**对比文件名称**：2012-11-29_US2012302188A_发明申请_US20120302188A1 TUNABLE MULTI-BAND RECEIVER
**目标专利名称**：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法 CN105191123B
**本次调用模型名称**：深度分析对比文件公开性判断模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级<br>《隐含公开》 | 图5、图6A-D、图8及对应文字描述。例如，图5中天线调谐网络包括电感器510；图6A中可调谐陷波滤波器包括电感器610；图8中接收器包括电感器510、610、820等。说明书第[0045]段描述了这些电路。 | **隐含公开**：对比文件公开了在可调谐多波段接收器（对应于目标专利的“共用器”功能）中使用电感器，例如在天线调谐网络（图5）和可调谐陷波滤波器（图6A-D）中。虽然对比文件没有明确将这些电感器描述为位于一个“第一层级”，但其公开的接收器电路可以被集成在集成电路（IC）上（参见说明书第[0031]、[0081]段）。本领域技术人员知晓，在制造IC时，无源元件（如电感器）和有源/可变元件可以布置在不同的层或“层级”上以实现紧凑设计。因此，本领域技术人员有可能从对比文件公开的“包含电感器的IC电路”这一整体技术方案中，合理推断出可以将这些电感器布置在一个层级（例如第一层级）上。尽管对比文件未明确点明“第一层级”这一结构性划分，但基于IC制造的公知常识，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征B**：其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器<br>《未被公开》 | 无 | **未被公开**：对比文件全文未提及“穿基板通孔电感器”（Through-Substrate Via Inductor）或类似结构。对比文件中的电感器（如510、610）是常规的平面电感器，未描述其是穿过基板（如玻璃或硅）形成的三维结构。目标专利说明书第[0048]段明确强调了“穿玻通孔(TGV)电感器”或“穿基板通孔(TSV)电感器”能够提供高Q值，这是其发明的关键点之一。对比文件未公开此特定高Q电感器结构，本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该技术特征。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级<br>《隐含公开》 | 图5、图6A-D、图8及对应文字描述。例如，图5中天线调谐网络包括可变电容器512、514；图6A中可调谐陷波滤波器包括可变电容器612、614；说明书第[0061]段指出可变电容器可通过变抗器（varactor）实现。 | **隐含公开**：对比文件公开了可变电容器（即变抗器）与电感器耦合形成可调谐电路（如天线调谐网络、陷波滤波器）。虽然对比文件没有明确将这些可变电容器描述为位于一个“第二层级”，但其公开的电路同样可集成于IC。基于与特征A相同的推理，本领域技术人员有可能从对比文件公开的“包含可变电容器/变抗器的IC电路”中，合理推断出可以将这些可变元件布置在另一个层级（例如第二层级）上，并与第一层级的电感器进行电耦合。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。<br>《直接公开》 | 图4A、4B及对应描述（第[0036]-[0044]段），图8及对应描述。对比文件公开了一个“可调谐多波段接收器”（tunable multi-band receiver），该接收器包含由电感器和可变电容器（变抗器）组成的可调谐陷波滤波器（tunable notch filter），例如图8中的430x、818、828、838。 | **直接公开**：目标专利的“可调谐共用器”核心功能是对不同频带信号进行滤波和复用（参见说明书摘要、第[0010]、[0034]段）。对比文件中的“可调谐多波段接收器”及其内部的“可调谐陷波滤波器”正是为了实现类似的可调谐滤波功能，以允许单个接收路径支持多个频带（参见说明书第[0032]段）。对比文件图8明确示出了电感器（610）和可变电容器（612，614）耦合形成可调谐陷波滤波器（430x），该滤波器是接收器的一部分。因此，对比文件直接公开了“电感器和变抗器合而形成可调谐（滤波）电路（对应于目标专利的共用器）”这一技术特征。作用相同，都是提供可调谐的滤波功能以适应多频带操作。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。<br>《未被公开》 | 第[0061]段提到可变电容器可通过变抗器（varactor）或MEMS器件实现。图9A-B描述了MEMS变抗器。 | **未被公开**：对比文件虽然提及变抗器（varactor）可作为可变电容器的一种实现方式，但并未具体限定为“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”。目标专利说明书第[0044]段特别指出SOG变抗器能提供高Q值，是一种优选的实施例。对比文件公开的是更上位的“变抗器”概念或具体的“MEMS变抗器”，并未公开SOG这一特定类型的变抗器。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出必须使用SOG变抗器。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。<br>《未被公开》 | 无 | **未被公开**：理由同技术特征B。对比文件未提及任何“穿玻通孔(TGV)电感器”。这是目标专利中用于实现高Q性能的特定三维电感结构，对比文件未公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。<br>《隐含公开》 | 图6B示出了由电感器620和可变电容器622组成的串联LC拓扑的可调谐陷波滤波器。说明书第[0050]段指出此拓扑中电感值较小。 | **隐含公开**：目标专利的LP滤波器是共用器的一部分，用于通过低频带信号（参见图2A，102）。对比文件图6B的串联LC拓扑（电感与可变电容并联）本质上构成了一个二阶滤波器。虽然对比文件称其为“陷波滤波器”，但其频率响应特性（在特定频率形成陷波）是由LC谐振决定的，该电路本身具有低通滤波特性（谐振点之前通过）。本领域技术人员可以理解，通过调整LC值，该电路可以用于实现LP滤波功能。对比文件虽然没有明确将其标注为“LP滤波器”或将其置于“共用器”语境下，但公开了由电感和变抗器形成具有可调频率响应的滤波电路的基本构成，该电路能够被用于实现LP滤波功能。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。<br>《未被公开》 | 无 | **未被公开**：对比文件未公开如此具体和复杂的层级结构组合。目标专利特征H限定了“第二变抗器”位于“第二层级”，耦合到“第一层级中的多个第二电感器”，共同形成LP滤波器。对比文件中的滤波器（如图6B）结构相对简单，且未涉及这种跨层级的、多个电感器与一个变抗器的特定组合关系。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该具体结构特征。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。<br>《直接公开》 | 说明书第[0040]段：“Tunable notch filter 430 passes desired signal components in a receive band and attenuates leaked TX signal components in a transmit band...”。第[0050]、[0052]段描述了通过改变可变电容器（变抗器）的电容来调整陷波滤波器的性能（衰减度）。图7A、7B的曲线显示了电容变化对陷波特性的影响。 | **直接公开**：目标专利中变抗器用于调谐共用器内滤波器的陷波频率，以适应不同载波聚合系统的需求（参见说明书第[0034]段）。对比文件明确公开了可调谐陷波滤波器（tunable notch filter）中的可变电容器（变抗器）用于调整滤波器特性，特别是为了衰减发射频带（TX band）的信号，这本质上就是调节陷波频率以对准发射频带（参见第[0040]段）。图7A、7B的曲线直接展示了变抗器电容值变化如何影响陷波处的衰减。因此，对比文件直接公开了“变抗器配置成调节滤波器的陷波频率”这一技术特征，两者作用相同。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。<br>《隐含公开》 | 对比文件中的电感器是滤波器电路的组成部分（如图5、6A-D）。电感器的值会影响整个滤波器的频率响应，包括通带边缘。 | **隐含公开**：目标专利说明书中提到电感器（如第二HP电容器26和HP电感器30一起定义高通滤波器的截止频率陡度，参见第[0016]段）。在滤波器设计中，电感器和电容器的值共同决定了滤波器的截止频率等特性。对比文件公开了在可调谐滤波器中使用电感器。虽然对比文件没有明确文字记载该电感器“配置成控制截止频率”，但作为滤波器的基本元件，其必然对滤波器的截止频率产生影响。本领域技术人员知晓，在设计滤波器时，通过选择电感值可以控制截止频率。因此，从对比文件公开的“滤波器包含电感器”可以合理推断出该电感器用于（或至少可以用于）控制滤波器的截止频率。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。<br>《直接公开》 | 说明书第[0031]段：“All or a portion of modules 230, 240 and 250 and RF back-end 270 may be implemented on one or more analog integrated circuits (ICs), RF ICs (RFICs), mixed-signal ICs, etc.” 第[0081]段：“A tunable multi-band receiver described herein may be implemented on an IC, an analog IC, an RFIC...” | **直接公开**：目标专利要求保护一种3DIC（三维集成电路）。对比文件多次明确指出其公开的可调谐多波段接收器及相关电路可以实现在集成电路（IC）、RFIC等上。例如第[0031]段和第[0081]段。实现于IC上即意味着集成到半导体管芯中。因此，对比文件直接公开了该特征。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。<br>《直接公开》 | 说明书第[0018]段：“These receivers may be used for various electronic devices such as wireless communication devices, cellular phones, personal digital assistants (PDAs), handheld devices, wireless modems, smart phones, laptop computers, smartbooks, netbooks, tablets, cordless phones, wireless local loop (WLL) stations, Bluetooth devices, consumer electronic devices, a broadcast receiver, etc.” | **直接公开**：对比文件第[0018]段明确列举了其公开的可调谐多波段接收器可用于多种电子设备，包括“无线通信设备、蜂窝电话、PDA、智能手机、笔记本电脑、平板电脑”等。这些设备全部落入目标专利权利要求L所列举的设备列表中。因此，对比文件直接公开了将相关电路（即可实现为3DIC的接收器）集成到所述类型设备中的技术特征。 |
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