对比文件名称：2005-12-08_JP2005340850A_发明专利_JP2005340850A Semiconductor light emitting element comprising photonic band gap material and fluorescent material
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：N/A
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：包括发光结构（直接公开） | “本発明は、素子と蛍光材料層との間に光子バンドギャップ材料を設けた半導体発光素子に関する。”（参见对比文件说明书第[2]段）以及“図３は、本発明の実施形態による発光構造体を示している。フリップチップ半導体発光素子は、基板４０、ｎ型領域４２、活性発光領域４４、及びｐ型領域４５を含んでいる。”（参见对比文件说明书第[2]段） | 对比文件明确公开了半导体发光元件，即发光结构，直接对应技术特征A。 |
| B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层（直接公开） | “フリップチップ半導体発光素子は、基板４０、ｎ型領域４２、活性発光領域４４、及びｐ型領域４５を含んでいる。”（参见对比文件说明书第[2]段） | 对比文件公开了n型区域（相当于第一导电半导体层）、p型区域（相当于第二导电半导体层）和活性发光区域（相当于有源层），直接对应技术特征B。 |
| C：所述发光结构上的透射层（直接公开） | “光子バンドギャップ材料５０が、発光素子と蛍光材料層４９の間に配置されている。”（参见对比文件说明书第[2]段） | 对比文件中的光子带隙材料（PBG）设置在发光结构上，且具有透射一次光的功能，因此相当于透射层，直接公开。 |
| D：所述透射层上的荧光材料层（直接公开） | “蛍光材料層４９は、発光素子を覆って設けられている。”（参见对比文件说明书第[2]段）以及图3显示荧光材料层在PBG层上。 | 荧光材料层设置在光子带隙材料（即透射层）上，直接对应技术特征D。 |
| E：其中，所述荧光材料层包括图案（直接公开） | “図５は、蛍光材料層４９にパターンを設けて未変換光が素子を脱出できるようにした、本発明の或る実施形態を示している。”（参见对比文件说明书第[2]段） | 对比文件明确公开了荧光材料层具有图案，直接对应技术特征E。 |
| F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且中，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠（未公开） | 对比文件图5的图案仅暴露PBG层，未暴露发光结构，且未公开同时暴露两者。 | 对比文件没有公开荧光材料层图案化后同时暴露透射层和发光结构，因此未公开技术特征F。 |
| G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上（直接公开） | “蛍光材料層４９は、発光素子を覆って設けられている。”（参见对比文件说明书第[2]段）以及图3和图5显示荧光材料层覆盖发光元件侧面。 | 对比文件公开荧光材料层覆盖发光元件，包括横向侧面，直接对应技术特征G。 |
| H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上（直接公开） | “光子バンドギャップ材料５０が、発光素子と蛍光材料層４９の間に配置されている。”（参见对比文件说明书第[2]段） | 光子带隙材料直接设置在发光结构上，其底表面与发光结构顶表面接触，直接公开技术特征H。 |
| I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度（未公开） | 对比文件未提及光子带隙材料的厚度范围。 | 对比文件没有公开透射层的具体厚度，因此未公开技术特征I。 |
| J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度（未公开） | 对比文件未提及荧光材料层的厚度范围。 | 对比文件没有公开荧光材料层的具体厚度，因此未公开技术特征J。 |
| K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内（未公开） | 对比文件未提及图案化后的面积比例。 | 对比文件没有公开荧光材料层保留面积的比例，因此未公开技术特征K。 |
| L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案（未公开） | 对比文件图5仅示出顶面图案，未明确侧面图案。 | 对比文件没有公开发光结构侧面上的荧光材料层具有图案，因此未公开技术特征L。 |
| M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小（未公开） | 对比文件未提及侧面与顶面荧光材料层的厚度关系。 | 对比文件没有公开厚度比例，因此未公开技术特征M。 |
| N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极（未公开） | 对比文件有接点46和互连47，但未明确在发光结构下面。 | 对比文件没有公开在发光结构下方设置第二电极，因此未公开技术特征N。 |
| O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极（未公开） | 对比文件为flip-chip结构，顶表面（出光面）无电极。 | 对比文件没有公开在发光结构顶表面设置第一电极，因此未公开技术特征O。 |
| P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且中，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠（未公开） | 对比文件图5示出图案，但未具体说明孔的数量和重叠关系。 | 对比文件没有公开上述具体结构，因此未公开技术特征P。 |
| Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小（未公开） | 对比文件未提及宽度比较。 | 对比文件没有公开发光结构和第二电极的宽度关系，因此未公开技术特征Q。 |
| R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底（直接公开） | “基板４０”（参见对比文件说明书第[2]段） | 对比文件公开了发光结构下的基板，通常为蓝宝石等非导电衬底，直接公开技术特征R。 |
| S：其中所述透射层包括硅胶（未公开） | 对比文件未提及硅胶。 | 对比文件没有公开透射层材料为硅胶，因此未公开技术特征S。 |
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