共用器内部电路结构的进一步限定，涉及更复杂的元件布局和连接关系。如上所述，对比文件未公开任何电感器或变抗器，因此该扩展的、具体的滤波器结构必然未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率 <br> **《未公开》** | 无对应内容 | 该特征限定了变抗器在可调谐共用器中的功能——调节陷波频率。由于对比文件未公开任何“变抗器”，也未公开“可调谐共用器”及其“陷波频率”，因此该功能性特征未被公开。对比文件中的电容器是固定值的，用于提供去耦电容，不具备调谐功能。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率 <br> **《未公开》** | 无对应内容 | 该特征限定了穿基板通孔电感器在可调谐共用器中的功能——控制滤波器的截止频率。由于对比文件未公开“穿基板通孔电感器”，也未公开“可调谐共用器”及其“截止频率”，因此该功能性特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中 <br> **《隐含公开》** | 对比文件第5实施例公开了将电容器装置（30）与半导体装置（LSI 44）堆叠，并与电路基板（46）一起构成多芯片模块（MCM）（图7，图8，图9，段落[0062]-[0068]）。例如，段落[0064]描述了“コンデンサ装置４２上にＬＳＩ４４を積層することにより、ＬＳＩ４４がコンデンサ装置４２に接続されている”。 | 目标专利的“三维集成电路集成到半导体管芯中”涵盖了将不同功能层（如电感器层、变抗器层）在三维空间堆叠并集成为一体的IC结构。对比文件第5实施例公开了将电容器装置（包含基板、通孔、电容结构）与半导体装置（LSI，即半导体管芯）进行三维堆叠并电互连，形成一个集成的模块（MCM）。虽然对比文件的集成层级可能是在封装或模块层面，而目标专利可能更侧重于晶圆级或管芯内的3D集成，但“集成到半导体管芯中”这一表述可以被广义地理解为将所述结构（3DIC）与半导体管芯物理结合并电连接。本领域技术人员通过对比文件公开的“电容器装置与LSI管芯堆叠互连”的方案，可以合理推断出将包含电容、互连等结构的装置与半导体管芯集成在一起的技术可能性。因此，该特征被认定为**隐含公开**。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器 <br> **《隐含公开》** | 对比文件背景技术部分提到其电容器装置用于“マイクロプロセッサをはじめとするデジタルＬＳＩ半導体装置”（段落[0002]），即微处理器等数字LSI半导体装置。第5实施例展示了电容器装置与LSI在电路基板上集成的模块（段落[0062]）。 | 该特征列举了各种基于处理器的电子设备。对比文件明确指出其电容器装置用于微处理器等数字LSI，以稳定电源、降低噪声（段落[0002]），并且公开了包含该电容器装置和LSI的模块（MCM）。本领域技术人员公知，此类包含处理器（如微处理器）和去耦电容的模块或集成电路，是构成所列出的各种电子设备（如计算机、通信设备、娱乐单元等）的基础组件。因此，尽管对比文件未明确列举这些具体设备名称，但本领域技术人员可以从其公开的“用于微处理器的电容器装置及集成模块”这一信息中，合理推断出该技术可以被用于制造或集成到上述各类电子设备中。因此，该特征被认定为**隐含公开**。 |
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