对比文件名称：2007-06-28_JP2007165787A_发明专利_JP2007165787A Light emitting device and method for manufacturing the same
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括发光结构**<br>《直接公开》 | [2] “作为LED芯片3，可以使用例如发出从蓝色到紫外波长的光（例如，波长400nm以上550nm以下的光）的半导体发光元件（氮化镓系半导体发光元件等）。” | 对比文件明确公开了LED芯片3，该芯片即为发光结构，故技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层**<br>《直接公开》 | [2] “如图3(a)所示，在蓝宝石衬底21上，依次形成非掺杂氮化物半导体的n型GaN层22、作为Si掺杂的n型接触层的GaN层23、非掺杂氮化物半导体的n型GaN层24（也可以是n型AlGaN层）。接着，交替层叠作为势垒层的GaN层（6层）和作为阱层的InGaN层（5层），形成多量子阱结构的发光层25。在发光层25上，依次层叠作为Mg掺杂的p型包覆层的p型AlGaN层26和作为Mg掺杂的p型接触层的p型GaN层27。” | 对比文件公开了n型层（第一导电半导体层）、p型层（第二导电半导体层）以及位于两者之间的多量子阱发光层（有源层），故技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：发光结构上的透射层**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何位于发光结构上的透射层，其荧光体层直接形成在LED芯片和电极上，未设置中间透射层，故技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D：透射层上的荧光材料层**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 由于对比文件未公开透射层，因此不存在透射层上的荧光材料层，故技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E：荧光材料层包括图案**<br>《直接公开》 | [2] “如图2所示，电极2a的平面形状为与从LED芯片3的顶面和四个侧面发出的光的远场像16相对应的形状。即，电极2a具有以LED芯片3为中心、以四个凹凸作为轮廓的一部分的平面形状。……荧光体层4的平面形状的外周轮廓与电极2a的平面形状的外周轮廓实质相等。” | 对比文件明确公开荧光体层4的平面形状与电极2a相同，电极2a具有凹凸图案，因此荧光体层必然也包括对应的凹凸图案，故技术特征E被直接公开。 |
| **技术特征F：荧光材料层部分地暴露透射层和发光结构两者；并且发光结构被垂直地设置以与透射层和荧光材料层两者重叠**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开透射层，也未公开荧光体层部分暴露下方结构（其荧光体层覆盖LED芯片侧面及电极表面，未形成图案化暴露），故技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G：荧光材料层被形成在发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上**<br>《直接公开》 | [2] “荧光体层4选择性地形成在LED芯片3周围的电极2a表面以及LED芯片3的侧面上。” | 对比文件明确公开荧光体层4形成在LED芯片3的侧面，故技术特征G被直接公开。 |
| **技术特征H：透射层的底表面设置在发光结构的顶表面上**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开透射层，故技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：透射层具有2μm至200μm的厚度**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开透射层，故技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J：荧光材料层具有5μm至500μm的厚度**<br>《直接公开》 | [2] “进行填充以使荧光体层的最终厚度例如为80μm以上240μm以下。” | 对比文件公开的80-240μm范围完全落入5-500μm范围内，故技术特征J被直接公开。 |
| **技术特征K：在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开荧光体层面积与发光面积的百分比关系，也未涉及构图工艺后的面积比例，故技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L：发光结构的横向侧面处的荧光材料层包括所述图案**<br>《直接公开》 | [2] “荧光体层4的平面形状的外周轮廓与电极2a的平面形状的外周轮廓实质相等。”（结合图2电极图案，该图案延伸至LED芯片侧面区域） | 对比文件公开的荧光体层图案是整体性的，包括形成在LED芯片侧面的部分，因此侧面处的荧光材料层也包含该图案，故技术特征L被直接公开。 |
| **技术特征M：发光结构的横向侧面处的荧光材料层的厚度是被形成在透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开荧光体层在侧面与顶面（或透射层上）的厚度关系，故技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：进一步包括发光结构下面的第二电极**<br>《直接公开》 | [2] “LED芯片3设置在安装基板1的顶面上的电极2a上。” | 对比文件公开了LED芯片3下方的电极2a，该电极可作为第二电极，故技术特征N被直接公开。 |
| **技术特征O：在发光结构的顶表面上的至少两个第一电极**<br>《直接公开》 | [2] “LED芯片3顶面上的电极（未图示）与电极2b通过接合线5电连接。”（结合图3(a)，LED芯片顶面设有p侧电极28，且n型层暴露区域设有n侧电极29，两者均在顶面） | 对比文件公开的LED芯片（水平型结构）在顶面具有两个电极（p侧电极和n侧电极），故技术特征O被直接公开。 |
| **技术特征P：荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且至少两个孔与图案的至少两个孔垂直地重叠**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开荧光体层具有孔状图案，也未涉及透射层，故技术特征P未被公开。 |
| **技术特征Q：发光结构的横向宽度比第二电极的小**<br>《直接公开》 | [2] “LED芯片3的占有面积小于电极2a的占有面积，LED芯片3周围配置有电极2a伸出的部分。” | 对比文件明确公开LED芯片的横向宽度（面积）小于下方电极2a的宽度，故技术特征Q被直接公开。 |
| **技术特征R：进一步包括在发光结构下的非导电衬底**<br>《直接公开》 | [2] “图3(a)是使用蓝宝石衬底等绝缘性基板时的结构。” | 对比文件公开了LED芯片3形成在蓝宝石衬底（非导电衬底）上，故技术特征R被直接公开。 |
| **技术特征S：透射层包括硅胶**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开透射层，因此未公开其材料，故技术特征S未被公开。 |
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