对比文件的名称：2009-12-02_KR1020090123817A_发明公开_KR1020090123817A 광자결정 구조체를 구비한 발광소자
目标专利的名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构（直接公开） | 对比文件段落[13]记载：“可包括基板101；n型掺杂半导体层102；活性层103；p型掺杂半导体层104依次层叠的结构。” | 对比文件公开的激发源（여기원）即为发光结构，其包括n型半导体层、有源层、p型半导体层，因此直接公开了发光结构。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层（直接公开） | 对比文件段落[13]记载：“n型掺杂半导体层102；活性层103；p型掺杂半导体层104依次层叠的结构。” | 对比文件明确公开了n型掺杂半导体层（第一导电半导体层）、活性层（有源层）、p型掺杂半导体层（第二导电半导体层），各层顺序和作用与目标专利相同，因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层（未公开） | 对比文件未记载透射层。 | 对比文件仅在发光结构上直接形成光子晶体结构，未设置任何中间透射层，因此未公开该特征。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层（未公开） | 对比文件未记载透射层，且光子晶体结构直接形成在发光结构上，而非透射层上。 | 对比文件无透射层，故其荧光材料层（光子晶体结构）不在透射层上，因此未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案（直接公开） | 对比文件段落[15]记载：“光子晶体是指具有光子带隙(PBG)的结构，是介电常数周期性重复结构的物质。” | 对比文件的光子晶体结构由纳米球体自组装形成周期性排列，该周期性排列即为图案，因此直接公开了荧光材料层包括图案。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠（未公开） | 对比文件未记载荧光材料层部分暴露透射层和发光结构，且无透射层。 | 对比文件的光子晶体结构完全覆盖发光结构，没有部分暴露，也未设置透射层，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上（未公开） | 对比文件未记载荧光材料层形成在发光结构的横向侧面。 | 对比文件仅描述光子晶体结构形成在基板（或发光结构）上，未提及横向侧面，因此未公开。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上（未公开） | 对比文件未记载透射层。 | 无透射层，故未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度（未公开） | 对比文件未记载透射层厚度。 | 无透射层，故未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度（未公开） | 对比文件段落[58]记载：“约18μm内外的厚度（17.9μm vs. 18.5μm）”。 | 对比文件虽公开了具体厚度（如18μm），但未公开5μm至500μm的数值范围，因此未公开该特征。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内（未公开） | 对比文件未记载构图工艺及面积比例。 | 对比文件的光子晶体结构为完整覆盖，未进行构图，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案（未公开） | 对比文件未记载侧面荧光材料层，更未提及图案。 | 无侧面荧光材料层，故未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小（未公开） | 对比文件未记载侧面荧光材料层及厚度关系。 | 无侧面荧光材料层，且无透射层，故未公开。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极（未公开） | 对比文件未记载第二电极。 | 对比文件仅描述半导体层顺序，未提及电极结构，因此未公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极（未公开） | 对比文件未记载第一电极。 | 对比文件未提及任何电极，故未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠（未公开） | 对比文件未记载孔结构。 | 对比文件无透射层，且光子晶体结构为均匀周期性，无孔，故未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小（未公开） | 对比文件未记载宽度比较。 | 对比文件未提及第二电极，也未比较宽度，故未公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底（直接公开） | 对比文件段落[13]记载：“基板101可以使用蓝宝石、硅、氮化镓、砷化镓、碳化硅、氧化锌及玻璃等。” | 对比文件公开了基板101，且蓝宝石等为非导电材料，因此直接公开了发光结构下的非导电衬底。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶（未公开） | 对比文件未记载透射层材料。 | 无透射层，故未公开。 |
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