### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括至少一个电感器的第一层级<br>**《未公开》** | 对比文件描述了制造电感器的工艺，该电感器由垂直穿过硅基板的导体（28）和水平导体（30, 32）组成，并与底层晶圆（76）上的集成电路电连接（参见图2、32、33及相应描述）。 | 对比文件公开了在“上层晶圆”（upper wafer）或“第一晶圆”（first wafer）中形成电感器结构，这对应于一个“层级”。该电感器是三维结构的一部分，用于与另一层级（第二晶圆）的电路集成。因此，对比文件直接公开了“包括至少一个电感器的第一层级”这一技术特征。然而，此电感器在对比文件中是作为独立的电感元件与集成电路连接，而目标专利中该电感器是“可调谐共用器”的组成部分。虽然结构被公开，但两者结合的对象和最终形成的装置（电感器 vs. 可调谐共用器）目的不同，故判断为《未公开》。 |
| **技术特征B**：其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器<br>**《直接公开》** | 对比文件说明书[0018]段描述了：“...an inductor coil being formed by the combination of conductors extending entirely through the upper silicon wafer (as thinned)...（电感线圈由完全穿过上层硅晶圆（经减薄后）的导体组合形成...）”。附图2、31-33示出了垂直导体（28）完全穿透硅基板（36）。 | 对比文件明确描述了电感器包含完全穿透基板（硅晶圆）的垂直导体（28），这构成了穿基板通孔（Through-Silicon Via, TSV）电感器的核心结构。本领域技术人员能够毫无疑义地确定该技术方案。因此，该技术特征被**直接公开**。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级<br>**《未公开》** | 对比文件说明书[0018]段及附图32-35示出了第二层级（晶圆76）包含集成电路（“integrated circuit 76”）和互连金属（如80, 82, 84, 86, 88, 90, 92）。全文未提及“变抗器”（varactor）。 | 对比文件公开了第二层级（下层晶圆）包含集成电路和用于互连的金属结构，但其内容完全未涉及“变抗器”这一元件。本领域技术人员无法从对比文件中得出第二层级包含变抗器的技术方案。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。对比文件仅公开了电感器与下层晶圆上的一般集成电路连接（见图34、35及相应描述），并未形成“可调谐共用器”（tunable diplexer）。 | “可调谐共用器”是一个具有特定电路结构和功能（如复用/分离不同频带信号、包含可调谐滤波器）的装置。对比文件仅公开了制造三维电感器并将其与另一芯片上的电路互连的工艺，完全未提及共用器、滤波器或任何用于信号频带分离的可调谐功能。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。对比文件未提及任何类型的变抗器，更未提及“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”。 | 该技术特征是对变抗器具体类型的限定。由于对比文件根本没有公开“变抗器”这一元件，因此其具体类型（SOG）更无从谈起。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。<br>**《未公开》** | 对比文件说明书[0013]段及全文均明确其基板材料为“silicon substrate（硅基板）”（例如，图3中的36）。所形成的通孔是穿硅通孔（TSV）。 | 该技术特征将“穿基板通孔电感器”进一步限定为“穿玻通孔(TGV)电感器”，即基板材料为玻璃。对比文件明确且一致地使用硅作为基板材料，未提及或暗示使用玻璃基板。因此，该具体类型未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。对比文件未公开变抗器，也未公开由电感器和变抗器组成的LP滤波器。 | 该技术特征限定了电感器和变抗器在目标专利中的具体功能组合——构成低通(LP)滤波器。由于对比文件未公开变抗器，也未公开任何滤波器结构，因此无法得出该功能组合。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。对比文件未公开“第二变抗器”，也未公开由多个电感器和一个变抗器形成LP滤波器的结构。 | 该技术特征描述了更复杂的电路结构，涉及第二层级中的第二变抗器与第一层级中多个电感器的耦合，以形成LP滤波器。对比文件完全没有涉及此类结构或元件，因此该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。<br>**《未公开》** | 未找到相关内容。对比文件未公开变抗器，也未提及任何关于调节滤波器陷波频率的功能。 | 该技术特征限定了变抗器在目标专利中的具体功能——调节滤波器的陷波频率。由于对比文件未公开变抗器，因此其调节陷波频率的功能无法被公开。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。<br>**《未公开》** | 对比文件公开了穿基板通孔电感器的结构（见特征B），但未提及该电感器用于“控制滤波器的截止频率”，也未提及“可调谐共用器”。 | 该技术特征限定了电感器在目标专利装置中的具体功能。虽然对比文件公开了电感器结构本身，但并未将其与“控制滤波器截止频率”这一特定功能相联系。功能性的限定未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。<br>**《直接公开》** | 对比文件说明书[0014]段提到：“Preferably the substrate is a wafer size substrate, i.e., with which multiple devices will be formed and later diced to separate the multiple devices.（优选地，衬底是晶圆尺寸的衬底，即，将形成多个器件并随后进行切割以分离多个器件。）” 以及[0022]段：“...after which the pair of wafers may be diced to separate the multiple devices or integrated circuits on the wafers, and packaged.（之后，这对晶圆可以被切割以分离晶圆上的多个器件或集成电路，并进行封装。）” | 对比文件明确描述了其制造方法最终涉及对晶圆进行切割（dicing）以分离出单个器件或集成电路，并进行封装。这直接对应于“集成到半导体管芯中”的常规制造结果。本领域技术人员能够毫无疑义地理解这一点。因此，该技术特征被**直接公开**。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。<br>**《隐含公开》** | 对比文件说明书[0002]段指出：“The present invention relates to the field of integrated circuits, and more specifically, integrated circuits with passive elements which include inductors.（本发明涉及集成电路领域，更具体地，涉及包含电感器等无源元件的集成电路。）” 其背景技术（[0004]段）提及此类集成电路用于“RF transceiver circuit（射频收发器电路）”。 | 该技术特征限定了三维集成电路的应用设备范围，这是一个非常宽泛的列举，涵盖了众多包含射频或通用集成电路的电子设备。对比文件明确其发明涉及包含电感器的集成电路，并提及可用于“RF transceiver circuit”。本领域技术人员知晓，射频收发器电路是众多通信设备（如移动电话）的核心组成部分。基于对比文件公开的集成电路技术领域及其在射频电路中的应用，可以合理推断该技术能够被集成到其所列举的、包含射频或处理功能的各类电子设备中，例如通信设备、移动电话、计算机等。因此，该技术特征被**隐含公开**。 |
<<<B>>><<<K>>><<<l>>>