对比文件：2010-06-03_None_发明专利_JPWO2008105527A1 ＬＥＤ装置及び照明装置
目标专利：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构《直接公开》 | [0023] “白色ＬＥＤ装置２０是，具有经由基座５搭载在金属基板１上的ＬＥＤ芯片１３。” [0025] “ＬＥＤ芯片１３由在Ａｌ₂Ｏ₃或ＳｉＣ的基板上具有ＩｎＧａＮ系发光层的、２５０ｎｍ至５００ｎｍ发光波长的蓝色或近紫外芯片构成。” | 对比文件明确公开了LED芯片，即发光结构，因此直接公开。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层《隐含公开》 | [0025] “ＬＥＤ芯片１３是……具有ＩｎＧａＮ系发光层”，未明确描述各导电层。 | 对比文件虽未明确记载第一、第二导电半导体层，但作为GaN基LED芯片，本领域技术人员必然知晓其包含p型层、n型层及有源层，因此隐含公开。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层《直接公开》 | [0027] “在反射器１４内，填充有硅系透明树脂即封止树脂１１，从而将ＬＥＤ芯片１３、基座５及各电气连接配线１０树脂密封。” [0023] “在封止树脂１１上配置有含有荧光体２２的玻璃部件１２。” | 对比文件公开了封止树脂11（硅系透明树脂）位于LED芯片13上，起到透射和低热传导作用，相当于透射层，直接公开。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层《直接公开》 | [0023] “在封止树脂１１上配置有含有荧光体２２的玻璃部件１２。” | 对比文件明确公开了玻璃部件12（含荧光体）位于封止树脂11上，即荧光材料层在透射层上，直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件中的玻璃部件为整体结构，未公开任何图案，因此未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且中，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未公开荧光材料层部分暴露透射层和发光结构，也未公开该垂直重叠关系，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件中的玻璃部件仅位于封止树脂上表面，未覆盖发光结构侧面，因此未公开。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上《直接公开》 | [0027] 封止树脂11填充在反射器内，覆盖LED芯片13，因此其底表面接触LED芯片顶表面。 | 对比文件公开了封止树脂11直接接触LED芯片13，即透射层底表面设置在发光结构顶表面上，直接公开。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度（未公开） | 无厚度数值记载。 | 对比文件未公开封止树脂的厚度范围，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度（未公开） | 无厚度数值记载。 | 对比文件未公开玻璃部件的厚度范围，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未涉及构图工艺及面积比例，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未公开侧面荧光材料层及图案，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未公开侧面荧光材料层的厚度关系，因此未公开。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极《直接公开》 | [0025] “ＬＥＤ芯片１３的背面被Ａｕ覆盖。” | 对比文件公开了LED芯片13背面有Au层，该Au层作为电极（第二电极）直接形成在发光结构下面，直接公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未公开LED芯片顶表面具有至少两个电极，通常仅有一个顶表面电极，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且中，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未公开任何孔结构，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小（未公开） | 无相关记载。 | 对比文件未涉及宽度比较，因此未公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底《直接公开》 | [0025] “ＬＥＤ芯片１３由在Ａｌ₂Ｏ₃或ＳｉＣ的基板上具有ＩｎＧａＮ系发光层的……芯片构成。” | 对比文件公开了LED芯片13包括Al₂O₃基板，Al₂O₃是绝缘体（非导电衬底），因此直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶《直接公开》 | [0027] “硅系透明树脂即封止树脂１１。” | 对比文件公开了封止树脂11是硅系透明树脂，即硅胶，因此直接公开。 |
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